一种均苯芳胺类化合物及包含其的有机电致发光器件的制作方法

技术特征：
1.一种均苯芳胺类化合物，其特征在于，所述化合物结构如通式(1)所示：通式(1)中，r表示为氢、苯基、萘基、二联苯基、三联苯基或通式(2)所示结构；ar表示为如下所示基团中任一种；其中，a表示为萘基；r3表示为苯基、联苯基或ar；r4、r1、r2分别独立的表示为苯基、萘基或联苯基；所述l表示为单键、亚苯基、亚萘基或亚联苯基。2.根据权利要求1所述的均苯芳胺类化合物，其特征在于，所述化合物的结构如式(1-1)、式(1-2)、式(1-3)、式(1-4)、式(1-5)、式(1-6)、式(1-7)中任一种所示；其中r、r1、r2基团的含义同权利要求1中定义。3.根据权利要求1所述的均苯芳胺类化合物，其特征在于，所述化合物的结构如式(1-8)、式(1-9)、式(1-10)所示；
其中r、r1、r2基团的含义同权利要求1中定义。4.根据权利要求1所述的均苯芳胺类化合物，其特征在于，所述化合物的结构如式(1-11)、式(1-12)、式(1-13)所示；其中，r表示为氢、苯基、萘基、二联苯基、三联苯基或通式(2)所示结构；所述r1至r4基团的含义同权利要求1中定义；所述l表示为单键。5.根据权利要求1所述的均苯芳胺类化合物，其特征在于，所述化合物的结构为如下结构中的任一种：
6.一种有机电致发光器件，其从下至上依次包括阳极、空穴传输区域、发光区域、电子传输区域和阴极，其特征在于，所述空穴传输区域包含权利要求1-5任一项所述的均苯芳胺类化合物。7.根据权利要求6所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述空穴传输区域从下至上依次包括空穴注入层、空穴传输层和电子阻挡层，并且所述电子阻挡层包含如权利要求1-5任一项所述的均苯芳胺类化合物；所述发光区域包含主体材料和客体材料，其中所述主体材料包含蒽基团，客体材料为荧光材料；所述电子传输区域包含由以下通式(3)所示的氮杂环化合物：其中，ar1、ar2、ar3彼此独立地表示为取代或未取代的c
6-c
30
芳基，取代或未取代的含有一个或多个杂原子的c
5-c
30
杂环基，所述杂原子独立地选自n、o或s；l表示取代或未取代的c
6-c
30
亚芳基，取代或未取代的含有一个或多个杂原子的c
5-c
30
亚杂环基，所述杂原子各自独立地选自n、o或s；n表示1或2；x1、x2、x3彼此独立地表示为n或ch，x1、x2、x3中的至少一个表示为n。8.根据权利要求7所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述通式(3)的氮杂环化合物由通式(3-1)表示：其中，ar1、ar2、ar3、x1、x2、x3、l含义同权利要求7中定义。9.根据权利要求7所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述空穴注入层为均苯芳胺类化合物和p型掺杂材料的混合膜层，空穴传输层包含与空穴注入层相同的均苯芳胺类化合物，所述均苯芳胺类化合物的结构如权利要求1-5任一项所示。10.根据权利要求6所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述电子传输区域从下至
上依次包括电子传输层和电子注入层，其中所述电子传输层包含如权利要求7中通式(3)所示的氮杂环化合物，所述电子注入层为n型金属材料。

技术总结
本发明公开了一种均苯芳胺类化合物及包含其的有机电致发光器件，属于半导体技术领域。所述化合物结构如通式(1)所示，本发明化合物以苯为中心间位三取代，并以螺芴基团为取代基，因此具有优异的空穴迁移能力、空穴传输能力、膜相态稳定性和耐候性；通过使用新的均苯芳胺类化合物来形成有机电致发光器件的空穴传输材料时，可显示出例如器件效果提高、驱动电压降低和寿命延长的效果。电压降低和寿命延长的效果。电压降低和寿命延长的效果。


技术研发人员：尚书夏 王芳 赵四杰 张兆超
受保护的技术使用者：江苏三月科技股份有限公司
技术研发日：2020.08.20
技术公布日：2022/2/23