阵列基板及其制备方法、显示面板与流程

技术特征：
1.一种阵列基板，包括显示区和位于所述显示区至少一侧的非显示区，所述非显示区包括栅极驱动器，所述栅极驱动器包括在衬底基板上依次形成的栅绝缘层、半导体层、第二金属层及钝化层，其中，所述第二金属层包括间隔分布的多条金属走线，其特征在于，所述阵列基板还包括贯穿所述钝化层和所述半导体层的过孔，且所述过孔在所述衬底基板上的正投影位于相邻的两条所述金属走线在所述衬底基板上的正投影之间。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述过孔为长条形孔，且所述过孔沿所述金属走线的长度方向延伸。3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述过孔的长度至少大于或者等于相邻的两条所述金属走线中沿延长方向的长度最短的一者的长度。4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括导电层，所述导电层位于所述钝化层背离所述衬底基板的一侧，且所述导电层覆盖所述过孔的内壁。5.一种如权利要求1至4任一项所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：在衬底基板上依次形成栅绝缘层、半导体层、第二金属层及钝化层，其中，所述第二金属层包括间隔分布的多条金属走线；在所述钝化层上涂布光阻层，采用掩膜板对所述光阻层曝光、显影，以形成光阻图案，所述光阻图案包括在待形成的过孔的位置形成的完全曝光区域以及在其余位置形成未曝光区域；以所述光阻图案为遮挡对所述半导体层进行干法刻蚀，使得所述过孔还贯穿所述半导体层，且所述过孔在所述衬底基板上的正投影位于相邻的两条所述金属走线在所述衬底基板上的正投影之间；剥离掉剩余的所述光阻图案。6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述过孔为长条形孔，且所述过孔沿所述金属走线的长度方向延伸。7.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述过孔的长度至少大于或者等于相邻的两条所述金属走线中沿延长方向的长度最短的一者的长度。8.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，还包括：在所述钝化层背离所述衬底基板的一侧形成导电层，所述导电层至少覆盖所述过孔的内壁。9.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述干法刻蚀采用氧气、氯气和氟化气中的任一者进行刻蚀。10.一种显示面板，其特征在于，包括：阵列基板，采用如权利要求5至9任一项所述的阵列基板的制备方法制备而成；彩膜基板，与所述阵列基板相对设置；以及液晶层，设置于所述阵列基板与所述彩膜基板之间。

技术总结
本申请涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板。该阵列基板包括显示区和位于显示区至少一侧的非显示区，非显示区包括栅极驱动器，栅极驱动器包括在衬底基板上依次形成的栅绝缘层、半导体层、第二金属层及钝化层，其中，第二金属层包括间隔分布的多条金属走线，阵列基板还包括贯穿钝化层与半导体层的过孔，且过孔在衬底基板上的正投影位于相邻的两条金属走线在衬底基板上的正投影之间。本申请可以改善4道光罩制程下非显示区的栅极驱动器的半导体层蚀刻不净的残留问题，提高产品良率。提高产品良率。提高产品良率。


技术研发人员：黄世帅 李荣荣
受保护的技术使用者：惠科股份有限公司
技术研发日：2022.09.26
技术公布日：2022/12/19