静电夹具的制作方法

本发明涉及一种静电夹具，并且尤其用于将基板或掩模版保持在光刻设备中的静电夹具。

背景技术：

1、光刻设备是被构造成将期望的图案施加到基板上的机器。光刻设备可以用于例如制造集成电路（ic）。光刻设备可以例如将图案形成装置（例如，掩模）的图案（通常也被称为“设计布局”或“设计”）投影到被设置在基板（例如，晶片）上的辐射敏感材料（抗蚀剂）层上。

2、随着半导体制造工艺的不断发展，电路元件的尺寸已经不断减小，而每个器件的功能元件（诸如，晶体管）的数量在数十年内已经不断增加，这遵循通常被称为“摩尔定律”的趋势。为了跟上摩尔定律，半导体工业正在追逐能够创建越来越小的特征的技术。为了在基板上投影图案，光刻设备可以使用电磁辐射。该辐射的波长决定了在基板上图案化的特征的最小尺寸。目前使用的典型波长是365nm（i线）、248nm（krf）、193nm（arf）和13.5nm（euv）。与使用例如波长为193nm的辐射的光刻设备相比，使用波长在4nm至20nm（例如6.7nm或13.5nm）的范围内的极紫外（euv）辐射的光刻设备可以被用于在基板上形成更小的特征。

3、在这种短波长下，图案形成装置和/或基板在光刻设备内的精确定位是必要的。

4、这种光刻设备可以设置有一个或更多个夹具，以将图案形成装置和/或基板分别夹持到诸如掩模台或晶片台的物体支撑件上。该夹具可以是例如机械夹具、真空夹具、或静电夹具。因为euv光刻设备的区域必须在接近真空条件下操作，所以静电夹具可能特别适合于在euv波长下操作。

5、静电夹具通常被保持在低压富氢环境中，该低压富氢环境是通常不导电的环境。因此，残余电荷可能积聚在夹具的介电的或未接地的表面上，这些残余电荷可能例如跨越表面不均匀地分布。

6、在一些现有技术的示例性静电夹具中，由于残余电荷导致的电场可能在电极的边缘区域处过高，这在一些示例中可能导致电荷从电极边缘注入到其中形成电极的介电基板或构件中。这种电荷注入在本领域中可以被称为“掩埋电荷”或“掩埋屏障泄漏”。用于释放残余电荷的已知技术对于这种掩埋泄漏可能是无效的。

7、此外，在夹持操作期间的使用中，由于在电极的边缘处的有效放大场，诸如紧邻电极的边缘的层的介电基板中的任何缺陷可能具有增加的电击穿的风险。所需的夹持压力以及因此施加的电压的可能未来增大有可能增加这种电击穿的可能性。

8、因此，期望提供一种不受过度的掩埋屏障泄漏的影响的静电夹持方法和/或设备。

9、本发明的至少一个方面的至少一个实施例的目的是消除或至少减轻现有技术的上述缺点中的至少一个缺点。

技术实现思路

1、根据本公开内容的第一方面，提供一种用于通过静电力来保持物体的静电夹具，所述夹具包括：第一导电元件；以及第二导电元件，所述第二导电元件被设置在所述第一导电元件与所述物体被保持于所述其中的平面之间并且所述第二导电元件与所述第一导电元件分隔开小于100微米。

2、在仅实施单个的导电元件的现有技术的静电夹具中，可能从导电元件的边缘处的单个辐射点发射相对较强的强度的电场，从而导致过度的掩埋屏障泄漏和/或形成击穿风险点。然而，通过有利地实施如上文所描述的两个导电元件，所述两个导电元件可以共同充当用于发射电场的较少点源。即，由于垂直于导电元件的表面发射电场，通过实施相对紧密接近的两个导电元件，导电元件可以在导电元件的边缘或端点区域周围共同发射较弱的电场。

3、此外，由于使用两个导电元件可能降低电场强度，并且从而降低进入掩埋屏障的泄漏量，因此在使用中，在达到掩埋屏障中的基线等效电场强度之前，夹持电压可能被增加到超过单个导电元件夹具的夹持电压。这可以有利地导致夹持压力的增大。

