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母线电容及汽车的制作方法

2023-03-16 08:21:47 来源:中国专利 TAG:

技术特征:
1.一种母线电容,其特征在于,包括:沿母线电容的厚度方向堆叠的多个电容层,任意相邻的两个所述电容层之间填充有电介质;多个所述电容层包括多个正极电容层和多个负极电容层;所述母线电容设有沿其厚度方向延伸的第一孔,所述第一孔贯穿多个所述正极电容层;所述第一孔内设有第一导电件,所述第一导电件与多个所述正极电容层相接触,以使多个所述正极电容层电连接;所述母线电容设有沿其厚度方向延伸的第二孔,所述第二孔贯穿多个所述负极电容层;所述第二孔内设有第二导电件,所述第二导电件与多个所述负极电容层相接触,以使多个所述负极电容层电连接。2.根据权利要求1所述的母线电容,其特征在于,所述第一导电件包括插设于所述第一孔内的第一导电杆;所述第二导电件包括插设于所述第二孔内的第二导电杆。3.根据权利要求1所述的母线电容,其特征在于,所述第一导电件包括涂覆于所述第一孔的内壁上的第一导电层,所述第二导电件包括涂覆于所述第二孔的内壁上的第二导电层。4.根据权利要求1所述的母线电容,其特征在于,多个所述正极电容层和多个所述负极电容层沿所述厚度方向交替堆叠;所述第一孔还贯穿穿插在任意相邻两个正极电容层之间的负极电容层,所述第一导电件与被所述第一孔贯穿的负极电容层相隔离;所述第二孔还贯穿穿插在任意相邻两个负极电容层之间的正极电容层,所述第二导电件与被所述第一孔贯穿的正极电容层相隔离。5.根据权利要求1至4中任一项所述的母线电容,其特征在于,多个所述正极电容层包括第一正极层和第二正极层,所述第一正极层的厚度大于所述第二正极层的厚度;多个所述负极电容层包括第一负极层和第二负极层,所述第一负极层的厚度大于所述第二负极层的厚度。6.根据权利要求5所述的母线电容,其特征在于,所述母线电容还包括:正极输入端子、负极输入端子、正极输出端子和负极输出端子;所述正极输入端子与所述第一正极层接触,以使所述正极输入端子与所述第一正极层电连接;所述负极输入端子与所述第一负极层接触,以使所述负极输入端子与所述第一负极层电连接;所述正极输出端子与多个所述正极电容层接触,以使所述正极输出端子与多个所述正极电容层电连接;所述负极输出端子与多个所述负极电容层接触,以使所述负极输出端子与多个所述负极电容层电连接。7.根据权利要求6所述的母线电容,其特征在于,所述母线电容还包括绝缘外壳,多个所述电容层设于所述绝缘外壳的内部;所述正极输入端子沿所述厚度方向贯穿所述母线电容,且所述正极输入端子沿所述厚度方向相对的两端裸露在所述绝缘外壳外部;所述负极输入端子沿所述厚度方向贯穿所述母线电容,且所述负极输入端子沿所述厚度方向相对的两端裸露在所述绝缘外壳外部;所述正极输入端子设有沿所述厚度方向贯穿的正极输入孔,所述负极输入端子设有沿所述厚度方向贯穿的负极输入孔。
8.根据权利要求6所述的母线电容,其特征在于,所述正极输出端子沿所述厚度方向贯穿所述母线电容,且所述正极输出端子沿所述厚度方向相对的两端裸露在所述绝缘外壳外部;所述负极输出端子沿所述厚度方向贯穿所述母线电容,且所述负极输出端子沿所述厚度方向相对的两端裸露在所述绝缘外壳外部;所述正极输出端子设有沿所述厚度方向贯穿的正极输出孔,所述负极输出端子设有沿所述厚度方向贯穿的负极输出孔;或者,所述正极输出端子呈弧形片状,所述负极输出端子呈弧形片状;所述母线电容设有沿其厚度方向贯穿的安装孔,所述正极输出端子和所述负极输出端子均设于安装孔内;所述正极输出端子和所述负极输出端子位于所述安装孔的相同或相异侧。9.根据权利要求6所述的母线电容,其特征在于,所述正极输入端子和所述正极输出端子之间的连线,与所述负极输入端子和所述负极输出端子之间的连线相互交叉。10.一种汽车,其特征在于,包括电控模块,所述电控模块包括:权利要求1至9中任一项所述的母线电容;功率模块,所述功率模块设有正极连接端子和负极连接端子,所述正极连接端子与所述正极电容层连接,所述负极连接端子与所述负极电容层连接。

技术总结
本申请公开的母线电容及汽车,母线电容包括多个电容层,相邻的两个电容层之间填充有电介质;多个电容层包括多个正极电容层和多个负极电容层;母线电容设第一孔,第一孔内设第一导电件,第一导电件与多个正极电容层接触,使多个正极电容层电连接;母线电容设第二孔,第二孔内设第二导电件,第二导电件与多个负极电容层接触,使多个负极电容层电连接。本申请中,各正极电容层通过第一导电件电连接,各负极电容层通过第二导电件电连接。功率模块与母线电容连接时,各正极电容层和负极电容层与功率模块的连接距离均缩短,可降低杂散电感,缓解杂散电感对元器件的冲击,使MOSFET的优势充分发挥,使制备MOSFET的SiC的性能充分发挥。使制备MOSFET的SiC的性能充分发挥。使制备MOSFET的SiC的性能充分发挥。


技术研发人员:韩冰 张信 何永斌 贺瑞兴
受保护的技术使用者:比亚迪股份有限公司
技术研发日:2021.08.17
技术公布日:2023/2/17
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