图像感测装置的制作方法

技术特征：
1.一种图像感测装置，该图像感测装置包括：第一基板层，所述第一基板层包括光电转换区域和浮置扩散区域，所述光电转换区域用于将入射光转换为光电荷，所述浮置扩散区域用于将所述光电荷存储在所述浮置扩散区域中；第一互连层，所述第一互连层被设置在所述第一基板层上，并且包括与所述浮置扩散区域的至少一部分交叠的开关晶体管栅极；第二基板层，所述第二基板层被设置在所述第一互连层上；第二互连层，所述第二互连层被设置在所述第二基板层上；以及电容器，所述电容器通过所述开关晶体管栅极电联接到所述浮置扩散区域，其中，所述电容器包括跨越所述第一互连层、所述第二基板层和所述第二互连层设置的第一电极和第二电极，其中，所述第一互连层的一部分、所述第二基板层的一部分和所述第二互连层的一部分被设置在所述第一电极和所述第二电极之间。2.根据权利要求1所述的图像感测装置，其中，所述第一电极包括：多个第一硅通孔tsv，所述多个第一硅通孔tsv跨越所述第一互连层、所述第二基板层和所述第二互连层设置；以及连接电极，所述连接电极被设置在所述第二互连层中，并且使所述第一硅通孔tsv互连。3.根据权利要求1所述的图像感测装置，其中，所述第二电极包括：多个第二硅通孔tsv，所述多个第二硅通孔tsv跨越所述第一互连层、所述第二基板层和所述第二互连层设置；以及接地接触部分，所述接地接触部分被设置在所述第一互连层中，并且被形成为使所述第二硅通孔tsv互连。4.根据权利要求3所述的图像感测装置，其中，所述接地接触部分联接到接地电压。5.根据权利要求2所述的图像感测装置，其中，所述连接电极被设置为与所述第一硅通孔tsv垂直。6.根据权利要求2所述的图像感测装置，其中，所述第一基板层包括：接触区域，所述接触区域与所述开关晶体管栅极的至少一部分交叠，其中，所述第一硅通孔tsv与所述接触区域接触。7.根据权利要求6所述的图像感测装置，其中，所述接触区域比所述浮置扩散区域掺杂有更高浓度的杂质。8.根据权利要求1所述的图像感测装置，其中，所述第二互连层包括与所述光电转换区域的至少一部分交叠的驱动晶体管栅极；并且所述浮置扩散区域通过贯通互连结构联接到所述驱动晶体管的栅极，其中，所述贯通互连结构跨越所述第二互连层、所述第二基板层和所述第一互连层设置。9.根据权利要求8所述的图像感测装置，其中，
所述贯通互连结构、所述第一电极和所述第二电极中的每一个包括铜cu和钨w中的至少一者。10.根据权利要求1所述的图像感测装置，其中，所述第一互连层还包括转移晶体管栅极，所述转移晶体管栅极沿着所述转移晶体管栅极的第一侧边与所述光电转换区域交叠。11.根据权利要求10所述的图像感测装置，其中，所述转移晶体管栅极沿着所述转移晶体管栅极的第二侧边与所述浮置扩散区域交叠。12.根据权利要求11所述的图像感测装置，其中，所述第一侧边的长度比所述第二侧边的长度更长。13.一种图像感测装置，该图像感测装置包括：第一基板层，所述第一基板层包括光电转换区域和浮置扩散区域，所述光电转换区域用于将入射光转换为光电荷，所述浮置扩散区域用于将所述光电荷存储在所述浮置扩散区域中；第一互连层，所述第一互连层被设置在所述第一基板层上并且包括与所述光电转换区域的至少一部分交叠的转移晶体管栅极和与所述浮置扩散区域的至少一部分交叠的开关晶体管栅极；第二基板层，所述第二基板层被设置在所述第一互连层上并且包括驱动晶体管的第一端子区域和所述驱动晶体管的第二端子区域；第二互连层，所述第二互连层被设置在所述第二基板层上并且包括所述驱动晶体管的栅极，所述驱动晶体管的栅极通过贯通互连结构联接到所述浮置扩散区域；以及电容器，所述电容器跨越所述第一互连层、所述第二基板层和所述第二互连层设置，其中，所述电容器通过所述开关晶体管栅极电联接到所述浮置扩散区域。14.根据权利要求13所述的图像感测装置，其中，所述电容器包括第一电极和第二电极，其中，所述第一电极包括：第一硅通孔tsv，所述第一硅通孔tsv跨越所述第一互连层、所述第二基板层和所述第二互连层设置；以及连接电极，所述连接电极被设置在所述第二互连层中；并且其中，所述第二电极包括：第二硅通孔tsv，所述第二硅通孔tsv跨越所述第一互连层、所述第二基板层和所述第二互连层设置；以及接地接触部分，所述接地接触部分被设置在所述第一互连层中。15.根据权利要求14所述的图像感测装置，其中，所述电容器还包括：介电区域，所述介电区域被设置在所述第一电极和所述第二电极之间，其中，所述介电区域包括所述第一互连层的一部分、所述第二基板层的一部分和所述第二互连层的一部分。16.根据权利要求14所述的图像感测装置，其中，所述接地接触部分联接到接地电压。17.根据权利要求14所述的图像感测装置，其中，所述第一电极通过所述开关晶体管栅极电联接到所述浮置扩散区域。
18.根据权利要求14所述的图像感测装置，其中，所述转移晶体管栅极与所述浮置扩散区域交叠，使得所述转移晶体管栅极的与所述光电转换区域交叠的侧边的长度比所述转移晶体管栅极的与所述浮置扩散区域交叠的另一侧边的长度更长。19.根据权利要求14所述的图像感测装置，其中，所述第一基板层还包括掺杂有与所述第一基板层的杂质不同的杂质并且与所述开关晶体管栅极的至少一部分交叠的接触区域。

技术总结
一种图像感测装置包括：第一基板层，其被配置为包括用于将入射光转换为光电荷的光电转换区域和用于将光电荷存储在其中的浮置扩散区域；第一互连层，其形成在所述第一基板层上，并且被配置为包括被形成为与浮置扩散区域的至少一部分交叠的开关晶体管栅极；第二基板层，其形成在第一互连层上；第二互连层，其形成在第二基板层上；以及电容器，其通过开关晶体管栅极电联接到浮置扩散区域。电容器包括跨越第一互连层、第二基板层和第二互连层设置的第一电极和第二电极，其中，第一互连层的一部分、第二基板层的一部分和第二互连层的一部分被设置在第一电极和第二电极之间。设置在第一电极和第二电极之间。设置在第一电极和第二电极之间。


技术研发人员：泽田宪
受保护的技术使用者：爱思开海力士有限公司
技术研发日：2022.04.22
技术公布日：2023/2/6