半导体结构及其制备方法与流程

技术特征：
1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供衬底，所述衬底的上表面形成有牺牲氧化层，所述衬底内形成有浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构自所述衬底内向上延伸，具有凸出于所述衬底上的凸出部；所述浅沟槽隔离结构于所述衬底内隔离出多个间隔排布的有源区；去除所述牺牲氧化层；于所述凸出部的侧壁形成介质层；形成栅氧化层，所述栅氧化层覆盖所述有源区的上表面；形成栅极材料层，所述栅极材料层覆盖所述栅氧化层的上表面、所述介质层裸露的表面及所述凸出部的顶面。2.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述去除所述牺牲氧化层之后，所述凸出部的下部侧壁形成有凹槽；所述介质层覆盖所述凸出部的侧壁且填满所述凹槽。3.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述于所述凸出部的侧壁形成介质层包括：形成第一介质材料层，所述第一介质材料层覆盖所述有源区的上表面、所述凸出部的侧壁及所述凸出部的顶面；刻蚀减薄所述第一介质材料层，以形成第二介质材料层；去除位于所述有源区上表面及所述凸出部顶面的所述第二介质材料层，保留于所述凸出部侧壁的所述第二介质材料层即为所述介质层。4.根据权利要求3所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，采用干法刻蚀工艺刻蚀减薄所述第一介质材料层；采用湿法刻蚀工艺去除位于所述衬底上表面及所述凸出部顶面的所述第二介质材料层。5.根据权利要求3所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，刻蚀减薄所述第一介质材料层的过程中，刻蚀去除的所述第一介质材料层的厚度大于所述第二介质材料层的厚度。6.根据权利要求5所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述第一介质材料层的厚度范围包括：500埃～550埃；所述第二介质材料层的厚度范围包括：100埃～120埃。7.根据权利要求3所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，位于所述凸出部侧壁的第二介质材料层的厚度大于位于所述衬底上表面及凸出部顶面的第二介质材料层的厚度。8.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，采用湿法刻蚀工艺去除所述牺牲氧化层。9.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述介质层与所述栅氧化层相接触。10.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底，所述衬底内具有浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构自所述衬底内向上延伸，具有凸出于所述衬底上的凸出部；所述浅沟槽隔离结构于所述衬底内隔离出多个间隔排布的有源区；介质层，所述介质层覆盖所述凸出部的侧壁；栅氧化层，所述栅氧化层覆盖所述有源区的上表面；
栅极材料层，所述栅极材料层覆盖所述栅氧化层的上表面、所述介质层裸露的表面及所述凸出部的顶面。11.根据权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，所述介质层与所述栅氧化层相接触。12.根据权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，所述介质层的厚度范围包括：100埃～120埃。13.根据权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，所述介质层包括氧化硅层。

技术总结
本公开涉及一种半导体结构及其制备方法。一种半导体结构的制备方法，包括以下步骤：提供衬底，衬底的上表面形成有牺牲氧化层，衬底内形成有浅沟槽隔离结构，浅沟槽隔离结构自衬底内向上延伸，具有凸出于衬底上的凸出部；浅沟槽隔离结构于衬底内隔离出多个间隔排布的有源区；去除牺牲氧化层；于凸出部的侧壁形成介质层；形成栅氧化层，栅氧化层覆盖有源区的上表面；形成栅极材料层，栅极材料层覆盖栅氧化层的上表面、介质层裸露的表面及凸出部的顶面。上述半导体结构的制备方法，在凸出部的侧壁形成介质层，以有效提高有源区角上的栅氧化层厚度，从而解决栅氧化层不均匀问题，进而提高半导体器件的可靠性，降低芯片的失效率。降低芯片的失效率。降低芯片的失效率。


技术研发人员：廖黎明 仇峰 张蔷 张炜虎
受保护的技术使用者：上海积塔半导体有限公司
技术研发日：2022.10.09
技术公布日：2022/12/9