一种触控基板的制备方法及触控基板、触控显示装置与流程

技术特征：
1.一种触控基板，其特征在于，所述触控基板包括衬底基板和触控电极，其中，所述衬底基板的一侧层叠设置有第一膜层、第二膜层和第三膜层，所述第一膜层靠近所述衬底基板设置，所述第二膜层设置在所述第一膜层与所述第三膜层之间，所述第二膜层的折射率小于所述第一膜层和所述第三膜层的折射率。2.根据权利要求1所述的触控基板，其特征在于，所述第一膜层、所述第二膜层和所述第三膜层均为绝缘材料，所述触控电极包括：设置在所述第一膜层与所述第二膜层之间的第一触控电极，以及设置在所述第二膜层与所述第三膜层之间的第二触控电极。3.根据权利要求1所述的触控基板，其特征在于，所述触控电极包括设置在所述衬底基板背离所述第一膜层一侧的第一触控电极和第二触控电极，所述第二触控电极设置在所述第一触控电极背离所述衬底基板的一侧，所述触控基板还包括：设置在所述衬底基板与所述第一触控电极之间的第一绝缘层；设置在所述第一触控电极与所述第二触控电极之间的第二绝缘层；设置在所述第二触控电极背离所述衬底基板一侧的第三绝缘层。4.根据权利要求1所述的触控基板，其特征在于，所述触控基板还包括：层叠设置在所述衬底基板背离所述第一膜层一侧的第四膜层、第五膜层和第六膜层，所述第四膜层靠近所述衬底基板设置，所述第五膜层设置在所述第四膜层与所述第六膜层之间，所述第五膜层的折射率小于所述第四膜层和所述第六膜层的折射率。5.根据权利要求4所述的触控基板，其特征在于，所述第四膜层、所述第五膜层和所述第六膜层均为绝缘材料，所述触控电极包括：设置在所述第四膜层与所述第五膜层之间的第一触控电极，以及设置在所述第五膜层与所述第六膜层之间的第二触控电极。6.根据权利要求1至5任一项所述的触控基板，其特征在于，所述第一膜层和所述第三膜层的材料包括以下至少之一：二氧化钛和五氧化二铌，所述第二膜层的材料包括以下至少之一：二氧化硅和氟化镁。7.一种触控显示装置，其特征在于，包括显示面板以及如权利要求1至6任一项所述的触控基板，所述触控基板位于所述显示面板的出光侧。8.根据权利要求7所述的触控显示装置，其特征在于，所述显示面板位于所述衬底基板背离所述第一膜层的一侧。9.根据权利要求7所述的触控显示装置，其特征在于，所述触控基板与所述显示面板通过光学胶贴合。10.一种触控基板的制备方法，其特征在于，所述触控基板包括衬底基板和触控电极，所述制备方法包括：提供所述衬底基板；在所述衬底基板的一侧依次形成第一膜层、第二膜层和第三膜层，其中，所述第二膜层的折射率小于所述第一膜层和所述第三膜层的折射率。11.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于，所述第一膜层、所述第二膜层和所述第三膜层均为绝缘材料，所述触控电极包括第一触控电极和第二触控电极，所述在所述衬底基板的一侧依次形成第一膜层、第二膜层和第三膜层的步骤，包括：在所述衬底基板的一侧依次形成所述第一膜层、所述第一触控电极、所述第二膜层、所述第二触控电极和所述第三膜层。
12.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于，所述触控电极包括第一触控电极和第二触控电极，所述制备方法还包括：在所述衬底基板背离所述第一膜层的一侧依次形成第一绝缘层、所述第一触控电极、第二绝缘层、所述第二触控电极和第三绝缘层。13.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：在所述衬底基板背离所述第一膜层的一侧依次形成第四膜层、第五膜层和第六膜层，其中，所述第五膜层的折射率小于所述第四膜层和所述第六膜层的折射率。14.根据权利要求13所述的制备方法，其特征在于，所述第四膜层、所述第五膜层和所述第六膜层均为绝缘材料，所述触控电极包括第一触控电极和第二触控电极，所述在所述衬底基板背离所述第一膜层的一侧依次形成第四膜层、第五膜层和第六膜层的步骤，包括：在所述衬底基板背离所述第一膜层的一侧依次形成所述第四膜层、所述第一触控电极、所述第五膜层、所述第二触控电极和所述第六膜层。15.根据权利要求10至14任一项所述的制备方法，其特征在于，所述在所述衬底基板的一侧依次形成第一膜层、第二膜层和第三膜层的步骤，包括：采用直流磁控溅射工艺，在所述衬底基板的一侧形成所述第一膜层；采用射频磁控溅射工艺，在所述第一膜层背离所述衬底基板的一侧形成所述第二膜层；采用直流磁控溅射工艺，在所述第二膜层背离所述衬底基板的一侧形成所述第三膜层。

技术总结
本申请提供了一种触控基板的制备方法及触控基板、触控显示装置，触控基板包括衬底基板和触控电极，其中，衬底基板的一侧依次层叠设置有第一膜层、第二膜层和第三膜层，第二膜层的折射率小于第一膜层和第三膜层的折射率。本申请技术方案通过在触控基板中交替层叠设置高折射率膜层和低折射率膜层，使得触控基板具备镜面反射功能。具备镜面反射功能。具备镜面反射功能。


技术研发人员：石侠 郭远辉 韩杰 赵剑 张培培 高玉杰
受保护的技术使用者：武汉京东方光电科技有限公司
技术研发日：2020.11.18
技术公布日：2022/6/4