晶片载置台的制作方法

技术特征：
1.一种晶片载置台，具备：陶瓷基材，其具有晶片载置面，内置有静电电极和加热器电极；第一冷却基材，其经由金属接合层而接合于所述陶瓷基材中的与所述晶片载置面相反侧的面上，具有能够切换第一制冷剂的供给和供给停止的第一制冷剂流路；以及第二冷却基材，其隔着能够供给传热气体的空间层而安装在所述第一冷却基材中的与所述金属接合层相反侧的面上，具有能够切换第二制冷剂的供给和供给停止的第二制冷剂流路。2.根据权利要求1所述的晶片载置台，其中，所述第一冷却基材和所述第二冷却基材中的至少一者兼作等离子体产生用电极。3.根据权利要求1或2所述的晶片载置台，其中，所述陶瓷基材与所述第一冷却基材的热膨胀系数差为1
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/k以下。4.根据权利要求1至3中任一项所述的晶片载置台，其中，所述空间层的厚度为0.05mm以上且2mm以下。5.根据权利要求1至4中任一项所述的晶片载置台，其中，所述空间层由配置于所述第一冷却基材与所述第二冷却基材之间的密封环划分。6.根据权利要求5所述的晶片载置台，其中，所述密封环是并用了金属环和树脂环的构件。7.根据权利要求5或6所述的晶片载置台，其中，在所述空间层设置有对所述空间层的厚度进行限制的间隔件。8.根据权利要求1至7中任一项所述的晶片载置台，其中，所述第一制冷剂流路与所述第二制冷剂流路相比，截面积小且流路长度长。

技术总结
本发明提供晶片载置台，能够兼顾在高温下对晶片进行处理和从晶片高效地进行散热。晶片载置台(10)具备陶瓷基材(20)、第一冷却基材(30)和第二冷却基材(50)。陶瓷基材(20)具有晶片载置面(22a)，内置有晶片吸附用电极(25)和加热器电极(26)。第一冷却基材(30)经由金属接合层(40)接合于陶瓷基材(20)中的与晶片载置面(22a)相反侧的面，具有能够切换第一制冷剂的供给和供给停止的第一制冷剂流路(31)。第二冷却基材(50)隔着能够供给传热气体的空间层(42)安装于第一冷却基材(30)中的与金属接合层(40)相反侧的面，具有能够切换第二制冷剂的供给和供给停止的第二制冷剂流路(51)。供给和供给停止的第二制冷剂流路(51)。供给和供给停止的第二制冷剂流路(51)。


技术研发人员：竹林央史 久野达也 井上靖也
受保护的技术使用者：日本碍子株式会社
技术研发日：2022.07.19
技术公布日：2023/2/17