半导体结构及其形成方法与流程

技术特征：
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底，所述衬底包括若干第一区以及位于相邻第一区之间的隔离区；位于所述第一区内的第一掺杂阱区；位于所述隔离区内的初始阱区，所述初始阱区的导电类型与第一掺杂阱区的导电类型相反；位于所述第一掺杂阱区内的第一隔离阱区，所述第一隔离阱区的导电类型与所述第一掺杂阱区的导电类型相反，所述第一隔离阱区边缘到初始阱区边缘的距离大于零且小于初始阱区宽度的一半，所述宽度为所述初始阱区沿平行于所述衬底方向且位于相邻第一区之间的尺寸。2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，各第一掺杂阱区内具有的第一隔离阱区的数量等于1。3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，各第一掺杂阱区内具有的第一隔离阱区的数量大于1。4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位于所述第一区上的横向扩散金属氧化物半导体晶体管。5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述横向扩散金属氧化物半导体晶体管包括：位于所述第一区上的第二掺杂阱区，所述第二掺杂阱区位于所述第一掺杂阱区远离初始阱区的一侧；横跨所述第一掺杂阱区和第二掺杂阱区的栅极氧化层以及位于栅极氧化层上的栅极结构；位于所述栅极结构两侧的源区和漏区，所述源区位于所述第二掺杂阱区内，所述漏区位于所述第一掺杂阱区内。6.如权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述第一掺杂阱区内具有n型导电离子；所述初始阱区内具有p型导电离子。7.如权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述第二掺杂阱区内具有p型导电离子。8.如权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述第一隔离阱区内具有p型导电离子。9.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一掺杂阱区的深度范围为8微米～10微米。10.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述初始阱区的宽度范围为5微米～10微米。11.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一隔离阱区边缘到初始阱区边缘的距离范围为2微米～5微米。12.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一隔离阱区的掺杂离子浓度与初始阱区的掺杂离子浓度相同或不同。13.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一隔离阱区的深度与初始阱区的深度相同或不同。14.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括若干第一区以及位于相邻第一区之间的隔离区；在所述第一区内形成第一掺杂阱区；
在所述隔离区内形成初始阱区，所述初始阱区的导电类型与第一掺杂阱区的导电类型相反；在所述第一掺杂阱区内形成第一隔离阱区，所述第一隔离阱区的导电类型与所述第一掺杂阱区的导电类型相反，所述第一隔离阱区边缘到初始阱区边缘的距离大于零且小于初始阱区宽度的一半，所述宽度为所述初始阱区沿平行于所述衬底方向且位于相邻第一区之间的尺寸。15.如权利要求14所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一隔离阱区边缘到初始阱区边缘的距离范围为2微米～5微米。16.如权利要求14所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一隔离阱区的掺杂离子浓度与初始阱区的掺杂离子浓度相同，所述第一隔离阱区的深度与初始阱区的深度相同，且所述第一隔离阱区与初始阱区同时形成。17.如权利要求14所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一隔离阱区的掺杂离子浓度与初始阱区的掺杂离子浓度不同，所述第一隔离阱区的深度与初始阱区的深度不同。18.如权利要求14所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，各第一掺杂阱区内具有的第一隔离阱区的数量等于1。19.如权利要求14所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，各第一掺杂阱区内具有的第一隔离阱区的数量大于1。20.如权利要求14所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：形成位于所述第一区上的横向扩散金属氧化物半导体晶体管。

技术总结
一种半导体结构及其形成方法，其中，半导体结构包括：衬底，所述衬底包括若干第一区以及位于相邻第一区之间的隔离区；位于所述第一区内的第一掺杂阱区；位于所述隔离区内的初始阱区，所述初始阱区的导电类型与第一掺杂阱区的导电类型相反；位于所述第一掺杂阱区内的第一隔离阱区，所述第一隔离阱区的导电类型与所述第一掺杂阱区的导电类型相反，所述第一隔离阱区边缘到初始阱区边缘的距离大于零且小于初始阱区宽度的一半，所述宽度为所述初始阱区沿平行于所述衬底方向且位于相邻第一区之间的尺寸。所述半导体结构及其形成方法提升了晶体管器件中不同区域的电隔离效果，改善了器件稳定性。稳定性。稳定性。


技术研发人员：刘冬华
受保护的技术使用者：上海华虹宏力半导体制造有限公司
技术研发日：2022.10.28
技术公布日：2023/2/3