半导体封装件的制作方法

技术特征：
1.一种半导体封装件，包括：彼此电连接的第一装置和第二装置，其中，所述第一装置包括衬底、形成在所述衬底的上侧的第一焊盘和形成在所述衬底的上侧并且形成为包围所述第一焊盘的钝化膜，所述第二装置包括布置为面对所述第一焊盘的第二焊盘，并且所述第一焊盘包括具有第一弹性模量的中心焊盘和具有小于所述第一弹性模量的第二弹性模量的边缘焊盘，所述边缘焊盘形成为包围所述中心焊盘并接触所述钝化膜。2.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述边缘焊盘在所述中心焊盘与所述钝化膜之间在水平方向上的宽度为1μm或更大且10μm或更小。3.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述第一焊盘和所述第二焊盘彼此接触。4.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述第一焊盘和所述第二焊盘通过焊料凸块彼此电连接。5.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述中心焊盘的上侧和所述边缘焊盘的上侧位于相同平面上。6.根据权利要求5所述的半导体封装件，其中，所述钝化膜的上侧与所述中心焊盘的上侧和所述边缘焊盘的上侧位于相同平面上。7.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述中心焊盘包括导电材料，并且所述边缘焊盘包括绝缘材料。8.根据权利要求7所述的半导体封装件，其中，所述边缘焊盘包括基于氧化物的绝缘材料，并且所述钝化膜包括基于氮化物的绝缘材料。9.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述边缘焊盘包括与所述中心焊盘接触的内侧和与所述内侧相对的外侧，并且所述外侧的形状是圆形、四边形、三角形或六边形。10.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，在截面中，所述边缘焊盘包括分别置于所述中心焊盘的一侧和另一侧的第一边缘焊盘和第二边缘焊盘，并且所述第一边缘焊盘的宽度与所述第二边缘焊盘的宽度不同。11.根据权利要求10所述的半导体封装件，还包括：焊料凸块，其将所述第一焊盘和所述第二焊盘电连接，所述第一边缘焊盘在竖直方向上与所述焊料凸块完全重叠，并且所述第二边缘焊盘包括在所述竖直方向上不与所述焊料凸块重叠的部分。12.一种半导体封装件，包括：插入件衬底；以及半导体芯片，其安装在所述插入件衬底上，并且电连接至所述插入件衬底，其中，所述插入件衬底包括：插入件，钝化膜，其接触所述插入件的上侧，插入件焊盘，其穿过所述钝化膜并且电连接至所述插入件内部的再分布层，以及
应力松弛焊盘，其穿过所述钝化膜并且包围所述插入件焊盘，并且其中，所述插入件焊盘的上侧与所述应力松弛焊盘的上侧位于相同平面上。13.根据权利要求12所述的半导体封装件，其中，所述应力松弛焊盘的宽度为1μm或更大且10μm或更小。14.根据权利要求12所述的半导体封装件，其中，所述应力松弛焊盘的弹性模量大于15gpa且小于117gpa。15.根据权利要求12所述的半导体封装件，其中，所述应力松弛焊盘的热膨胀系数为1ppm/k或更大且17ppm/k或更小。16.根据权利要求12所述的半导体封装件，其中，所述应力松弛焊盘包括接触所述插入件焊盘的内侧和与所述内侧相对的外侧，所述外侧的形状为圆形、四边形、三角形或六边形。17.一种半导体封装件，包括：电路板；所述电路板上的插入件衬底；以及安装在所述插入件衬底上并且电连接至所述插入件衬底的逻辑半导体芯片和存储器半导体芯片，其中，所述插入件衬底包括：插入件，插入件焊盘，其置于所述插入件的上侧并且包括导电材料，应力松弛焊盘，其置于所述插入件的上侧、包围所述插入件焊盘的周边、并且包括绝缘材料，以及钝化膜，其在所述插入件的上侧包围所述应力松弛焊盘的周边，其中，所述应力松弛焊盘的宽度为1μm或更大且10μm或更小。18.根据权利要求17所述的半导体封装件，其中，所述逻辑半导体芯片和所述存储器半导体芯片在水平方向上彼此间隔开，并且所述半导体封装件还包括置于所述逻辑半导体芯片与所述存储器半导体芯片之间的模制构件。19.根据权利要求18所述的半导体封装件，其中，所述插入件衬底包括电连接至所述逻辑半导体芯片的第一插入件焊盘和电连接至所述存储器半导体芯片的第二插入件焊盘，并且所述第一插入件焊盘或所述第二插入件焊盘不被应力松弛焊盘包围。20.根据权利要求17所述的半导体封装件，其中，所述逻辑半导体芯片和所述存储器半导体芯片在竖直方向上彼此间隔开，并且所述逻辑半导体芯片置于所述插入件衬底与所述存储器半导体芯片之间。

技术总结
本公开提供了一种能够提高性能和可靠性的半导体封装件。本公开的半导体封装件包括彼此电连接的第一装置和第二装置，第一装置包括衬底、形成在衬底的上侧的第一焊盘和形成在衬底的上侧并且形成为包围第一焊盘的钝化膜，第二装置包括布置为面对第一焊盘的第二焊盘，并且第一焊盘包括具有第一弹性模量的中心焊盘和具有小于第一弹性模量的第二弹性模量的边缘焊盘，边缘焊盘形成为包围中心焊盘并且接触钝化膜。钝化膜。钝化膜。


技术研发人员：卢炯均 柳根豪 裴相友 裴真秀 崔德瑄 崔镒朱
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
技术研发日：2022.07.21
技术公布日：2023/2/6