用于改变晶圆翘曲度的拾取头及机台的制作方法

本申请涉及半导体领域，特别是涉及一种用于改变晶圆翘曲度的拾取头及机台。

背景技术：

1、在高性能计算（high performance computing，hpc）与人工智能（artificialintelligence，ai）高速迭代背景下，高带宽存储器（high bandwidth memory，hbm）是解决算力与存储带宽矛盾的核心器件，其性能直接影响终端产品运算效率。芯片到晶圆（die-to-wafer，d2w）采用混合键合技术，以超短互连和高键合密度优势，实现hbm堆栈与逻辑芯片高效集成，是推动hbm达成“高带宽、低延迟、小尺寸”目标的核心技术。

2、但是，在芯片和晶圆在键合过程中，芯片翘曲会导致键合后的芯片与晶圆间存在空隙。因此，急需提供一种避免混合键合中芯片与晶圆之间存在空隙的方案。

3、应该注意，上面对技术背景的介绍只是为了方便对本申请的技术方案进行清楚、完整的说明，并方便本领域技术人员的理解而阐述的。不能仅仅因为这些方案在本申请的背景技术部分进行了阐述而认为上述技术方案为本领域技术人员所公知。

技术实现思路

1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本申请的目的在于提供一种用于改变晶圆翘曲度的拾取头及机台，用于解决现有技术中混合键合后的芯片与晶圆间存在空隙的问题。

2、第一方面，为实现上述目的及其他相关目的，本申请提供一种用于改变晶圆翘曲度的拾取头，所述拾取头包括：

3、本体；

4、其中，本体包括：接触面和吸取结构；所述接触面用于与被拾取件触，所述接触面的中心区域与所述接触面的边缘区域具备高度差，所述接触面的中心区域凸出于所述接触面的边缘区域；所述接触面中除所述中心区域、所述边缘区域之外的剩余区域的水平高度位于所述接触面的中心区域的水平高度与所述接触面的边缘区域的水平高度之间；所述吸取结构位于所述本体内，所述吸取结构的吸口位于所述接触面的所述中心区域、所述边缘区域、所述剩余区域上，所述吸取结构用于吸取所述被拾取件。

5、在其中一个实施例中，所述接触面的中心区域、所述接触面的边缘区域、所述接触面的剩余区域为一平面，所述接触面整体呈阶梯状。

6、在其中一个实施例中，所述接触面的中心区域与所述接触面的边缘区域之间的高度差为5微米-30微米。

7、在其中一个实施例中，所述接触面中各区域的水平高度由所述接触面的中心向所述接触面的边缘连续改变，所述接触面整体呈弧面。

8、在其中一个实施例中，所述接触面的中心区域为一平面，所述接触面的边缘区域、所述接触面的剩余区域为一平面或一斜面。

9、在其中一个实施例中，所述吸取结构还包括一气道，所述吸口包括阵列排布于所述接触面上的多个气孔，多个所述气孔与所述气道连通。

10、在其中一个实施例中，所述吸取结构包括多个气道，所述多个气道分别与位于所述接触面的所述中心区域、所述边缘区域、所述剩余区域上的吸口对应连通；其中，所述多个气道的气压相互独立。

11、第二方面，本申请提供了一种机台，包括：机台本体；所述机台本体包括本申请实施例中任一项所述的用于改变晶圆翘曲度的拾取头。

12、如上所述，本申请的用于改变晶圆翘曲度的拾取头及机台，具有以下有益效果：

13、本申请的用于改变晶圆翘曲度的拾取头及机台，包括：本体；其中，本体包括：接触面和吸取结构；接触面用于与被拾取件接触，接触面的中心区域与接触面的边缘区域具备高度差，接触面的中心区域凸出于接触面的边缘区域；接触面中除中心区域、边缘区域之外的剩余区域的水平高度位于接触面的中心区域的水平高度与接触面的边缘区域的水平高度之间；吸取结构位于本体内，吸取结构的吸口位于接触面的中心区域、边缘区域、剩余区域上，吸取结构用于吸取被拾取件。本申请的接触面的不同区域之间存在高度差，且接触面的中心区域凸出于接触面的边缘区域，从而使芯片或晶圆在被拾取头吸取后，由于吸附力和接触面的形貌，芯片或晶圆会呈“笑脸”翘曲，从而使芯片在混合键合过程中，使芯片的中心先与晶圆接触，其次使芯片的边缘与晶圆接触，进而避免空气滞留于键合结构内部形成空隙。

1.一种用于改变晶圆翘曲度的拾取头，其特征在于，所述拾取头包括：

2.根据权利要求1所述的用于改变晶圆翘曲度的拾取头，其特征在于，所述接触面的中心区域、所述接触面的边缘区域、所述接触面的剩余区域为一平面，所述接触面整体呈阶梯状。

3.根据权利要求2所述的用于改变晶圆翘曲度的拾取头，其特征在于，所述接触面的中心区域与所述接触面的边缘区域之间的高度差为5微米-30微米。

4.根据权利要求1所述的用于改变晶圆翘曲度的拾取头，其特征在于，所述接触面中各区域的水平高度由所述接触面的中心向所述接触面的边缘连续改变，所述接触面整体呈弧面。

5.根据权利要求1所述的用于改变晶圆翘曲度的拾取头，其特征在于，所述接触面的中心区域为一平面，所述接触面的边缘区域、所述接触面的剩余区域为一平面或一斜面。

6.根据权利要求1所述的用于改变晶圆翘曲度的拾取头，其特征在于，所述吸取结构还包括一气道，所述吸口包括阵列排布于所述接触面上的多个气孔，多个所述气孔与所述气道连通。

7.根据权利要求1所述的用于改变晶圆翘曲度的拾取头，其特征在于，所述吸取结构包括多个气道，所述多个气道分别与位于所述接触面的所述中心区域、所述边缘区域、所述剩余区域上的吸口对应连通；其中，所述多个气道的气压相互独立。

8.一种机台，其特征在于，包括：机台本体；所述机台本体包括权利要求1-7中任一项所述的用于改变晶圆翘曲度的拾取头。