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离子交换后的玻璃冷却方法与流程

2022-04-02 02:27:11 来源:中国专利 TAG:

技术特征:
1.一种制造基于玻璃的制品的方法,其包括:将基于碱性铝硅酸盐玻璃的基材暴露于离子交换处理以产生经过离子交换的基于玻璃的基材,所述基于碱性铝硅酸盐玻璃的基材包括限定了基材厚度(t)的相对的第一和第二表面;以及在这之后,将经过离子交换的基于玻璃的基材暴露于冷却环境,其中,冷却环境包括小于或等于200℃的起始温度以及然后以大于或等于3.3℃/分钟的速率降低起始温度;其中,在冷却持续了冷却持续时间之后,获得基于玻璃的制品。2.如前述权利要求所述的方法,其中,速率是大于或等于6.0℃/分钟。3.如任意前述权利要求所述的方法,其中,基材厚度(t)大于或等于25微米且小于或等于125微米。4.如权利要求1所述的方法,其中,在容器中进行离子交换处理和冷却,所述容器限定了储器,顶部空间,将储器与顶部空间分隔开的可移动式分隔物,以及与顶部空间流体连通的排放孔。5.如权利要求4所述的方法,其中:离子交换处理包括:将可移动式分隔物移动到第一位置使得储器与顶部空间是流体连通的;将基于碱性铝硅酸盐玻璃的基材浸入布置在储器中的熔盐浴中,持续处理持续时间;在处理持续时间之后,获得经过离子交换的基于玻璃的基材;将可移动式分隔物移动到第一位置并从熔盐浴取回经过离子交换的基于玻璃的基材;以及将经过离子交换的基于玻璃的基材保持在高于熔盐浴的顶部空间中,持续滴落持续时间;以及冷却包括:将可移动式分隔物移动到将储器与顶部空间分隔开的第二位置;将顶部空间的温度设定为小于或等于200℃;以及以大于或等于3.3℃/分钟的速率对顶部空间进行冷却。6.如权利要求5所述的方法,其中,熔盐浴所处的温度范围大于或等于360℃至小于或等于500℃。7.如任意前述权利要求所述的方法,其中,冷却持续时间小于或等于60分钟。8.如前述权利要求所述的方法,其中,冷却持续时间小于或等于30分钟。9.如任意前述权利要求所述的方法,其中,进行冷却直到顶部空间中的环境温度小于或等于70℃。10.如任意前述权利要求所述的方法,其中,进行冷却直到环境或顶部空间所处的温度范围大于或等于50℃至小于或等于70℃。11.如任意前述权利要求所述的方法,其中,所述基于玻璃的基材不含锂。12.如任意前述权利要求所述的方法,其中,以摩尔%计,所述基于玻璃的基材包含:66-70%sio2,9-12%al2o3,14-16%na2o,4.5-5.5%mgo,0.01-0.09%cao,以及0.10-0.20%sno。13.如任意前述权利要求所述的方法,其中,以摩尔%
±
0.5%计,所述基于玻璃的基材
包含:69%sio2,10%al2o3,15%na2o,5%mgo,0.1%cao,以及0.2%sno。14.一种基于玻璃的制品,其是根据任意前述权利要求制造得到的。15.如权利要求14所述的基于玻璃的制品,其包括大于或等于750mpa的最大压缩应力(cs
max
)。16.如权利要求14所述的基于玻璃的制品,其包括相对于钾而言大于或等于0.19t微米的层深度(dol
k
)。17.如权利要求14所述的基于玻璃的制品,其包括大于或等于750mpa的最大压缩应力(cs
max
)和大于或等于0.19t的层深度(dol
k
)。18.一种消费者电子产品,其包括:包含前表面、背表面和侧表面的外壳;至少部分位于所述外壳内的电子组件,所述电子组件至少包括控制器、存储器和显示器,所述显示器位于所述外壳的前表面处或者与所述外壳的前表面相邻;以及布置在所述显示器上的覆盖物;其中,外壳和覆盖物中的至少一个的一部分包括如权利要求14至17中任一项所述的基于玻璃的制品。

技术总结
基于玻璃的制品的制造方法包括:将基于碱性铝硅酸盐玻璃的基材暴露于离子交换处理以产生经过离子交换的基于玻璃的基材,所述基于碱性铝硅酸盐玻璃的基材包括限定了基材厚度(t)的相对的第一和第二表面;并且在这之后,在环境中对经过离子交换的基于玻璃的基材进行冷却,所述环境具有小于或等于200℃的起始温度以及然后以大于或等于3.3℃/分钟的速率降低温度以形成基于玻璃的制品。低温度以形成基于玻璃的制品。低温度以形成基于玻璃的制品。


技术研发人员:B
受保护的技术使用者:康宁股份有限公司
技术研发日:2020.06.24
技术公布日:2022/4/1
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本文用于企业家、创业者技术爱好者查询,结果仅供参考。

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