集成化合物半导体共封装光学器件的制作方法

背景技术：

1、通过将传统光学半导体的限制和缺点与本公开其余部分中参照附图所阐述的本方法和系统的某些方面进行比较，这些限制和缺点对于本领域技术人员而言将变得显而易见。

技术实现思路

1、提供了用于生产集成化合物半导体共封装光学器件（ccpo或化合物cpo）的系统和方法，其基本上如至少一幅附图所例示和/或结合至少一幅附图所描述的那样，如在权利要求中更完整地阐述。

1.一种器件，所述器件包括：

2.根据权利要求1所述的器件，其中所述调制器阵列包括电吸收调制器（eam）和/或马赫-曾德尔调制器（mzm）。

3.根据权利要求1所述的器件，其中所述一个或多个无源光学组件被配置用于偏振、旋转、复用、路由、光栅和/或光束扩展。

4.根据权利要求1所述的器件，其中所述调制器阵列以磷化铟（inp）和砷化镓（gaas）中的一种制作。

5.根据权利要求1所述的器件，其中所述pd阵列以磷化铟（inp）和砷化镓（gaas）中的一种制作。

6.根据权利要求1所述的器件，其中所述pic被配置用于2、4或8个通道。

7.根据权利要求1所述的器件，其中所述pic包括磷化铟（inp）半导体光放大器（soa）。

8.根据权利要求1所述的器件，其中所述器件使用远程连续波（cw）激光源以非制冷方式运行。

9.根据权利要求1所述的器件，其中所述pic能够操作以使用波分复用（wdm）来增加输出信号密度。

10.根据权利要求1所述的器件，其中所述eic是超大规模集成电路（hsic）。

11.一种器件，所述器件包括：

12.根据权利要求11所述的器件，其中所述调制器阵列包括电吸收调制器（eam）和/或马赫-曾德尔调制器（mzm）。

13.根据权利要求11所述的器件，其中所述一个或多个无源光学组件被配置用于偏振、旋转、复用、路由、光栅和/或光束扩展。

14.根据权利要求11所述的器件，其中所述调制器阵列以磷化铟（inp）和砷化镓（gaas）中的一种制作。

15.根据权利要求11所述的器件，其中所述pd阵列以磷化铟（inp）和砷化镓（gaas）中的一种制作。

16.根据权利要求11所述的器件，其中所述pic被配置用于2、4或8个通道。

17.根据权利要求11所述的器件，其中所述pic包括磷化铟（inp）半导体光放大器（soa）。

18.根据权利要求11所述的器件，其中所述器件使用远程连续波（cw）激光源以非制冷方式运行。

19.根据权利要求11所述的器件，其中使用波分复用（wdm）来增加输出信号密度。

20.根据权利要求11所述的器件，其中所述serdes被嵌入在超大规模集成电路（hsic）中。