特征放置误差(FPE)计量及校正的制作方法

本公开大体上涉及半导体装置，且更具体来说，涉及用于评估半导体装置的制造中的误差的系统及方法。

背景技术：

1、计量系统及方法用于表征半导体制造工艺。例如，可执行叠对及关键尺寸(cd)测量以预测半导体制造工艺的性能及/或良率。

2、在半导体制造工业中，扩展工艺窗越来越重要。随着半导体工艺变得越来越具挑战性，日益需要对叠对及cd的经增强控制。已提出各种方法以克服此，但实际制造厂面临许多困难。

3、边缘放置误差(epe)是基于叠对及cd的另一计量测量。然而，此类计量测量不一定是半导体晶片的实际电特性(例如，电功能性)改进多少的清晰指示符。此外，即使epe已被计算，其可能仍需要从扫描器控制视角进行重新计算。为了进行此，重新定义晶片的底层与顶层之间的相关性可能存在困难。运用epe进行实时先进工艺控制(apc)校正不一定可能，而使epe作为大量生产中的良率改进指示符的潜力受到限制。

4、因此，期望一种解决半导体制造工艺中的这些不足的系统或方法。

技术实现思路

1、应理解，前文一般描述及下文详细描述两者仅为示范性的及说明性的，且不一定限制如所主张的本发明。并入本说明书中且构成本说明书的一部分的所附图式说明本发明的实施例，且与一般描述一起用于说明本发明的原理。

1.一种系统，其包括：

2.根据权利要求1所述的系统，其中所述控制器进一步经配置以：

3.根据权利要求2所述的系统，其中所述控制器进一步经配置以：

4.根据权利要求3所述的系统，其中所述控制器进一步经配置以：

5.根据权利要求3所述的系统，其中所述控制器进一步经配置以：

6.根据权利要求5所述的系统，其中所述控制器进一步经配置以：

7.根据权利要求1所述的系统，其中所述样本的所述特征的所述一或多个图像中的至少一者经配置以在显影后检验(adi)时获取。

8.根据权利要求1所述的系统，其中所述样本的所述特征的所述一或多个图像中的至少一者经配置以在清洁后检验(aci)时获取。

9.根据权利要求1所述的系统，其中所述控制器进一步经配置以：

10.根据权利要求1所述的系统，其中所述样本设计数据包括与所述特征相关联的多边形数据。

11.一种系统，其包括：

12.根据权利要求11所述的系统，其中所述计量子系统包括电子束计量工具。

13.一种方法，其包括：

14.根据权利要求13所述的方法，其进一步包括：

15.根据权利要求14所述的方法，其进一步包括：

16.根据权利要求15所述的方法，其进一步包括：

17.根据权利要求13所述的方法，其中所述样本的所述特征的所述一或多个图像中的至少一者经配置以在显影后检验(adi)时获取。

18.根据权利要求13所述的方法，其中所述样本的所述特征的所述一或多个图像中的至少一者经配置以在清洁后检验(aci)时获取。

19.根据权利要求13所述的方法，其进一步包括：

20.根据权利要求13所述的方法，其中经由包括电子束计量工具的计量子系统来执行获取所述一或多个图像。

21.根据权利要求13所述的方法，其中所述样本设计数据包括所述特征的多边形数据。