一种射频前端电路的制作方法
本技术涉及通信，特别是涉及一种射频前端电路。
背景技术：
1、请参考图1，在现有射频5g方案的mhb mimo（中高频多输入输出）设计中，通常采用分立式器件架构，即mimo天线搭配 2200/2300分频合路器、spxt（单刀多掷开关）以及mhb（中高频）分立滤波器件（其中hb对应b7/b41/b40频段，mb对应1+3+66或25+66双saw频段）。而海外市场如欧洲地区的运营商，对通信性能提出了更高要求，需支持1+3+32/7+32载波聚合（ca）、endc以及n28_n75新空口（nr）载波聚合等功能，常规主天线的 mb 频段兼容b32（下行频率1432-1496mhz）和b75（下行频率1432-1516.9mhz）时会导致天线性能受损，因此部分品牌方选择将 b32/b75频段部署在 mimo天线上。同时，中低端手机在满足海外运营商需求时，需支持的ca（载波聚合）及endc（无线接入网-新空口双连接）组合多达数百组，为控制研发与生产成本常采用共pcb（印刷板）设计方案，这使得射频器件占用面积增加，而用户对大电池（如7000ma以上）的需求进一步压缩了主板空间；此外，市面现有mimo difem器件存在固有缺陷，既无法兼容b75/b32频段（b75频率范围包含b32），其aux（辅助）口也不支持与内部器件实现双开功能，上述问题共同构成了当前5g手机射频mhb mimo设计领域的主要技术瓶颈。
技术实现思路
1、本实用新型的目的在于提供一种射频前端电路，提高频段兼容性并简化系统架构。
2、本实用新型提供一种射频前端电路，包括：滤波器、射频前端模块、天线模块和信号处理模块；
3、所述射频前端模块内设有多个滤波器和第一单刀多掷开关；
4、其中，多个所述滤波器中的第一滤波器被配置为处理包括b75频段的第一主集信号；第二滤波器被配置为处理包括b3频段的第一主集mimo信号；第三滤波器被配置为处理包括b66频段的第二主集mimo信号；
5、所述第一单刀多掷开关的输出端与所述滤波器的输入端连接；
6、所述滤波器的输出端与所述信号处理模块的输入端相连；
7、所述第一单刀多掷开关的输入端与所述天线模块的输出端相连。
8、进一步的，多个所述滤波器中的第五滤波器被配置为处理包括b41频段的第三主集mimo信号；第六滤波器被配置为处理包括b7频段的第四主集mimo信号；第七滤波器被配置为处理包括b40频段的第四主机mimo信号。
9、进一步的，还包括第二单刀多掷开关和第三单刀多掷开关；
10、所述第二单刀多掷开关的输入端与所述第二滤波器的输出端相连，所述第二单刀多掷开关的输出端与所述信号处理模块的输入端相连；
11、所述第三单刀多掷开关的输入端与所述第三滤波器的输出端相连，所述第三单刀多掷开关的输出端与所述信号处理模块的输入端相连。
12、进一步的，所述信号处理模块包括：低噪声放大器模组和射频收发器；
13、所述低噪声放大器模组的输入端与所述滤波器的输出端相连，或与所述第二单刀多掷开关和第三单刀多掷开关相连；
14、所述低噪声放大器模组的输出端与所述射频收发器的输入端相连。
15、进一步的，所述第二单刀多掷开关和所述第三单刀多掷开关为单刀双掷开关。
16、进一步的，还包括：射频同轴连接器和射频天线；
17、所述低噪声放大器模组的输入端通过所述射频同轴连接器与所述射频天线相连。
18、进一步的，所述射频前端模块包括mipi接口，所述mipi接口与外接控制指令相连。
19、相比于现有技术，本实用新型至少具有以下技术效果：
20、本实用新型通过将多个滤波器与单刀多掷开关集成在射频前端模块（difem）中，实现了对不同频段信号的有效处理。其中，单刀多掷开关可以根据需要选择不同的滤波器路径，从而支持多种频段和信号类型的处理。滤波器被专门配置用于处理特定频段的信号，例如b1、b3和b32频段，从而b1+b3+b32的载波聚合。此外，采用单独的difem进行信号的处理，可以减少外部器件的数量，降低系统复杂度，并节省电路板空间。
1.一种射频前端电路，其特征在于，包括：滤波器、射频前端模块、天线模块和信号处理模块；
2.如权利要求1所述的射频前端电路，其特征在于，所述滤波器为声表面波滤波器或体声波滤波器。
3.如权利要求1所述的射频前端电路，其特征在于，多个所述滤波器中的第五滤波器被配置为处理包括b41频段的第三主集mimo信号；第六滤波器被配置为处理包括b7频段的第四主集mimo信号；第七滤波器被配置为处理包括b40频段的第四主机mimo信号。
4.如权利要求1所述的射频前端电路，其特征在于，还包括第二单刀多掷开关和第三单刀多掷开关；
5.如权利要求4所述的射频前端电路，其特征在于，所述信号处理模块包括：低噪声放大器模组和射频收发器；
6.如权利要求5所述的射频前端电路，其特征在于，所述第二单刀多掷开关和所述第三单刀多掷开关为单刀双掷开关。
7.如权利要求5所述的射频前端电路，其特征在于，还包括：射频同轴连接器和射频天线；
8.如权利要求1所述的射频前端电路，其特征在于，所述射频前端模块包括mipi接口，所述mipi接口与外接控制指令相连。