半导体装置的制作方法

技术特征：
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：一半导体基板，具有一第一导电型；一第一阱，形成于上述半导体基板之中且具有一第二导电型；一第二阱，形成于上述第一阱之中，且具有上述第一导电型；一场氧化层，形成于上述第二阱之上；以及一多晶硅层，形成于上述场氧化层之上且形成一电阻元件。2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，更包括：一第一顶掺杂层，形成于上述第一阱中且具有上述第一导电型；以及一第二顶掺杂层，形成于上述第一阱中且具有上述第一导电型，其中上述第一顶掺杂层以及上述第二顶掺杂层位于上述第二阱的两侧，且分别与上述第二阱相互分离。3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，更包括：一第三阱，形成于上述半导体基板之中且具有上述第一导电型；以及一掺杂区，形成于上述第三阱且具有上述第一导电型，其中上述掺杂区耦接至一接地端。4.一种半导体装置，其特征在于，包括：一半导体基板，具有一第一导电型；一第一阱，形成于上述半导体基板之中且具有一第二导电型；一第二阱，形成于上述第一阱之中且具有上述第二导电型；一第一掺杂区，形成于上述第二阱之中且具有上述第二导电型；一场氧化层，形成于上述第一阱之上且环绕上述第一掺杂区；以及一多晶硅层，形成于上述场氧化层之上且形成一电阻元件。5.如权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，更包括：一第一顶掺杂层，形成于上述第一阱中且具有上述第一导电型；以及一第二顶掺杂层，形成于上述第一阱中且具有上述第一导电型，其中上述第一顶掺杂层以及上述第二顶掺杂层位于上述第二阱的两侧，其中上述电阻元件更形成于上述第一顶掺杂层以及上述第二顶掺杂层之上。6.如权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，更包括：一第三阱，形成于上述半导体基板之中且具有上述第一导电型；以及一第二掺杂区，形成于上述第三阱之中且具有上述第一导电型。7.如权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，上述电阻元件具有耦接至一高电压电平的一第一端点以及耦接至一低电压电平的一第二端点，其中上述第一掺杂区耦接至上述高电压电平，上述第二掺杂区耦接至一接地端。8.如权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，更包括：一第三掺杂区，形成于上述第三阱、与上述第二掺杂区相邻且具有上述第二导电型，其中上述第三掺杂区耦接至上述接地端，其中上述第一掺杂区、上述第二掺杂区以及上述第三掺杂区形成一寄生双极性晶体管。9.如权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，更包括：一第四掺杂区，形成于上述第二阱、与上述第一掺杂区相邻且具有上述第一导电型；以及
一第五掺杂区，形成于上述半导体基板之中且具有上述第二导电型。10.如权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，上述第四掺杂区耦接至上述高电压电平，上述第五掺杂区耦接至上述接地端，其中上述第五掺杂区与上述第三阱为相互分离，其中上述第一掺杂区、上述第四掺杂区、上述第二掺杂区以及上述第五掺杂区形成一寄生硅控整流器。

技术总结
本发明提出一种半导体装置，包括半导体基板、第一阱、第二阱、场氧化层以及多晶硅层。半导体基板具有第一导电型。第一阱形成于半导体基板之中且具有第二导电型。第二阱形成于第一阱之中，且具有第一导电型。场氧化层形成于第二阱之上。多晶硅层形成于场氧化层之上且形成电阻元件。电阻元件。电阻元件。


技术研发人员：陈奕豪 吴祖仪
受保护的技术使用者：新唐科技股份有限公司
技术研发日：2021.12.03
技术公布日：2022/11/15