半导体装置的制造方法与流程

技术特征：
1.一种半导体装置的制造方法，包括：提供牺牲衬底；在所述牺牲衬底上形成外延层；在所述外延层上形成刻蚀终止层；将碳原子植入所述刻蚀终止层中；在所述刻蚀终止层上形成顶盖层以及元件层；将处置衬底接合到所述元件层；以及从所述处置衬底移除所述牺牲衬底、所述外延层以及具有所述碳原子的所述刻蚀终止层。2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，还包括形成覆盖所述牺牲衬底的侧壁以及底表面的氧化物层。3.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中在所述外延层上形成所述刻蚀终止层包括在所述外延层上沉积sige:b层。4.一种半导体装置的制造方法，包括：提供牺牲衬底；在所述牺牲衬底上形成刻蚀终止层；氧化所述刻蚀终止层的一部分以在所述牺牲衬底与剩余的所述刻蚀终止层之间形成氧化物层；在所述剩余的所述刻蚀终止层上形成顶盖层；执行第一刻蚀工艺以移除所述牺牲衬底；执行第二刻蚀工艺以移除所述氧化物层；以及执行第三刻蚀工艺以移除所述剩余的所述刻蚀终止层，其中所述第一刻蚀工艺、所述第二刻蚀工艺以及所述第三刻蚀工艺的刻蚀剂不同。5.根据权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其中所述刻蚀终止层由sige形成且所述氧化物层由sio2形成。6.根据权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其中所述第一刻蚀工艺的所述刻蚀剂包括四甲基氢氧化铵，所述第二刻蚀工艺的所述刻蚀剂包括稀释的氢氟酸，且所述第三刻蚀工艺的所述刻蚀剂包括氢氟酸、过氧化氢和乙酸的组合。7.一种半导体装置的制造方法，包括：提供牺牲衬底；在所述牺牲衬底上形成刻蚀终止层；将氧原子植入所述刻蚀终止层中；执行热退火工艺以将所述刻蚀终止层的下部转换为氧化物层；在所述刻蚀终止层上形成顶盖层；在所述顶盖层上形成元件层；将处置衬底接合到所述元件层；以及从所述处置衬底移除所述牺牲衬底、所述氧化物层以及所述刻蚀终止层。8.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其中所述氧化物层形成在所述牺牲衬底与所述刻蚀终止层之间。
9.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其中所述氧原子的掺杂浓度介于约1x10
17
cm-3
到约3x10
17
cm-3
的范围。10.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其中所述热退火工艺在约1200℃至约1300℃范围内的温度下进行。

技术总结
一种半导体装置的制造方法至少包括以下步骤。提供牺牲衬底。在牺牲衬底上形成外延层。在外延层上形成刻蚀终止层。将碳原子植入到刻蚀终止层中。在刻蚀终止层上形成顶盖层以及元件层。将处置衬底接合到元件层。从处置衬底移除牺牲衬底、外延层以及具有碳原子的刻蚀终止层。层。层。


技术研发人员：陈祈铭 陈奎铭 刘柏均 喻中一 蔡嘉雄
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2022.02.18
技术公布日：2022/12/22