功率切换控制电路的制作方法

技术特征：
1.一种功率切换控制电路，其特征在于，所述功率切换控制电路用于交直流功率控制系统，其中，所述电路包括：主控制单元，所述主控制单元由通断控制开关组成，其中，所述主控制单元的输入端与输入源相连；第一至第n子控制单元，所述第一至第n子控制单元的每个子控制单元均由半导体开关组成，其中，所述每个子控制单元的输入端与所述主控制单元的输出端相连，且所述每个子控制单元的输出端与负载的输入端相连，以在所述主控制单元和所述第一至第n子控制单元均闭合时，为所述负载提供电源，其中，n为正整数。2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述主控制单元和所述第一至第n子控制单元均具有控制端，以根据电路的输入信号控制所述主控制单元和/或子控制单元的关断或导通。3.根据权利要求2所述的电路，其特征在于，所述输入信号为预设电平信号或者为脉冲宽度调制pwm信号，使得所述主控制单元根据所述预设电平信号或者所述pwm信号生成所述每个子控制单元的控制信号，以控制所述每个子控制单元的导通时间和/或导通频率。4.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述通断控制开关为硅材料或者新型材料制作生成的三极管、igbt、igct、gct，iegt、mosfet和hemt中的任意一项。5.根据权利要求3所述的电路，其特征在于，所述新型材料包括碳化硅材料、氮化镓材料、氧化镓材料、金刚石材料和石墨烯材料中的一种或多种。6.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述半导体开关为半控器件或者全控器件，所述半控器件或全控器件包括单向晶闸管、双向晶闸管、门极可关断晶闸管、gct和igct中的一种或多种。7.根据权利要求6所述的电路，其特征在于，所述全控器件包括igbt、iegt、mosfet和hemt中的一种或多种。8.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，还包括：用于根据所述负载的功率分配方式确定所述n的分配模块，所述分配模块与所述每个子控制单元相连。9.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述主控制单元设置有限制元件，以限制电压尖峰在预设范围内。10.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，还包括：至少一个信号采集元件，所述至少一个信号采集元件与所述主控制单元串联连接。

技术总结
本申请公开了一种功率切换控制电路，功率切换控制电路用于交直流功率控制系统，其中，电路包括：主控制单元由通断控制开关组成，其中，主控制单元的输入端与输入源相连；第一至第N子控制单元的每个子控制单元均由半导体开关组成，其中，每个子控制单元的输入端与主控制单元的输出端相连，且每个子控制单元的输出端与负载的输入端相连，以在主控制单元和第一至第N子控制单元均闭合时，为负载提供电源。由此，通过由通断控制开关组成主控制单元，由半导体开关组成第一至第N子控制单元的每个子控制单元，有效解决了相关技术中因采用电磁式继电器出现的在通断瞬间存在拉弧现象，从而导致触点损伤，降低继电器寿命的问题，还可以大大降低成本。降低成本。降低成本。


技术研发人员：叶春显 汤志新 詹旭标 李涛
受保护的技术使用者：深圳市鹏源电子有限公司
技术研发日：2020.07.23
技术公布日：2022/1/25