4、第一导电元件和/或第二导电元件可以分别形成为导电材料（例如，金属）的层。在使用中，第一导电元件和/或第二导电元件可以分别作为电极操作。

5、第二导电元件可以与第一导电元件分隔开小于50微米。

6、第二导电元件可以与第一导电元件分隔开小于20微米。

7、有利地，通过将第一导电元件和第二导电元件如此靠近地设置在一起，第一导电元件和第二导电元件可以在使用中共同作为单个电极操作，但是与静电夹具的单个导电元件实施的方案相比，在边缘区域处产生相对较弱的电场。

8、静电夹具可以包括介电层。介电层可以在第一导电元件与第二导电元件之间延伸。

9、静电夹具可以包括第一介电基板和第二介电基板。第一导电元件和第二导电元件可以被设置在第一介电基板和第二介电基板之间。

10、静电夹具可以包括多个突节，所述多个突节从表面延伸，以限定所述物体被保持于其中的所述平面。第一导电元件和第二导电元件可以在多个突节之间延伸。

11、多个突节中的每一个突节可以延伸穿过第一介电基板和第二介电基板中的每一个介电基板中的相应孔。

12、在每个突节的外表面与第一介电基板和第二介电基板中的每一个介电基板的相应的相对表面之间可以存在间隔。

13、每个突节的外表面以及第一介电基板和第二介电基板中的每一个介电基板的相应的相对表面可以包括导电层。

14、第一介电基板和第二介电基板可以比第一导电元件和第二导电元件延伸得更靠近每个突节。

15、第一导电元件和第二导电元件中的一个可以比第一导电元件和第二导电元件中的另一个朝向每个突节延伸得更多。

16、介电层可以包括聚合物。可选地，聚合物可以包括苯并环丁烯。

17、第一导电元件和/或第二导电元件可以包括金属。可选地，金属可以包括铬。

18、第一介电基板和/或第二介电基板可以包括玻璃。可选地，玻璃可以包括以下各项中的至少一项：硼硅酸盐；熔融硅石；corning® eagle xg®玻璃；ule（超低膨胀系数）玻璃；和/或schott borofloat®。

19、第一介电基板和第二介电基板中的一个可以通过粘合剂被固定到多个突节从其延伸的所述表面。

20、物体可以是在光刻投影技术中使用的基板，例如晶片。

21、物体可以是光刻投影设备中的至少一个中的光刻投影掩模版或掩模版坯。

22、物体可以是掩模版处置设备和/或掩模版制造设备。

23、根据本公开内容的第二方面，提供一种使用如第一方面所述的静电夹具的方法，该方法包括：将静电夹具配置为通过将第一导电元件和第二导电元件偏置到相同的电位而通过静电力来保持物体。

24、在示例中，第一导电元件和第二导电元件的相同电位可以是第一电位，该第一电位与多个突节中的每一个突节的表面处的第二电位不同。

25、根据本公开内容的第三方面，提供一种包括根据第一方面所述的静电夹具的光刻设备。

26、根据本公开内容的第四方面，提供一种制造用于在光刻设备中通过静电力来保持物体的静电夹具的方法，该方法包括以下步骤：在介电基板上形成第一导电元件；形成第二导电元件，该第二导电元件与第一导电元件分隔开小于100微米；以及设置介电基板，使得第二导电元件被设置在第一导电元件与所述物体被保持于其中的平面之间。

27、该方法可以包括形成介电层的步骤。介电层可以形成为使得该介电层在第一导电元件和第二导电元件之间延伸。介电层可以被形成在第一导电元件和第二导电元件中的一个或两个上。

28、根据本公开内容的第五方面，提供一种用于通过静电力来保持物体的静电夹具，所述夹具包括导电元件，该导电元件形成于介电基板上并且在多个突节之间延伸，所述多个突节限定所述物体被保持于其中的平面；其中，导电元件的边缘部分包括弯曲的和/或悬垂的区段。

29、上述 技术实现要素： 旨在仅是示例性的而非限制性的。本公开内容包括单独的或各种组合的一个或更多个对应方面、实施例或特征，无论是否在该组合的或单独的情况下具体地陈述（包括要求保护）。应该理解，上面根据本公开内容的任何方面或下面关于本公开内容的任何特定实施例定义的特征可以在任何其他方面或实施例中单独使用或与任何其他定义的特征组合使用，或者形成本公开内容的另一方面或实施例。