半导体装置的制作方法

技术特征：
1.一种半导体装置，具备：第1电极；第2电极，从所述第1电极向所述第2电极的方向沿着第1方向；第3电极，所述第3电极的所述第1方向上的位置处于所述第1电极的所述第1方向上的位置与所述第2电极的所述第1方向上的位置之间；第1半导体区域，包含al
x1
ga
1-x1
n，所述第1半导体区域包括第1部分区域、第2部分区域、第3部分区域、第4部分区域、第5部分区域及第6部分区域，从所述第1部分区域向所述第1电极的方向、从所述第2部分区域向所述第2电极的方向及从所述第3部分区域向所述第3电极的方向沿着与所述第1方向交叉的第2方向，所述第4部分区域在所述第1方向上处于所述第1部分区域与所述第3部分区域之间，所述第5部分区域在所述第1方向上处于所述第3部分区域与所述第2部分区域之间，所述第6部分区域在所述第1方向上处于所述第5部分区域与所述第2部分区域之间，其中0≤x1<1；第2半导体区域，包含al
x2
ga
1-x2
n，所述第2半导体区域包括第1半导体部分、第2半导体部分及第3半导体部分，从所述第4部分区域向所述第1半导体部分的方向沿着所述第2方向，其中0<x2≤1、x1<x2；第1导电部件，所述第1导电部件与所述第1电极及所述第3电极中的第1的一个电极电连接或者所述第1导电部件能够与所述第1的一个电极电连接，所述第1导电部件包括所述第1方向上的第1导电端部，所述第1导电端部的所述第1方向上的位置处于所述第3电极的所述第1方向上的所述位置与所述第2电极的所述第1方向上的位置之间；以及绝缘部件，所述绝缘部件包括第1氮化物区域及第2氮化物区域，所述第2半导体部分在所述第2方向上处于所述第5部分区域与所述第1氮化物区域之间，所述第3半导体部分在所述第2方向上处于所述第6部分区域与所述第2氮化物区域之间，所述第1氮化物区域包含硅及氮，所述第2氮化物区域包含硅及氮，所述第1氮化物区域中的硅的浓度相对氮的浓度的第1比低于所述第2氮化物区域中的硅的浓度相对氮的浓度的第2比，所述第1氮化物区域包括第1氮化物端部，所述第1氮化物端部与所述第2半导体区域相接，在所述第1方向上与所述第2氮化物区域对置，所述第1氮化物端部的所述第1方向上的位置处于所述第1导电端部的所述第1方向上的所述位置与所述第2电极的所述第1方向上的所述位置之间。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第1比低于0.75。3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述第2比是0.75以上且0.96以下。4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第2氮化物区域的至少一部分在所述第2方向上处于所述第3半导体部分与所述第1氮化物区域的一部分之间。5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第1氮化物区域的至少一部分在所述第2方向上处于所述第2半导体部分与所述第2氮化物区域的一部分之间。6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第1氮化物区域的一部分在所述第2方向上处于所述第2半导体区域与所述第3电
极之间。7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第1氮化物区域的一部分处于所述第3部分区域与所述第3电极之间。8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述绝缘部件包括包含第1绝缘区域的第1绝缘膜，所述第1绝缘区域设置于所述第3部分区域与所述第3电极之间，所述第1绝缘膜包含硅和氧，所述第1绝缘膜不包含氮或者所述第1绝缘膜中的氮的浓度低于所述第2氮化物区域中的氮的浓度。9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，还具备第2导电部件，所述第2导电部件与所述第1电极以及所述第3电极中的第2的一个电极电连接或者所述第2导电部件能够与所述第2的一个电极电连接，所述第2导电部件包括所述第1方向上的第2导电端部，所述第2导电端部的所述第1方向上的位置处于所述第3电极的所述第1方向上的所述位置与所述第1导电端部的所述第1方向上的所述位置之间。10.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，还具备第3导电部件，所述第3导电部件与所述第2电极电连接或者所述第3导电部件能够与所述第2电极电连接，所述第3导电部件包括所述第1方向上的第3导电端部，所述第1氮化物端部的所述第1方向上的位置处于所述第1导电端部的所述第1方向上的所述位置与所述第3导电端部的所述第1方向上的所述位置之间。11.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述绝缘部件还具备第3氮化物区域，所述第2氮化物区域的至少一部分在所述第1方向上处于所述第1氮化物区域的至少一部分与所述第3氮化物区域的至少一部分之间，所述第3氮化物区域包含硅以及氮，所述第3氮化物区域中的硅的浓度相对氮的浓度的第3比高于所述第2比。

技术总结
本发明提供半导体装置。能够使特性稳定化。根据实施方式，半导体装置包括第1电极、第2电极、第3电极、第1半导体区域、第2半导体区域、第1导电部件以及绝缘部件。第3电极的第1方向上的位置处于第1电极的第1方向上的位置与第2电极的第1方向上的位置之间。绝缘部件包括第1氮化物区域以及第2氮化物区域。第1氮化物区域中的硅的浓度相对氮的浓度的第1比低于第2氮化物区域中的硅的浓度相对氮的浓度的第2比。第1氮化物区域包括第1氮化物端部。第1氮化物端部与第2半导体区域相接，在第1方向上与第2氮化物区域对置。第1氮化物端部的第1方向上的位置处于第1导电端部的第1方向上的位置与第2电极的第1方向上的位置之间。电极的第1方向上的位置之间。电极的第1方向上的位置之间。


技术研发人员：新留彩 梶原瑛祐 藏口雅彦
受保护的技术使用者：株式会社东芝
技术研发日：2022.01.28
技术公布日：2022/12/8