半导体结构的形成方法与流程

技术特征：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，包括用于形成隧穿场效应晶体管的第一器件区，所述基底上形成有栅极结构，所述栅极结构的侧壁上形成有侧墙，所述第一器件区的栅极结构一侧的基底内形成有源区，所述第一器件区的栅极结构另一侧的基底内形成有漏区，所述漏区与源区的掺杂类型不同；去除位于所述第一器件区中且靠近所述源区一侧的所述侧墙，露出所述第一器件区的源区与栅极结构之间的基底；去除位于所述第一器件区中且靠近所述源区一侧的所述侧墙之后，形成保形覆盖所述基底、栅极结构以及侧墙的硅化物阻挡层；去除位于所述第一器件区的硅化物阻挡层；去除位于所述第一器件区的硅化物阻挡层后，在第一器件区中，对靠近所述源区一侧的所述栅极结构侧壁和基底的拐角处进行清除处理，所述清除处理用于去除硅化物阻挡层残留物；进行所述清除处理之后，在所述源区和漏区的顶面形成金属硅化物层。2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除位于所述第一器件区中且靠近所述源区一侧的所述侧墙的步骤包括：采用预设光罩形成第一掩膜层，所述第一掩膜层覆盖所述第一器件区的漏区以及靠近所述漏区一侧的侧墙，并露出所述第一器件区的源区以及靠近源区一侧的侧墙；去除所述第一掩膜层露出的所述侧墙；去除所述第一掩膜层；所述清除处理的步骤包括：利用所述预设光罩形成第二掩膜层，所述第二掩膜层覆盖所述第一器件区的漏区以及靠近所述漏区一侧的侧墙，露出所述第一器件区源区一侧的所述栅极结构侧壁和基底；以所述第二掩膜层为掩膜，对第一器件区源区一侧的所述栅极结构侧壁和基底的拐角处进行清除处理；在所述清除处理之后，去除所述第二掩膜层。3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述提供基底的步骤中，所述基底还包括用于形成金属氧化物半导体场效应晶体管的第二器件区，所述第二器件区的栅极结构两侧的基底内形成有源漏掺杂区；去除位于所述第一器件区的硅化物阻挡层的步骤中，还去除位于所述第二器件区的硅化物阻挡层；形成所述金属硅化物层的步骤中，所述金属硅化物层还形成于所述源漏掺杂区的顶面上。4.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第一掩膜层的步骤包括：在所述基底上形成覆盖所述基底、栅极结构以及侧墙的保护材料层；利用所述预设光罩在所述保护材料层上形成光刻胶层，所述光刻胶层露出覆盖在所述第一器件区的源区以及靠近源区一侧的侧墙上的保护材料层；以所述光刻胶层为掩膜，去除所述光刻胶层露出的保护材料层，保留剩余的所述保护材料层作为第一掩膜层；
形成所述第一掩膜层后，去除所述光刻胶层。5.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述提供基底的步骤中，所述侧墙包括位于所述栅极结构侧壁且还延伸覆盖于部分基底顶面的第一子侧墙，以及位于所述第一子侧墙上的第二子侧墙；去除位于所述第一器件区靠近所述源区一侧的所述侧墙的步骤包括：以所述第一掩膜层为掩膜，去除位于所述第一器件区靠近所述源区一侧的所述第二子侧墙；去除位于所述第一器件区靠近所述源区一侧的所述第二子侧墙之后，在同一步骤中，去除位于所述第一器件区靠近所述源区一侧的所述第一子侧墙和所述第一掩膜层。6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除位于所述第一器件区中且靠近所述源区一侧的所述侧墙之后，形成所述硅化物阻挡层之前，还包括：在所述第一器件区的源区与栅极结构之间的基底内形成轻掺杂区。7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述提供基底的步骤中，所述栅极结构的侧壁还形成有侧壁层，所述侧墙覆盖所述侧壁层；对第一器件区源区一侧的所述栅极结构侧壁和基底的拐角处进行清除处理的步骤中，对第一器件区源区一侧的所述侧壁层侧壁和基底的拐角处进行所述清除处理。8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用各向同性的干法刻蚀工艺进行所述清除处理。9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用依次进行的干法刻蚀工艺和湿法刻蚀工艺，去除位于所述第一器件区的硅化物阻挡层。10.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用湿法刻蚀工艺，去除位于所述第一器件区中且靠近所述源区一侧的所述侧墙。11.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第一掩膜层的步骤中，所述第一掩膜层的材料包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、碳氧化硅、碳氮氧化硅、氮化硼或碳氮化硼。12.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述保护材料层的工艺包括低压化学气相沉积工艺、高深宽比沉积工艺、等离子体增强沉积工艺、高密度等离子体沉积工艺或旋涂工艺。13.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除所述光刻胶层露出的保护材料层的工艺包括湿法刻蚀工艺。14.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第一掩膜层的步骤中，所述第一掩膜层的材料与所述第一子侧墙的材料相同。15.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第一掩膜层的步骤中，所述第一掩膜层的厚度与所述第一子侧墙的厚度相同。16.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第一掩膜层的步骤中，所述第一掩膜层的厚度为至17.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述栅极结构包括多晶硅栅极结构；在形成所述金属硅化物层的步骤中，所述金属硅化物层还形成于所述栅极结构的顶面。

技术总结
一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，包括第一器件区，基底上形成有栅极结构，栅极结构侧壁形成有侧墙，第一器件区的栅极结构一侧基底内形成有源区，另一侧基底内形成有漏区，漏区与源区掺杂类型不同；去除第一器件区靠近源区一侧的侧墙，露出源区与栅极结构之间的基底；去除第一器件区靠近源区一侧的侧墙后，形成保形覆盖基底、栅极结构以及侧墙的硅化物阻挡层；去除第一器件区的硅化物阻挡层；去除第一器件区的硅化物阻挡层后，对靠近源区一侧的栅极结构侧壁和基底的拐角处进行清除处理；进行清除处理后，在源区和漏区的顶面形成金属硅化物层。本发明减少第一器件区靠近源区一侧的基底上的硅化物阻挡层的残留，优化了半导体器件的性能。半导体器件的性能。半导体器件的性能。


技术研发人员：武咏琴 卜伟海 任烨
受保护的技术使用者：北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司
技术研发日：2021.05.21
技术公布日：2022/11/22