光罩版图结构、晶圆及晶圆加工方法与流程

本申请涉及晶圆加工，具体而言，涉及一种光罩版图结构、晶圆及晶圆加工方法。

背景技术：

1、光罩上的切割道通常会设计光刻标记、监控焊盘、测试键等版图结构，并且切割道部分区域要布置挡板，在切割道不足以布置必要的版图结构时，则需增大切割道的尺寸，而太宽的切割道会占据芯片的空间，如何在保留挡板且不占据过多芯片空间的基础上在切割道布置必要的版图结构，就成了一个亟待解决的问题。

技术实现思路

1、本申请的目的包括，例如，提供了一种光罩版图结构、晶圆及晶圆加工方法，其能够在保留挡板且不占据过多芯片空间的基础上在切割道布置必要的版图结构。

2、本申请的实施例可以这样实现：

3、第一方面，本申请的实施例提供了一种光罩版图结构，包括：

4、芯片图形区，所述芯片图形区包括阵列排布的多个芯片图形，相邻芯片图形之间具有芯片切割道图形区；

5、环绕所述芯片图形区的内切割道图形区和环绕所述内切割道图形区的外切割道图形区，所述外切割道图形区用于设置挡板，所述内切割道图形区用于设置版图结构；

6、其中，所述内切割道图形区与所述外切割道图形区的宽度之和小于所述芯片切割道图形区的宽度，所述内切割道图形区与所述外切割道图形区的宽度相等，且所述外切割道图形区的宽度等于基于所述光罩版图结构进行晶圆曝光时，相邻曝光区之间的重叠宽度。

7、可选的，所述外切割道图形区的宽度等于所述芯片切割道图形区的宽度的三分之一。

8、可选的，所述芯片切割道图形区的宽度等于两个所述内切割道图形区的宽度以及所述外切割道图形区的宽度之和。

9、可选的，所述外切割道图形区的宽度为预设宽度或预设宽度的倍数，其中，所述预设宽度为60um、62um 或80um。

10、可选的，所述挡板的宽度与所述外切割道图形区的宽度相等。

11、可选的，所述挡板的长度为所述外切割道图形区的长度的二分之一或与所述外切割道图形区的长度相等。

12、可选的，所述挡板的数量为两个，两个所述挡板整体呈l形。

13、第二方面，本申请的实施例提供了一种晶圆，包括阵列排布的多个曝光区，各所述曝光区与所述的光罩版图结构相对应，各所述曝光区包括：

14、芯片区，所述芯片区包括阵列排布的多个芯片，相邻所述芯片之间具有芯片切割道区；

15、环绕所述芯片区的内切割道区和环绕所述内切割道区的外切割道区；

16、其中，相邻所述曝光区之间部分重叠，相邻所述曝光区重叠的宽度等于所述外切割道区的宽度。

17、可选的，相邻所述曝光区的芯片区之间的间距等于所述芯片切割道区的宽度。

18、第三方面，本申请还提供了一种晶圆加工方法，包括：

19、提供初始晶圆；

20、基于所述的光罩版图结构对应的光罩对所述初始晶圆进行曝光，形成所述的晶圆，所述晶圆的任意相邻芯片之间的距离相等。

21、本申请实施例提供的光罩版图结构、晶圆及晶圆加工方法的有益效果包括，例如：光罩版图结构通过将围绕芯片图形区的传统单一切割道划分为功能分离的两个区域，即内切割道图形区和外切割道图形区，在外切割道图形区保留了挡板，而在内切割道图形区可布置必要的版图结构，没有增加切割道区整体宽度，进而在基于光罩版图结构对晶圆曝光时不会占据芯片过多的空间，可有效提升晶圆上最终实际切割出的芯片总数。

1.一种光罩版图结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的光罩版图结构，其特征在于，所述外切割道图形区的宽度等于所述芯片切割道图形区的宽度的三分之一。

3.根据权利要求1所述的光罩版图结构，其特征在于，所述芯片切割道图形区的宽度等于两个所述内切割道图形区的宽度以及所述外切割道图形区的宽度之和。

4.根据权利要求1所述的光罩版图结构，其特征在于，所述外切割道图形区的宽度为预设宽度或预设宽度的倍数，其中，所述预设宽度为60um、62um 或80um。

5.根据权利要求1所述的光罩版图结构，其特征在于，所述挡板的宽度与所述外切割道图形区的宽度相等。

6.根据权利要求5所述的光罩版图结构，其特征在于，所述挡板的长度为所述外切割道图形区的长度的二分之一或与所述外切割道图形区的长度相等。

7.根据权利要求5所述的光罩版图结构，其特征在于，所述挡板的数量为两个，两个所述挡板整体呈l形。

8.一种晶圆，其特征在于，包括阵列排布的多个曝光区，各所述曝光区与权利要求1~7任一项所述的光罩版图结构相对应，各所述曝光区包括：

9.根据权利要求8所述的晶圆，其特征在于，相邻所述曝光区的芯片区之间的间距等于所述芯片切割道区的宽度。

10.一种晶圆加工方法，其特征在于，包括：