一种双极化低频辐射单元的制作方法

技术特征：
1.一种双极化低频辐射单元，包括巴伦底座及四个设置在所述巴伦底座上的辐射体，其特征在于：所述辐射体包括相连的辐射臂及支撑部，所述辐射臂与所述支撑部垂直，四个所述支撑部分别与所述巴伦底座相连且四个所述支撑部在所述巴伦底座上围成矩形，四个所述辐射臂位于同一水平面上且四个所述辐射臂排列为十字形，所述辐射臂包括平板部，所述平板部的相对两侧分别设有与所述平板部垂直的第一折弯部，还包括两个馈电片，其中一个馈电片与对角设置的两个所述辐射体配合，另一个所述馈电片与另外两个对角设置的两个所述辐射体配合形成
±
45
°
极化。2.根据权利要求1所述的双极化低频辐射单元，其特征在于：所述支撑部包括竖板部，所述竖板部的相对两侧分别设有第二折弯部，所述竖板部与所述第二折弯部围成容纳所述馈电片一端的馈电腔。3.根据权利要求2所述的双极化低频辐射单元，其特征在于：所述平板部上设有与所述馈电腔连通的过孔，部分所述馈电片穿过所述过孔。4.根据权利要求1所述的双极化低频辐射单元，其特征在于：所述辐射臂还包括延伸部，所述延伸部位于所述平板部远离所述支撑部的一端。5.根据权利要求4所述的双极化低频辐射单元，其特征在于：所述延伸部的宽度尺寸小于所述平板部的尺寸。6.根据权利要求1所述的双极化低频辐射单元，其特征在于：所述平板部上还设有多个通孔，所述通孔沿所述平板部的长度方向间隔设置。7.根据权利要求6所述的双极化低频辐射单元，其特征在于：所述通孔的横截面呈多边形。8.根据权利要求1所述的双极化低频辐射单元，其特征在于：两个所述馈电片上分别设有相互避让的避位部。9.根据权利要求1所述的双极化低频辐射单元，其特征在于：所述辐射体为钣金件。10.根据权利要求1所述的双极化低频辐射单元，其特征在于：所述支撑部与所述巴伦底座焊接为一体式结构。

技术总结
本实用新型公开了一种双极化低频辐射单元，包括巴伦底座及四个设置在巴伦底座上的辐射体，辐射体包括相连的辐射臂及支撑部，辐射臂与支撑部垂直，四个支撑部分别与巴伦底座相连且四个支撑部在巴伦底座上围成矩形，四个辐射臂位于同一水平面上且四个辐射臂排列为十字形，辐射臂包括平板部，平板部的相对两侧分别设有与平板部垂直的第一折弯部，还包括两个馈电片，其中一个馈电片与对角设置的两个辐射体配合，另一个馈电片与另外两个对角设置的两个辐射体配合形成


技术研发人员：廖柏晖 林勇 龚宇翔
受保护的技术使用者：深圳市鑫龙通信技术有限公司
技术研发日：2021.12.28
技术公布日：2022/5/25