一种半导体的图形制备方法及制造存储器的方法与流程

技术特征：
1.一种半导体的图形制备方法，其特征在于，包括：在待制备图形的目标层上形成牺牲层，并采用光刻工艺将所述牺牲层形成蜂巢状排布的间隔图形；形成均匀覆盖所述间隔图形表面的侧墙材料层；刻蚀所述侧墙材料层形成侧墙；去除所述牺牲层，并以所述侧墙为掩模刻蚀所述目标层，形成间隔小于所述间隔图形的孔。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述间隔图形为间隔圆柱；所述间隔圆柱分布于正六边形的六个定点以及中心处。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述侧墙材料层的厚度大于等于所述间隔圆柱之间间距的二分之一，以形成蜂巢状排布的侧面相连的圆柱，所述侧面相连的圆柱之间形成有凹陷孔。4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述刻蚀所述侧墙材料层形成侧墙，包括：各向异性刻蚀所述侧墙材料层至显露出所述间隔圆柱的顶面和所述目标层位于所述凹陷孔下方的表面，形成侧墙。5.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述以所述侧墙为掩模刻蚀所述目标层，形成间隔小于所述间隔图形的孔，包括：以所述侧墙为掩模刻蚀所述目标层，在所述凹陷孔下方和所述间隔圆柱去除前的位置下方形成间隔小于所述间隔图形的孔。6.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述方法用于制备动态随机存取存储器的电容孔状图形，或者所述方法用于制备垂直型mosfet的沟道孔状图形。7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述牺牲层的材料为多晶硅、氮化硅、无定型碳层或旋涂硬掩模。8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述侧墙材料层的材料为二氧化硅、多晶硅或氮化硅。9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述以所述侧墙材料层为掩模刻蚀所述目标层，形成间隔小于所述间隔图形的孔之后，还包括：去除所述侧墙材料层。10.一种制造动态随机存取存储器的方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成目标层；根据权利要求1-9任一所述的方法在所述目标层制备所述孔；在所述孔内形成下电极、介质层和上电极。

技术总结
本发明公开了一种半导体的图形制备方法，包括：在待制备图形的目标层上形成牺牲层，并采用光刻工艺在所述牺牲层上形成蜂巢状排布的间隔图形；形成均匀覆盖所述间隔图形表面的、侧墙材料层；刻蚀所述侧墙材料层形成侧墙；去除所述牺牲层，并以所述侧墙材料层为掩模刻蚀所述目标层，形成间隔小于所述间隔图形的孔。本发明提供的方法，用以解决现有技术中的小间距图形制备困难，成本高，耗时的技术问题。实现了节约小间距图形制备的成本和时间的技术效果。术效果。术效果。


技术研发人员：车世浩 贺晓彬 丁明正 刘强
受保护的技术使用者：真芯（北京）半导体有限责任公司
技术研发日：2020.08.25
技术公布日：2022/2/28