一种硅晶圆中高风险硅晶粒的排除方法与流程

技术特征：
1.一种硅晶圆中高风险硅晶粒的排除方法，其特征在于，包括：获取硅晶圆经过探针台测试后的映射图，其中所述映射图上硅晶圆中的不良品硅晶粒被标注不良标识；根据所述映射图上的每个硅晶粒所在位置的不同进行权重值赋值；根据每个硅晶粒所在位置的权重值以及不良标识所在位置计算每个硅晶粒的权重良率；将每个硅晶粒的权重良率均与权重良率阈值进行比较，并根据比较结果将确定的高风险硅晶粒标注不良标识。2.根据权利要求1所述的排除方法，其特征在于，所述根据所述映射图上的每个硅晶粒所在位置的不同进行权重值赋值，包括：设定一个n*n大小的选择框，并将所述选择框沿着所述映射图上的每个硅晶粒依次移动，且每次移动时均使得待测试硅晶粒位于所述选择框的中心位置，其中n为大于或者等于3的奇数；将选择框中的硅晶粒按照与待测试硅晶粒的距离进行风险梯队划分；根据不同的风险梯队对当前选择框中每个硅晶粒赋予不同的权重值。3.根据权利要求2所述的排除方法，其特征在于，所述将选择框中的硅晶粒按照与待测试硅晶粒的距离进行风险梯队划分，包括：将选择框中分别位于所述待测试硅晶粒的正上方、正下方、正左方和正右方的硅晶粒确定为第一风险梯队；将选择框中分别位于所述待测试硅晶粒的左上方、右上方、左下方和右下方的硅晶粒确定为第二风险梯队；将选择框中除去上述方向的硅晶粒确定为第三风险梯队。4.根据权利要求3所述的排除方法，其特征在于，所述根据不同的风险梯队对当前选择框中每个硅晶粒赋予不同的权重值，包括：将位于第一风险梯队的硅晶粒均赋予第一权重值，将位于第二风险梯队的硅晶粒均赋予第二权重值，将位于第三风险梯队的硅晶粒均赋予第三权重值，其中所述第一权重值大于所述第二权重值，所述第二权重值大于所述第三权重值。5.根据权利要求4所述的排除方法，其特征在于，所述根据每个硅晶粒所在位置的权重值以及不良标识所在位置计算每个硅晶粒的权重良率，包括：根据选择框中位于不同风险梯队的硅晶粒数量和风险梯队对应的权重值计算选择框的权重总分；确定不良标识所在的风险梯队，并将不良标识所在风险梯队的硅晶粒数量去除不良标识的数量后重新计算选择框的权重得分；计算当前选择框的权重得分与选择框的权重总分的比值，得到待测试硅晶粒的权重良率；重复上述计算方式得到每个硅晶粒的权重良率。6.根据权利要求5所述的排除方法，其特征在于，所述根据选择框中位于不同风险梯队的硅晶粒数量和风险梯队对应的权重值计算选择框的权重总分，包括：分别计算选择框中位于第一风险梯队、第二风险梯队以及第三风险梯队中的硅晶粒的
数量；根据第一风险梯队中的硅晶粒的数量与第一权重值计算第一风险梯队的权重值；根据第二风险梯队中的硅晶粒的数量与第二权重值计算第二风险梯队的权重值；根据第三风险梯队中的硅晶粒的数量与第三权重值计算第三风险梯队的值；将第一风险梯队的权重值、第二风险梯队的权重值和第三风险梯队的权重值求和计算得到选择框的权重总分。7.根据权利要求5所述的排除方法，其特征在于，所述确定不良标识所在的风险梯队，并将不良标识所在风险梯队的硅晶粒数量去除不良标识的数量后重新计算选择框的权重得分，包括：当不良标识位于第一风险梯队、第二风险梯队和第三风险梯队中的任意一者或两者时，将其所在的风险梯队的硅晶粒数量减去不良标识后剩余的硅晶粒数量与该风险梯队所对应的权重值计算得到不良标识所在风险梯队的权重值；未有不良标识的风险梯队则根据各自硅晶粒数量与对应权重值计算得到各自风险梯队的权重值，将三个风险梯队的权重值求和得到选择框的权重得分；当不良标识分别位于第一风险梯队、第二风险梯队和第三风险梯队中时，将第一风险梯队、第二风险梯队和第三风险梯队中各自的硅晶粒数量均减去不良标识后剩余的硅晶粒数量与各自风险梯队所对应的权重值计算得到各自风险梯队的权重值，将三个风险梯队的权重值求和得到选择框的权重得分。8.根据权利要求3所述的排除方法，其特征在于，所设定一个n*n大小的选择框，并将所述选择框沿着所述映射图上的每个硅晶粒依次移动，且每次移动时均使得待测试硅晶粒位于所述选择框的中心位置，包括：设定一个5*5的选择框，并将5*5的选择框沿着所述映射图上去除边缘区域后的每个硅晶粒依次移动，且每次移动时均使得待测试硅晶粒位于所述5*5的选择框的中心位置。9.根据权利要求8所述的排除方法，其特征在于，将位于所述映射图上边缘区域的硅晶粒均确定为第三风险梯队。10.根据权利要求1所述的排除方法，其特征在于，所述将每个硅晶粒的权重良率均与权重良率阈值进行比较，并根据比较结果将确定的高风险硅晶粒标注不良标识，包括：若硅晶粒的权重良率不小于所述权重良率阈值，则确定该硅晶粒为低风险硅晶粒；若硅晶粒的权重良率小于所述权重良率阈值，则确定该硅晶粒为高风险硅晶粒，并将高风险硅晶粒确定为不良品且标注不良标识。

技术总结
本发明涉及半导体制造技术领域，具体公开了一种硅晶圆中高风险硅晶粒的排除方法，其中，包括：获取硅晶圆经过探针台测试后的映射图，其中所述映射图上硅晶圆中的不良品硅晶粒被标注不良标识；根据所述映射图上的每个硅晶粒所在位置的不同进行权重值赋值；根据每个硅晶粒所在位置的权重值以及不良标识所在位置计算每个硅晶粒的权重良率；将每个硅晶粒的权重良率均与权重良率阈值进行比较，并根据比较结果将确定的高风险硅晶粒标注不良标识。本发明提供的硅晶圆中高风险硅晶粒的排除方法可以有效排除位于电性不良品周围的高风险硅晶粒，进而有效提升封装后的产品可靠性，满足客户对于高可靠性产品的需求。户对于高可靠性产品的需求。户对于高可靠性产品的需求。


技术研发人员：方敏清
受保护的技术使用者：强茂电子（无锡）有限公司
技术研发日：2022.01.10
技术公布日：2022/4/29