床结构和床结构的制造方法与流程

本发明涉及床结构和床结构的制造方法。

背景技术：

1、以往，作为环境友好型的冷冻技术，已知有主动式磁冷冻（amr：active magneticregenerator）方式的磁冷冻系统。amr方式的磁冷冻系统如专利文献1（日本特开2020-46085号公报）所公开的那样，具备包括多个框体和多个网状体的床结构。多个框体分别收纳磁工作物质并相互叠置。多个网状体设置在多个框体之间，与磁工作物质相对。

技术实现思路

1、本发明所要解决的技术问题

2、然而，在专利文献1所公开的技术中，一个框体所收纳的磁工作物质与其他框体所收纳的磁工作物质的种类不同。因此，在使用多种磁工作物质的床结构中，需要与种类相对应的网状体。

3、用于解决技术问题的技术方案

4、第一观点的床结构是用于供流体沿第一方向经过的磁冷冻系统的床结构。在第一方向和与第一方向交叉的第二方向上配置有多个具有磁热效应的粒子。多个粒子彼此通过粘接剂粘接，以在多个粒子之间形成供流体经过的流道。粒子在第一方向上的密度大于粒子在第二方向上的密度。

5、通过在第二方向上配置的多个粒子被沿第一方向按压而具备厚度减薄后的膜，由此能够实现粒子在第一方向上的密度大于粒子在第二方向上的密度的第一观点的床结构。因此，在第一观点的床结构中，即使流体经过流道，也能抑制粒子在第一方向上移动。因而，第一观点的床结构能够省略用于抑制粒子在第一方向上移动的网状体。

6、第二观点的床结构在第一观点的床结构的基础上，多个粒子具有相同的相变温度。

7、也可以如第二观点的床结构那样，具备具有相同相变温度的多个粒子。

8、第三观点的床结构在第一观点的床结构的基础上，多个粒子具有多个相变温度。

9、也可以如第三观点的床结构那样，具备具有多个相变温度的多个粒子。

10、第四观点的床结构在第三观点的床结构的基础上，多个粒子在第一方向上具有多个相变温度，并且在第二方向上具有相同的相变温度。

11、在第四观点的床结构中，即使具有级联结构，也能够省略与不同的相变温度相对应的网状体。

12、第五观点的床结构在第一观点～第四观点中任一项的床结构的基础上，多个粒子的最大直径为50μm以上且250μm以下。

13、也可以如第五观点的床结构那样，具备最大直径为50μm以上且250μm以下的多个粒子。

14、第六观点的床结构在第一观点～第五观点中任一项的床结构的基础上，平均空隙率为40％以上。

15、在第六观点的床结构中，平均空隙率为40％以上，因此，能够宽裕地确保流体的流道。

16、第七观点的床结构的制造方法是用于磁冷冻系统的床结构的制造方法，包括如下工序。形成第一膜，所述第一膜包含多个第一粒子和粘接剂。多个第一粒子具有磁热效应。对第一膜进行按压以使第一膜的厚度变薄。在减薄后的第一膜上形成第二膜，所述第二膜包含多个第二粒子和粘接剂。多个第二粒子具有磁热效应。

17、在第七观点的床结构的制造方法中，通过沿第一方向对包含在第二方向上配置的多个第一粒子和粘接剂的第一膜进行按压，能够抑制第一粒子在第一方向上移动。因此，能够形成可省略抑制第一粒子在第一方向上移动的网状体的、厚度减薄后的第一膜（以下,也称为“薄膜”或“第一薄膜”）。通过在这样的薄膜上层叠包含第二粒子的第二膜，能够在第一方向上层叠多个粒子，制造可省略网状体的床结构。

