半导体器件及其制备方法与流程

技术特征：
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底；第一栅极结构，所述第一栅极结构形成于所述衬底上；第二栅极结构，所述第二栅极结构形成于所述衬底上；且在第一方向上，所述第二栅极结构的一端与所述第一栅极结构的一端相对设置；以及，所述第一栅极结构的一端超出第一初始位置，并延伸至第一位置；相对的所述第二栅极结构的一端远离第二初始位置，并缩短至第二位置；其中，所述第一初始位置与所述第二初始位置的间距等于所述第一位置与所述第二位置的间距；层间介质层，所述层间介质层覆盖所述衬底表面、所述第一栅极结构表面和所述第二栅极结构表面；共享插塞，所述共享插塞贯穿所述层间介质层，且具有相连的第一延伸端和第二延伸端，所述第一延伸端与所述第二栅极结构相接，所述第二延伸端与位于所述第二栅极结构的侧边的所述衬底相接；其中，所述第一延伸端和所述第二延伸端之间间隔有所述层间介质层。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，在所述第一方向上，所述第一初始位置与所述第二初始位置的间距大于所述第一位置与所述第二初始位置的间距；以及，所述第一初始位置与所述第二初始位置的间距小于所述第一初始位置与所述第二位置的间距。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述相对的所述第二栅极结构的一端沿第二方向延伸，且所述第一方向与所述第二方向相互垂直。4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述第一延伸端与沿所述第二方向延伸的所述第二栅极结构的一端相接。5.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述第一栅极结构和所述第二栅极结构的两侧的所述衬底内均设置有至少一个源极和至少一个漏极；其中，沿所述第二方向延伸的所述第二栅极结构的一端的侧边的所述衬底内形成有所述漏极，且与所述第二延伸端相接。6.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，位于所述第一延伸端和所述第二延伸端之间的所述层间介质层至少覆盖部分沿所述第二方向延伸的所述第二栅极结构的一端。7.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：提供一衬底；形成栅极材料层；所述栅极材料层覆盖所述衬底表面；刻蚀所述栅极材料层，并形成第一栅极结构和第二栅极结构；其中，在第一方向上，所述第一栅极结构的一端与所述第二栅极结构的一端相对设置；以及，所述第一栅极结构的一端超出第一初始位置，并延伸至第一位置；相对的所述第二栅极结构的一端远离第二初始位置，并缩短至第二位置；且所述第一初始位置与所述第二初始位置的间距等于所述第一位置与所述第二位置的间距；形成层间介质层，所述层间介质层覆盖于所述衬底表面、所述第一栅极结构表面和所述第二栅极结构表面；
形成共享接触孔，所述共享接触孔贯穿所述层间介质层，且具有相连的第一延伸孔和第二延伸孔，所述第一延伸孔暴露部分所述第二栅极结构表面，所述第二延伸孔暴露位于所述第二栅极结构的侧边的部分所述衬底表面；其中，所述第一延伸孔和所述第二延伸孔之间间隔有所述层间介质层；填充所述共享接触孔，以形成共享插塞。8.根据权利要求7所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，相对的所述第二栅极结构的一端沿第二方向延伸，且所述第一方向与所述第二方向相互垂直。9.根据权利要求8所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，形成所述共享接触孔的过程包括：形成图案化光刻胶层，所述图案化光刻胶层覆盖于所述层间介质层表面，且所述图案化光刻胶层至少具有第一开口和第二开口，所述第一开口与沿所述第二方向延伸的所述第二栅极结构的一端相对，所述第二开口与沿所述第二方向延伸的所述第二栅极结构的一端的侧边的所述衬底相对；以所述图案化光刻胶层为阻挡，刻蚀所述层间介质层，以至少形成所述共享接触孔；其中，所述第一开口朝向所述第二栅极结构延伸，以形成所述第一延伸孔，所述第二开口朝向所述第二栅极结构的侧边的所述衬底延伸，以形成所述第二延伸孔。10.根据权利要求9所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述第一开口和所述第二开口之间间隔有光刻胶，且间隔的所述光刻胶的厚度小于所述图案化光刻胶层的平均厚度，以使所述第一开口和所述第二开口的顶部相连通。11.根据权利要求8所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，位于所述第一延伸孔和所述第二延伸孔之间的所述层间介质层至少覆盖部分沿所述第二方向延伸的所述第二栅极结构的一端。12.根据权利要求8所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，在形成所述第一栅极结构和所述第二栅极结构之后，且在形成所述层间介质层之前，多次执行离子注入工艺，以在所述第一栅极结构和所述第二栅极结构的两侧的所述衬底内分别形成至少一个源极和至少一个漏极；其中，沿所述第二方向延伸的所述第二栅极结构的一端的侧边的所述衬底内形成有所述漏极，且所述第二延伸孔暴露出部分所述漏极。

技术总结
本发明提供一种半导体器件及其制备方法。其中，半导体器件包括衬底、第一栅极结构、第二栅极结构、层间介质层和共享插塞；在第一方向上第一栅极结构的一端超出第一初始位置并延伸至第一位置，以通过延长第一栅极结构的长度来确保第一栅极结构的端盖形貌符合设定标准，提高器件性能。以及，共享插塞的第一延伸端与第二栅极结构相接，第二延伸端与位于第二栅极结构的一侧的衬底相接；第一延伸端和第二延伸端之间间隔有层间介质层，用于保护第二栅极结构，避免其被侵蚀而导致的漏电流问题。在制备方法中，通过特定的改进图案化光刻胶层，仅采用一步刻蚀工艺即实现制备共享接触孔，无需多次反复显影以及填充刻蚀，工艺制备简单，有助于提高制备效率。于提高制备效率。于提高制备效率。


技术研发人员：宋富冉 周儒领 韩飘飘 伯秀秀 晋华东
受保护的技术使用者：合肥晶合集成电路股份有限公司
技术研发日：2022.10.26
技术公布日：2022/11/25