显示面板的制作方法

技术特征：
1.一种显示面板，其特征在于，包括：第一薄膜晶体管，包括第一源极、第一漏极、第一有源层、以及第一栅极；以及第二薄膜晶体管，包括第二源极、第二漏极、第二有源层、以及第二栅极；其中，所述第一薄膜晶体管的所述第一漏极电性连接所述第二薄膜晶体管的所述第二栅极，所述第一薄膜晶体管的所述第一有源层的电子迁移率大于或等于所述第二薄膜晶体管的所述第二有源层的电子迁移率，所述第二薄膜晶体管的所述第二有源层的阈值电压偏移量小于或等于所述第一薄膜晶体管的所述第一有源层的阈值电压偏移量。2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，还包括：数据线，电性连接所述第一薄膜晶体管的所述第一源极；扫描线，电性连接所述第一薄膜晶体管的所述第一栅极；以及发光单元，包括第一电极以及与第一电极相对的第二电极，所述第一电极电性连接所述第二薄膜晶体管的所述第二源极。3.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一薄膜晶体管的所述第一有源层的所述电子迁移率大于或等于20平方厘米/(伏特
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秒)。4.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第二薄膜晶体管的所述第二有源层的所述阈值电压偏移量小于或等于1伏特。5.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一薄膜晶体管的所述第一有源层的材料包括铟氧化物、镓氧化物、锌氧化物、锡氧化物、以及其组合。6.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第二薄膜晶体管的所述第二有源层的材料包括参杂稀土金属元素或是氟系化合物的金属氧化物。7.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一薄膜晶体管还包括第三有源层，所述第三有源层与所述第一有源层叠层设置，所述第三有源层两端的非沟道区分别电性连接所述第一有源层两端的非沟道区；以及所述第一薄膜晶体管的所述第一有源层以及所述第三有源层的平均电子迁移率大于或等于所述第二薄膜晶体管的所述第二有源层的所述电子迁移率。8.如权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述第一薄膜晶体管的所述第一有源层以及所述第三有源层的所述平均电子迁移率大于或等于20平方厘米/(伏
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秒)。9.如权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述第一薄膜晶体管的所述第一有源层的材料与所述第二薄膜晶体管的所述第二有源层的材料相同。10.如权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述第一薄膜晶体管的所述第三有源层的材料包括铟氧化物、镓氧化物、锌氧化物、锡氧化物、以及其组合；以及在所述第一薄膜晶体管中，所述第一有源层的材料与所述第三有源层的所述材料不同。

技术总结
一种显示面板包括第一薄膜晶体管以及第二薄膜晶体管。所述第一薄膜晶体管包括第一源极、第一漏极、第一有源层、以及第一栅极。所述第二薄膜晶体管包括第二源极、第二漏极、第二有源层、以及第二栅极。所述第一薄膜晶体管的所述第一漏极电性连接所述第二薄膜晶体管的所述第二栅极。所述第一薄膜晶体管的所述第一有源层的电子迁移率大于或等于所述第二薄膜晶体管的所述第二有源层的电子迁移率。所述第二薄膜晶体管的所述第二有源层的阈值电压偏移量小于或等于所述第一薄膜晶体管的所述第一有源层的阈值电压偏移量。一有源层的阈值电压偏移量。一有源层的阈值电压偏移量。


技术研发人员：罗传宝
受保护的技术使用者：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
技术研发日：2021.12.20
技术公布日：2022/4/5