磁传感器的制作方法

技术特征：
1.一种磁传感器，其特征在于：具备：电阻值根据外部磁场而发生变化的磁阻效应元件；和支撑所述磁阻效应元件的支撑构件，所述支撑构件具有：与所述磁阻效应元件相对的相对面；和由配置在所述相对面的相反侧的平面构成的下表面，所述相对面包含相对于所述下表面倾斜的倾斜部分，作为所述磁传感器的截面，在与所述下表面垂直的特定的截面中，所述倾斜部分在所述倾斜部分上的第1位置相对于所述下表面形成第1角度而倾斜，并且所述倾斜部分在所述倾斜部分上的第2位置相对于所述下表面形成比所述第1角度小的第2角度而倾斜，所述第1位置处的所述倾斜部分的曲率的绝对值，小于所述第2位置处的所述倾斜部分的曲率的绝对值，所述磁阻效应元件，具有位于所述磁阻效应元件的宽度方向的两端的第1端部和第2端部，以在所述截面中所述第1端部位于所述第1位置的上方的方式，配置在所述倾斜部分之上。2.根据权利要求1所述的磁传感器，其特征在于：所述磁阻效应元件，以在所述截面中所述第2端部位于所述第2位置的上方的方式，配置在所述倾斜部分之上。3.根据权利要求1所述的磁传感器，其特征在于：所述第1位置和所述第2位置，处于从在所述截面中最靠近所述下表面的所述倾斜部分上的第3位置至在所述截面中最远离所述下表面的所述倾斜部分上的第4位置的范围内。4.根据权利要求3所述的磁传感器，其特征在于：所述倾斜部分，在从所述第1位置至所述第2位置的范围内，以所述第1角度成为最大且所述第2角度成为最小的方式，相对于所述下表面倾斜，所述倾斜部分的曲率的绝对值，在从所述第1位置至所述第2位置的范围内，在所述第1位置成为最小，在除了所述第1位置以外的规定位置成为最大。5.根据权利要求1所述的磁传感器，其特征在于：所述相对面包含向从所述下表面分离的方向突出的凸面，所述倾斜部分是所述凸面的一部分。6.根据权利要求1所述的磁传感器，其特征在于：所述相对面包含向靠近所述下表面的方向凹陷的凹面，所述倾斜部分是所述凹面的一部分。7.根据权利要求1所述的磁传感器，其特征在于：所述磁阻效应元件包含：具有方向能够根据所述外部磁场而发生变化的磁化的磁性层，所述磁性层具有第1面和配置在所述第1面的相反侧的第2面，并且具有作为与所述磁性层的所述第1面垂直的方向的尺寸的膜厚，所述第1端部的所述膜厚小于所述第2端部的所述膜厚。8.根据权利要求7所述的磁传感器，其特征在于：所述膜厚随着从所述第2端部靠近所述第1端部而变小。
9.根据权利要求7所述的磁传感器，其特征在于：所述第1面和所述第2面具有各自在与所述截面交叉的方向上长的形状。

技术总结
本发明的磁传感器具备MR元件和支撑构件。支撑构件具有包含第1倾斜部分的相对面和下表面。在任意的截面中，第1倾斜部分在第1位置以第1角度倾斜，并且第1倾斜部分在第2位置以比第1角度小的第2角度倾斜。第1位置处的第1倾斜部分的曲率的绝对值，小于第2位置处的第1倾斜部分的曲率的绝对值。MR元件以在任意的截面中第1端部位于第1位置的上方的方式，配置在第1倾斜部分之上。倾斜部分之上。倾斜部分之上。


技术研发人员：高桥宏和 牧野健三
受保护的技术使用者：TDK株式会社
技术研发日：2022.01.25
技术公布日：2022/7/26