TGV发热雾化芯片的制作方法

摘要: 本技术涉及雾化芯片,具体是一种tgv发热雾化芯片。背景技术:1、雾化器中的雾化芯片是其核心部件,目前市场上陶资发热体存在吸湿、掉粉、孔径率不稳定、气道紊乱、堵孔...
TGV发热雾化芯片的制作方法

本技术涉及雾化芯片,具体是一种tgv发热雾化芯片。

背景技术:

1、雾化器中的雾化芯片是其核心部件,目前市场上陶资发热体存在吸湿、掉粉、孔径率不稳定、气道紊乱、堵孔产生焦味、漏液、冷凝液多、发热体泡在液内、雾化时同时加热液体导致热损失等问题。网芯发热丝采用禁止加入玻纤导液,发热体泡在液内、冷凝液多、雾化时同时加热金属管导致热损失,整体组装困难等问题。

2、因此,本领域技术人员提供了一种tgv发热雾化芯片,以解决上述背景技术中提出的问题。

技术实现思路

1、本实用新型的目的在于提供一种tgv发热雾化芯片,以解决上述背景技术中提出的问题。

2、为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:

3、一种tgv发热雾化芯片,包括记忆金属发热片、发热浆体、导电浆体和高硼硅玻璃结构,所述高硼硅玻璃结构位于tgv发热雾化芯片的底部,所述高硼硅玻璃结构中间位置设置有蜂窝结构,所述蜂窝结构由若干蜂窝孔构成;所述高硼硅玻璃结构上部印刷有发热浆体,印刷发热浆体后形成发热面;印刷发热浆体时的印刷面避开蜂窝孔的位置,采用高温烧结固化,阻值为0.8-1.8欧。

4、作为本实用新型进一步的方案:位于发热面两端的长方形结构上印刷有导电浆体,形成导电面;采用高温烧结固化,用于接触导电及记忆金属发热片激光焊接固定。

5、作为本实用新型再进一步的方案:所述导电浆体上采用激光焊接有记忆金属发热片,记忆金属发热片采用蚀刻或冲压成形;记忆金属发热片阻值是发热浆体的2.5-3.5 倍,通电后,中间发热面会往外凸起,将根据抽吸力及液量形成凸起空间,冷却后恢复,具备记忆功能。蜂窝结构由tgv工艺加工成形,蜂窝孔的孔径为0.03-0.05mm,采用激光打孔,然后再蚀刻,使孔位相连成“花生形状”。

6、作为本实用新型再进一步的方案:发热浆体印刷位置与蜂窝孔不相连,工作时,液体被抽吸到玻璃发热面,再与发热体接触,达成100%雾化。记忆金属发热片两端通过激光焊接固定在导电浆体表面,记忆金属发热片与高硼硅玻璃结构存在间隙,形成半密闭的储油及雾化空间。

7、与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:

8、1、本申请的发热浆体+记忆金属发热片+玻璃面形成加热雾化空间,液体100%雾化覆盖率,0.03-0.05mm导液孔,雾化效果较传统雾化提升3倍;发热面与导液孔不接触,不堵住液体,不产生焦味;tgv芯片设计,光刻+蚀刻形成玻璃内部蜂窝结构,尺寸精度达0.001mm,形成微流控制技术;记忆金属发热片,会根据个人抽吸习惯自动匹配雾化量;二次储液空间,达成控液,三层发热,达成控温,更安全。

9、2、本申请的tgv发热雾化芯片加热雾化时,具备不漏液、爆发力强、雾化充分、少冷凝液、雾化颗粒小、雾化量大、口味还原好、不泡液、不堵孔无焦味、吸阻自动匹配、温度输出持续续稳定的特点,材质、工艺、应用等配套更安全。

1.一种tgv发热雾化芯片,其特征在于,包括记忆金属发热片(1)、发热浆体(2)、导电浆体(6)和高硼硅玻璃结构(4),所述高硼硅玻璃结构(4)位于tgv发热雾化芯片的底部,所述高硼硅玻璃结构(4)中间位置设置有蜂窝结构(5),所述蜂窝结构(5)由若干蜂窝孔(7)构成;

2.根据权利要求1所述的一种tgv发热雾化芯片,其特征在于,位于发热面(3)两端的长方形结构上印刷有导电浆体(6),形成导电面;采用高温烧结固化,用于接触导电及记忆金属发热片(1)激光焊接固定。

3.根据权利要求1所述的一种tgv发热雾化芯片,其特征在于,所述导电浆体(6)上采用激光焊接有记忆金属发热片(1),记忆金属发热片(1)采用蚀刻或冲压成形;记忆金属发热片(1)阻值是发热浆体(2)的2.5-3.5 倍。

4.根据权利要求1所述的一种tgv发热雾化芯片,其特征在于,所述蜂窝结构(5)由tgv工艺加工成形,蜂窝孔(7)的孔径为0.03-0.05mm,采用激光打孔,然后再蚀刻,使孔位相连成“花生形状”。

5.根据权利要求1所述的一种tgv发热雾化芯片,其特征在于,所述发热浆体(2)印刷位置与蜂窝孔(7)不相连。

6.根据权利要求3所述的一种tgv发热雾化芯片,其特征在于,所述记忆金属发热片(1)两端通过激光焊接在导电浆体(6)表面,记忆金属发热片(1)与高硼硅玻璃结构(4)存在间隙,形成半密闭的储油及雾化空间。