MOS管电容版图及其形成方法、验证方法与流程

技术特征：
1.一种mos管电容版图，其特征在于，包括：工作层，所述工作层包括有源层、栅极层、位于所述栅极层一侧的源极层以及位于所述栅极层另一侧的漏极层，所述栅极层、所述源极层和所述漏极层均位于所述有源层的正上方；电容识别层，所述电容识别层至少覆盖所述工作层的部分区域。2.如权利要求1所述的mos管电容版图，其特征在于，所述电容识别层覆盖所述工作层的所有区域。3.如权利要求2所述的mos管电容版图，其特征在于，所述电容识别层包括：第一识别层，所述第一识别层与所述工作层的所有区域正对；第二识别层，所述第二识别层位于所述工作层的外围。4.如权利要求1或2所述的mos管电容版图，其特征在于，所述电容识别层为矩形。5.如权利要求4所述的mos管电容版图，其特征在于，所述电容识别层具有沿第一方向延伸的第一边界以及沿第二方向延伸的第二边界，所述第一方向垂直于所述第二方向，所述第二边界两端分别与一所述第一边界连接；所述第一边界与所述栅极层的边界齐平。6.如权利要求5所述的mos管电容版图，其特征在于，所述第二边界位于所述有源层的外围。7.如权利要求1所述的mos管电容版图，其特征在于，所述电容识别层为矩形，且所述电容识别层的宽长比与所述工作层对应的mos管的沟道宽长比相同。8.一种如权利要求1-7任一项所述的mos管电容版图的形成方法，其特征在于，包括：建立工作层，所述工作层包括有源层、栅极层、位于所述栅极层一侧的源极层以及位于所述栅极层另一侧的漏极层，所述栅极层、所述源极层和所述漏极层均位于所述有源层的正上方；建立电容识别层，所述电容识别层至少覆盖所述工作层的部分区域。9.如权利要求8所述的形成方法，其特征在于，建立所述电容识别层的方法包括：获取所述工作层对应的mos管电容的沟道宽长比；基于所述沟道宽长比，建立呈矩形的所述电容识别层，且所述矩形的宽长比与所述沟道宽长比相同。10.一种版图原理图一致性的验证方法，其特征在于，包括：构建mos管电容的等效总电容的等效电路图；构建至少2个如权利要求1-7任一项所述的mos管电容版图；基于所述电容识别层，识别出所有所述mos管电容版图；获取识别出的所有所述mos管电容版图对应的电容的实际总电容，并对所述实际总电容与所述等效总电容进行一致性验证。11.如权利要求10所述的验证方法，其特征在于，构建至少2个所述mos管电容版图的方法，包括：构建具有不同沟道宽长比的至少2个所述mos管电容版图。12.如权利要求11所述的验证方法，其特征在于，所述电容识别层为矩形，且所述电容识别层的宽长比与所述mos管电容版图对应的mos管的沟道宽长比相同；识别出所有所述mos管电容版图，包括：
识别每一所述mos管电容版图对应的所述电容识别层的所述宽长比，且将所述宽长比作为所述mos管电容版图对应的mos管的沟道宽长比。13.如权利要求11所述的验证方法，其特征在于，构建等效总电容的等效电路图的方法，包括：基于所述等效总电容，生成单个mos管，且所述mos管的栅极接工作电源，源极和漏极均接地。14.如权利要求10所述的验证方法，其特征在于，获取所述实际总电容的方法，包括：获取识别出的每一所述mos管电容版图的版图面积；基于每一所述版图面积，获取识别出的所有所述mos管电容版图的版图面积总和；基于所述版图面积总和以及标准电容，获取所述实际总电容，其中，所述标准电容为标准mos管电容版图对应的电容值，所述标准mos管电容版图具有的沟道宽长比为1。

技术总结
本申请实施例涉及半导体领域，特别涉及一种MOS管电容版图及其形成方法、验证方法，MOS管电容版图包括：工作层，所述工作层包括有源层、栅极层、位于所述栅极层一侧的源极层以及位于所述栅极层另一侧的漏极层，所述栅极层、所述源极层和所述漏极层均位于所述有源层的正上方；电容识别层，所述电容识别层至少覆盖所述工作层的部分区域。本申请实施例有利于提高LVS一致性验证的效率。高LVS一致性验证的效率。高LVS一致性验证的效率。


技术研发人员：汪配焕
受保护的技术使用者：长鑫存储技术有限公司
技术研发日：2021.08.16
技术公布日：2023/2/17