18、第八观点的床结构的制造方法在第七观点的床结构的制造方法的基础上，形成第一膜的工序包括：配置多个第一粒子的工序和将粘接剂配置于多个第一粒子之间的工序。

19、在第八观点的床结构的制造方法中，通过将配置有粘接剂的第一模按压到在第二方向上配置的多个第一粒子之间，能够提高粒子的填充率。

20、第九观点的床结构的制造方法在第七观点的床结构的制造方法的基础上，形成第一膜的工序包括：配置多个第一粒子的工序；将粘接剂配置于多个第一粒子之间的工序；以及在配置粘接剂的工序之后，将多个第三粒子配置于多个第一粒子之上的工序。多个第三粒子具有磁热效应。

21、在第九观点的床结构的制造方法中，将配置有第三粒子的第一膜按压到第一粒子和粘接剂之上，因此，能够容易地制造维持了粒子间空隙的薄膜。

22、第十观点的床结构的制造方法在第七观点或第八观点的床结构的制造方法的基础上，减薄后的第一膜的厚度为第一粒子的最大厚度的2倍以下。

23、在第十观点的床结构的制造方法中，能够形成抑制了第一粒子在第一方向上重叠的薄膜。

24、第十一观点的床结构的制造方法在第七观点～第十观点中任一项的床结构的制造方法的基础上，第一粒子的最大直径为50μm以上且250μm以下。

25、也可以如第十一观点的床结构的制造方法那样，制造具备最大直径为50μm以上且250μm以下的第一粒子的床结构。

26、第十二观点的床结构的制造方法在第七观点～第十一观点中任一项的床结构的制造方法的基础上，第一粒子的相变温度与第二粒子的相变温度相同。

27、也可以如第十二观点的床结构的制造方法那样，制造具备具有相同的相变温度的多个粒子的床结构。

28、第十三观点的床结构的制造方法在第七观点～第十一观点中任一项的床结构的制造方法的基础上，第一粒子的相变温度与第二粒子的相变温度不同。

29、也可以如第十三观点的床结构的制造方法那样，制造具备具有多个相变温度的多个粒子的床结构。

30、第十四观点的床结构的制造方法在第七观点～第十三观点中任一项的床结构的制造方法的基础上，在形成第一膜的工序和形成第二膜的工序中，将第一膜和第二膜形成于容器内。

31、也可以如第十四观点的床结构的制造方法那样，使用容器来形成第一膜和第二膜。

32、第十五观点的床结构的制造方法在第十四观点的床结构的制造方法的基础上，还包括将容器拆除的工序。

33、也可以如第十五观点的床结构的制造方法那样，在使用容器形成了第一膜和第二膜之后，将容器拆除。

34、第十六观点的床结构的制造方法在第七观点～第十五观点中任一项的床结构的制造方法的基础上，还包括确认形成有供流体经过的流道的工序。

35、在第十六观点的床结构的制造方法中，确认在粒子之间形成有供流体经过的流道，因此，能够制造可靠地形成了流道的床结构。

1.一种床结构（10），用于流体沿第一方向经过的磁制冷系统（100），其特征在于，

2.根据权利要求1所述的床结构，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的床结构，其特征在于，

4.根据权利要求3所述的床结构，其特征在于，

5.根据权利要求1～4中任一项所述的床结构，其特征在于，

6.根据权利要求1～5中任一项所述的床结构，其特征在于，

7.一种床结构（10）的制造方法，所述床结构（10）用于磁制冷系统（100），其特征在于，包括：

8.根据权利要求7所述的床结构的制造方法，其特征在于，

9.根据权利要求7所述的床结构的制造方法，其特征在于，

10.根据权利要求7或8所述的床结构的制造方法，其特征在于，

11.根据权利要求7～10中任一项所述的床结构的制造方法，其特征在于，

12.根据权利要求7～11中任一项所述的床结构的制造方法，其特征在于，

13.根据权利要求7～11中任一项所述的床结构的制造方法，其特征在于，

14.根据权利要求7～13中任一项所述的床结构的制造方法，其特征在于，

15.根据权利要求14所述的床结构的制造方法，其特征在于，

16.根据权利要求7～15中任一项所述的床结构的制造方法，其特征在于，