一种厚薄膜电路基板平衡式限幅场放的制作方法

技术特征：
1.一种厚薄膜电路基板平衡式限幅场放，其特征在于，包括：由上至下依次叠合的第一基板（1）、第二基板（2）、第三基板（3）、第四基板（4）及第五基板（5）；第一基板（1）顶面采用薄膜工艺制备出第一金属层（11），第一金属层（11）设有第一电桥、第二电桥、射频电路及元器件；第二基板（2）顶面采用厚膜工艺制备出第二金属层（21），第二金属层（21）设有射频信号接地层；第三基板（3）顶面采用厚膜工艺制备出第三金属层（31），第三金属层（31）设有低频馈电电路；第四基板（4）顶面采用厚膜工艺制备出第四金属层（41），第四金属层（41）设有公共接地板；第五基板（5）顶面采用厚膜工艺制备出第五金属层（51），第五金属层（51）设有射频信号传输线；第五基板（5）底面采用厚膜工艺制备出第六金属层（52），第六金属层（52）设有公共接地板。2.根据权利要求1所述的一种厚薄膜电路基板平衡式限幅场放，其特征在于，第一基板（1）、第二基板（2）、第三基板（3）、第四基板（4）及第五基板（5）均采用陶瓷制成。3.根据权利要求1所述的一种厚薄膜电路基板平衡式限幅场放，其特征在于，第一金属层（11）与第三金属层（31）的电源控制线通过金属导通孔相连。4.根据权利要求1所述的一种厚薄膜电路基板平衡式限幅场放，其特征在于，第一金属层（11）中的部分传输线与第五金属层（51）的射频信号传输线通过金属导通孔连接。5.根据权利要求1所述的一种厚薄膜电路基板平衡式限幅场放，其特征在于，第一金属层（11）中的接地电路、第二金属层（21）的射频信号接地层、第四金属层（41）公共接地板、第五金属层（51）公共接地板以及第六金属层（52）公共接地板均通过金属导通孔连接。6.根据权利要求1所述的一种厚薄膜电路基板平衡式限幅场放，其特征在于，第五金属层（51）用于传输经过限幅场放的射频传输信号。

技术总结
本申请提供一种厚薄膜电路基板平衡式限幅场放，包括：由上至下依次叠合的第一基板、第二基板、第三基板、第四基板及第五基板，且最终经烧制形成一体式多层电路板。第一基板顶面采用薄膜工艺形成有第一金属层，用于加工电桥、射频电路及安放元器件。第二基板顶面形成有第二金属层，用于加工射频信号接地层。第三基板顶面形成有第三金属层，用于加工工作状态控制线、电源控制线等低频馈电电路。第四基板顶面形成有第四金属层，用于加工公共接地板。第五基板顶面形成有第五金属层，用于加工射频信号传输线。第五基板底面形成有第六金属层，用于加工公共接地板。能有效减少布线层数，进一步减小产品体积。减小产品体积。减小产品体积。


技术研发人员：王韧 孙一鸣
受保护的技术使用者：四川斯艾普电子科技有限公司
技术研发日：2023.02.13
技术公布日：2023/3/10