半导体装置的制作方法

技术特征：
1.一种半导体装置，其特征在于包括：衬底；多个存储节点焊盘，设置在所述衬底上；支撑结构，设置在所述衬底上，所述支撑结构包括由下而上依序设置的第一支撑层以及第二支撑层；以及电容结构，设置在所述衬底上，所述电容结构包括依序堆迭的底电极层、电容电介质层、以及顶电极层，其中，所述底电极层包括具有对称柱状结构的第一底电极层、以及具有不对称柱状结构的第二底电极层，所述第一底电极层以及所述第二底电极层分别具有朝着水平方向延伸的至少一水平延伸部。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述至少一水平延伸部的底面切齐于所述第二支撑层的底面。3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述至少一水平延伸部的底面直接接触所述电容电介质层。4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，部分的所述电容电介质层夹设于所述第二支撑层与所述底电极层之间。5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，所述部分的所述电容电介质层位在所述至少一水平延伸部下方。6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，空气间隙夹设于所述第二支撑层与各所述底电极层之间，所述空气间隙位在所述至少一水平延伸部下方。7.一种半导体装置，其特征在于包括：衬底；多个存储节点焊盘，设置在所述衬底上；支撑结构，设置在所述衬底上，所述支撑结构包括由下而上依序设置的第一支撑层以及第二支撑层；以及电容结构，设置在所述衬底上，所述电容结构包括依序堆迭的底电极层、电容电介质层、以及顶电极层，其中，各所述底电极层包括不对称的两相对侧壁，所述两相对侧壁中的其中一侧壁于垂直所述衬底的方向上延伸至所述第一支撑层的下方。8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，所述两相对侧壁分别具有均匀或不均匀的凹陷。9.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，所述两相对侧壁于垂直所述衬底的所述方向上分别具有不同的延伸长度。

技术总结
本实用新型公开了半导体装置，包括衬底、存储节点焊盘、支撑结构、电容结构以及绝缘填充层。存储节点焊盘设置在衬底上。支撑结构设置在衬底上，并包括由下而上依序设置的第一支撑层以及第二支撑层。电容结构设置在衬底上，并包括依序堆迭的底电极层、电容电介质层以及顶电极层，其中，底电极层包括具有对称柱状结构的第一底电极层、以及具有不对称柱状结构的第二底电极层，第一底电极层以及第二底电极层分别具有朝着水平方向延伸的至少一水平延伸部，藉此，底电极层可更为稳固地设置于支撑结构上，达到更为优化的功能与效果。达到更为优化的功能与效果。达到更为优化的功能与效果。


技术研发人员：童宇诚 张钦福
受保护的技术使用者：福建省晋华集成电路有限公司
技术研发日：2022.06.22
技术公布日：2022/12/1