一个具有抵抗射频信号干扰的红外接收芯片电路的制作方法

技术特征：
1.一个具有抵抗射频信号干扰的红外接收芯片电路，其特征在于，包括红外接收芯片(1)和红外线感应二极管(2)，红外接收芯片(1)与红外线感应二极管(2)连接，所述的红外接收芯片(1)包括有电流-电压变换电路(101)、前置放大器(102)、自动增益放大器(103)、增益限制放大器(104)、带通滤波器(105)、比较器(106)、积分整形器(107)、噪声检测和增益控制模块(108)、第一nmos管(m1)、第一电阻(r1)，红外线感应二极管(2)与电流-电压变换电路(101)的输入端连接，电流-电压变换电路(101)的输出端与前置放大器(102)的输入端相连，前置放大器(102)的输出端与自动增益放大器(103)的输入端相连，自动增益放大器(103)的输出端与增益限制放大器(104)的输入端相连，增益限制放大器(104)的输出端连接带通滤波器(105)的输入端，带通滤波器(105)的输出端与比较器(106)的输入端相连，比较器(106)的输出端分别与积分整形器(107)、噪声检测和增益控制模块(108)的输入端连接，噪声检测和增益控制模块(108)的输出端接至自动增益放大器(103)；所述的积分整形器(107)的输出端与第一nmos管(m1)的栅极，第一nmos管(m1)的漏极连接红外接收芯片(1)的out端口，第一nmos管(m1)的漏极还与第一电阻(r1)的一端相连，第一电阻(r1)的另一端连接红外接收芯片(1)的电源vcc端口，第一nmos管(m1)的源极连接红外接收芯片(1)的gnd端口。2.根据权利要求1所述的一个具有抵抗射频信号干扰的红外接收芯片电路，其特征在于，所述的增益限制放大器(104)包括有第一pmos管(m2)、第二pmos管(m3)、第二nmos管(m4)、第三nmos管(m5)、第四nmos管(m6)、电容(c1)和第二电阻(r2)，第一pmos管(m2)的源极、第二pmos管(m3)的源极、第四nmos管(m6)的漏极均连接至自动增益放大器(103)的正输出端，第一pmos管(m2)的栅极与漏极、第二pmos管(m3)的栅极、第二nmos管(m4)的栅极均连接至第二nmos管(m4)的漏极，第二pmos管(m3)的漏极分别与第三nmos管(m5)的栅极及漏极连接，第三nmos管(m5)的漏极连接第二电阻(r2)至第四nmos管(m6)的栅极，第四nmos管(m6)的栅极还与电容(c1)的正极端相连，电容(c1)的负极端、第四nmos管(m6)的源极、第二nmos管(m4)的源极、第三nmos管(m5)的源极均连接至自动增益放大器(103)的负输出端。

技术总结
本实用新型公开了一个具有抵抗射频信号干扰的红外接收芯片电路，它涉及红外接收芯片技术领域。红外线感应二极管与电流-电压变换电路的输入端连接，电流-电压变换电路、前置放大器、自动增益放大器、增益限制放大器、带通滤波器、比较器依次连接，比较器分别与积分整形器、噪声检测和增益控制模块连接，噪声检测和增益控制模块的输出端接至自动增益放大器；积分整形器的输出端与第一NMOS管的栅极连接，第一NMOS管的漏极连接芯片OUT端口。本实用新型减少芯片增益放大链路因波形失真而产生的低频噪声干扰分量，使得该系统在带通滤波器输入端不会因外部强射频干扰信号而产生波形饱和失真，避免输出错误信号，应用前景广阔。应用前景广阔。应用前景广阔。


技术研发人员：冉启海 王明江
受保护的技术使用者：深圳市宇思半导体有限公司
技术研发日：2022.08.29
技术公布日：2022/12/13