电子封装件及其制法的制作方法

技术特征：
1.一种电子封装件，其特征在于，包括：电子元件；电子结构，其设于该电子元件上且电性连接该电子元件，以令该电子元件与该电子结构作为芯片模块；至少一导电柱，其设于该电子元件上且电性连接该电子元件；以及包覆层，其形成于该电子元件上，以包覆该电子结构与该导电柱。2.如权利要求1所述的电子封装件，其特征在于，该电子结构经由多个导电凸块电性连接该电子元件。3.如权利要求2所述的电子封装件，其特征在于，该电子结构经由导电体结合该导电凸块。4.如权利要求1所述的电子封装件，其特征在于，该包覆层的表面齐平该导电柱的端面。5.如权利要求1所述的电子封装件，其特征在于，该导电柱的端面外露出该包覆层的表面。6.如权利要求1所述的电子封装件，其特征在于，该电子封装件还包括至少一形成于该包覆层上的导电元件，且令该导电元件电性连接该导电柱。7.如权利要求1所述的电子封装件，其特征在于，该电子封装件还包括形成于该包覆层上的线路结构，且令该线路结构电性连接该导电柱。8.如权利要求7所述的电子封装件，其特征在于，该电子封装件还包括至少一形成于该线路结构上的导电元件，且令该导电元件电性连接该线路结构。9.如权利要求7所述的电子封装件，其特征在于，该线路结构为单一金属层形式。10.如权利要求7所述的电子封装件，其特征在于，该线路结构接触该电子结构。11.如权利要求1所述的电子封装件，其特征在于，该电子封装件还包括覆盖该电子元件周围的封装层，以令该包覆层形成于该封装层上。12.一种电子封装件的制法，其特征在于，包括：将至少一电子结构与至少一导电柱设于一电子元件上，且使该电子元件电性连接该电子结构与该导电柱，以令该电子元件与该电子结构作为芯片模块；以及形成一包覆层于该电子元件上，以包覆该电子结构与该导电柱。13.如权利要求12所述的电子封装件的制法，其特征在于，该电子结构经由多个导电凸块电性连接该电子元件。14.如权利要求13所述的电子封装件的制法，其特征在于，该电子结构经由导电体结合该导电凸块。15.如权利要求12所述的电子封装件的制法，其特征在于，该包覆层的表面齐平该导电柱的端面。16.如权利要求12所述的电子封装件的制法，其特征在于，该导电柱的端面外露出该包覆层的表面。17.如权利要求12所述的电子封装件的制法，其特征在于，该制法还包括形成至少一导电元件于该包覆层上，且令该导电元件电性连接该导电柱。18.如权利要求12所述的电子封装件的制法，其特征在于，该制法还包括形成线路结构
于该包覆层上，且令该线路结构电性连接该导电柱。19.如权利要求18所述的电子封装件的制法，其特征在于，该制法还包括形成至少一导电元件于该线路结构上，且令该导电元件电性连接该线路结构。20.如权利要求18所述的电子封装件的制法，其特征在于，该线路结构为单一金属层形式。21.如权利要求18所述的电子封装件的制法，其特征在于，该线路结构接触该电子结构。22.如权利要求12所述的电子封装件的制法，其特征在于，该制法还包括先以封装层覆盖该电子元件周围，再将该包覆层形成于该封装层上，使该包覆层包覆该电子结构与该导电柱。

技术总结
本发明涉及一种电子封装件及其制法，包括将一横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)形式电子结构接置于一互补式金属氧化物半导体(CMOS)形式电子元件上，以整合成芯片模块，因而能缩短两者之间的电性传输路径，以加速两者间的电讯传递时间。间的电讯传递时间。间的电讯传递时间。


技术研发人员：符毅民 何祈庆 王愉博
受保护的技术使用者：矽品精密工业股份有限公司
技术研发日：2021.07.06
技术公布日：2022/12/8