叠层体的制作方法

技术特征：
1.一种叠层体，其特征在于：含有氟聚合物层，所述氟聚合物包含式(1)所示的单体单元作为主要成分，式中，r1～r4分别独立地为氟原子、氟代烷基或氟代烷氧基。2.如权利要求1所述的叠层体，其特征在于：所述氟聚合物还包含氟代烯烃单元。3.如权利要求2所述的叠层体，其特征在于：所述氟代烯烃单元为选自含氟全卤烯烃单元、偏氟乙烯单元、三氟乙烯单元、五氟丙烯单元和1,1,1,2－四氟－2－丙烯单元中的至少1种。4.如权利要求3所述的叠层体，其特征在于：所述含氟全卤烯烃单元为选自氯三氟乙烯单元、四氟乙烯单元、六氟丙烯单元、全氟(甲基乙烯基醚)单元、全氟(乙基乙烯基醚)单元、全氟(丙基乙烯基醚)单元、全氟(丁基乙烯基醚)单元和全氟(2,2－二甲基－1,3－二氧杂环戊烯)单元中的至少1种。5.如权利要求2所述的叠层体，其特征在于：所述氟代烯烃单元为选自氯三氟乙烯单元、四氟乙烯单元、六氟丙烯单元、全氟(甲基乙烯基醚)单元和全氟(丙基乙烯基醚)单元中的至少1种。6.如权利要求1～5中任一项所述的叠层体，其特征在于：所述氟聚合物层的平均厚度为10nm以上。7.如权利要求1～6中任一项所述的叠层体，其特征在于：构成叠层体的其他层为绝缘性层。8.如权利要求7所述的叠层体，其特征在于：绝缘性层为印刷基板。9.如权利要求7或8所述的叠层体，其特征在于：所述氟聚合物层为印刷基板用绝缘膜。10.如权利要求1～6中任一项所述的叠层体，其特征在于：构成叠层体的其他层为半导体基板。11.如权利要求10所述的叠层体，其特征在于：半导体基板为gan或gaas基板。12.如权利要求10或11所述的叠层体，其特征在于：所述氟聚合物层为半导体用绝缘膜。13.如权利要求1～6中任一项所述的叠层体，其特征在于：构成叠层体的其他层为丙烯酸系硬涂层、环氧系硬涂层、聚对苯二甲酸乙二醇酯层或
三乙酸纤维素层。14.如权利要求13所述的叠层体，其特征在于：所述氟聚合物层为显示器用保护膜。15.如权利要求1～6、13和14中任一项所述的叠层体，其特征在于：构成叠层体的其他层的全光线透射率为90％以上。16.如权利要求15所述的叠层体，其特征在于：所述其他层为光学玻璃或光学树脂。17.如权利要求1～6中任一项所述的叠层体，其特征在于：构成叠层体的其他层为发光元件搭载基板。18.如权利要求17所述的叠层体，其特征在于：所述氟聚合物层为发光元件密封层。19.如权利要求1～18中任一项所述的叠层体，其特征在于：构成叠层体的层的数量为2、3或4。20.如权利要求1～19中任一项所述的叠层体，其特征在于：所述氟聚合物层的压入硬度为250n/mm2以上且1000n/mm2以下。21.如权利要求1～20中任一项所述的叠层体，其特征在于：所述氟聚合物层的压入弹性模量为2.5gpa以上且10gpa以下。22.如权利要求1～21中任一项所述的叠层体，其特征在于：所述氟聚合物的玻璃化转变温度为110℃以上。23.如权利要求1～22中任一项所述的叠层体，其特征在于：所述氟聚合物层的6ghz的相对介电常数为1.5以上且2.5以下。24.如权利要求1～23中任一项所述的叠层体，其特征在于：所述氟聚合物层的6ghz的介质损耗角正切为0.00005以上且0.0002以下。25.一种涂布剂，其特征在于：其用于形成含有氟聚合物层的叠层体的氟聚合物层，所述涂布剂含有氟聚合物和质子惰性溶剂，所述氟聚合物包含式(1)所示的单体单元作为主要成分，式中，r1～r4分别独立地为氟原子、氟代烷基或氟代烷氧基。26.如权利要求25所述的涂布剂，其特征在于：所述氟聚合物的含量相对于涂布剂总质量为20质量％以上且65质量％以下。27.如权利要求25或26所述的涂布剂，其特征在于：所述质子惰性溶剂为选自全氟芳香族化合物、全氟三烷基胺、全氟烷烃、氢氟烃、全氟
环状醚、氢氟醚和含有至少一个氯原子的烯烃化合物中的至少1种的溶剂。28.如权利要求25～27中任一项所述的涂布剂，其特征在于：所述质子惰性溶剂为氢氟醚中的至少1种。

技术总结
本发明的一个目的在于，提供一种含有具有绝缘性、硬度或透明性的氟聚合物层的叠层体。本发明涉及一种叠层体，其含有氟聚合物层，上述氟聚合物包含式(1)：[式中，R1～R4分别独立地为氟原子、氟代烷基或氟代烷氧基。]所示的单体单元作为主要成分。体单元作为主要成分。体单元作为主要成分。


技术研发人员：田中义人 松浦诚 铃木悠希 尾形明俊 岸川洋介
受保护的技术使用者：大金工业株式会社
技术研发日：2021.01.06
技术公布日：2022/8/19