降低电路板通孔残桩长度的方法与流程

本发明涉及电路板的，特别是一种降低电路板通孔残桩长度的方法。

背景技术：

1、多层电路板可借由形成于通孔内侧孔壁的导电层，建立不同导电线路层之间的电连接。在部分线路配置中，通孔的导电层除了连接预定的目标导通层外，仍可能朝电路板表面方向延伸而形成不参与预定信号传输的残留导电区段。

2、当信号传输频率或资料传输速率提高时，该残留导电区段可能成为信号路径的分支结构，并可能影响通孔区域的阻抗及信号传输状态。为控制所述残留导电区段，可由电路板表面对通孔进行背钻，以移除部分通孔导电层。

3、然而，背钻深度可能受到板厚、内层位置、钻孔设备精度及加工公差等因素影响，且为避免背钻钻针接触或损伤目标导通层，通常需在背钻孔与目标导通层之间保留一定距离。因此，如何在维持目标导通层及其电性连接结构的情况下，进一步控制背钻后残留导电段的长度，仍为相关电路板制造技术所需处理的课题。

技术实现思路

1、本发明公开一种降低电路板通孔残桩长度的方法，主要用以改善现有技术所存在的技术问题。

2、本发明的其中一个实施例公开一种降低电路板通孔残桩长度的方法，其包括：提供电路板，所述电路板具有相对的第一表面及第二表面，以及贯穿所述电路板的通孔，所述通孔具有内侧孔壁，且导电层形成于所述内侧孔壁；于所述通孔内形成树脂填充体；从所述第一表面对所述通孔进行背钻，以移除所述导电层的一部分并形成背钻孔，使残留导电段位于所述背钻孔与目标导通层之间，其中所述残留导电段于蚀刻前沿所述通孔的轴向具有第一长度；于所述第一表面贴附干膜，并于所述干膜形成对应所述背钻孔的开窗，其中所述开窗的开窗直径小于所述背钻孔于所述第一表面的孔口直径；经由所述开窗对所述背钻孔进行喷淋式蚀刻，使蚀刻液移除所述残留导电段的一部分以及位于所述树脂填充体外周侧的所述导电层的一部分，以暴露所述通孔的内侧孔壁的区段，并于所述树脂填充体的外周面与所述内侧孔壁的所述区段之间形成连通所述背钻孔的侧向间隙，其中经蚀刻后的所述残留导电段沿所述通孔的轴向具有第二长度，且所述第二长度小于所述第一长度；对所述电路板进行水洗；以及移除所述干膜。

3、可选地，于所述第一表面贴附所述干膜的同时于所述第二表面进一步贴附第二干膜，并且所述第二干膜覆盖与所述通孔对应的区域。

4、可选地，所述开窗直径为所述孔口直径的75%至95%。

5、可选地，所述孔口直径与所述开窗直径之间的差值为0.10 mm至0.15 mm。

6、可选地，所述孔口直径与所述开窗直径之间的差值为0.127 mm。

7、可选地，所述蚀刻液为包含盐酸及氯化铜的酸性蚀刻液。

8、可选地，进行所述喷淋式蚀刻时，所述蚀刻液的铜离子浓度为110 g/l至170 g/l、比重为1.31至1.37、酸度为1.1 n至2.1 n及温度为48°c至52°c，所述喷淋压力为1.0 kgf/cm2至3.0 kgf/cm2，且所述电路板的输送速度为5.5 m/min至6.5 m/min。

9、可选地，所述第二长度不大于3.5 mil。

10、可选地，所述侧向间隙沿垂直于所述通孔轴向的径向具有15 μm至30 μm的间隙宽度。

11、可选地，所述背钻是使用背钻钻针进行，且所述背钻钻针的钻尖角为120度至150度。

12、综上所述，本发明方法先对电路板的通孔进行背钻，以移除部分形成于通孔内侧孔壁的导电层，并于背钻孔与目标导通层之间保留残留导电段；其后，于电路板贴附干膜，并且开窗，且使开窗尺寸小于背钻孔的孔口尺寸，再经由该开窗进行喷淋式蚀刻。借由干膜对非预定蚀刻区域的遮蔽，以及树脂填充体对蚀刻液流动路径的限制，蚀刻液可沿树脂填充体的外周侧接触并移除部分残留导电段及部分导电层。因此，可在不需使背钻钻针进一步接近目标导通层的情况下，使蚀刻后残留导电段的第二长度小于背钻后未蚀刻前的第一长度。经蚀刻后，树脂填充体的外周面与通孔内侧孔壁的露出区段之间可形成连通背钻孔的侧向间隙。

13、由此，本发明可结合机械式背钻与化学式蚀刻，对残留导电段进行分阶段控制，并降低背钻设备控深公差、板厚公差及层别位置公差对最终残留长度的影响。

14、为了更进一步了解本发明的特征及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，但是这些说明与附图仅用来说明本发明，而非对本发明的保护范围作任何的限制。

1.一种降低电路板通孔残桩长度的方法，其特征在于，所述降低电路板通孔残桩长度的方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，于所述第一表面贴附所述干膜的同时于所述第二表面进一步贴附第二干膜，并且所述第二干膜覆盖与所述通孔对应的区域。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述开窗直径为所述孔口直径的75%至95%。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述孔口直径与所述开窗直径之间的差值为0.10 mm至0.15 mm。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述孔口直径与所述开窗直径之间的差值为0.127 mm。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述蚀刻液为包含盐酸及氯化铜的酸性蚀刻液。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，进行所述喷淋式蚀刻时，所述蚀刻液的铜离子浓度为110 g/l至170 g/l、比重为1.31至1.37、酸度为1.1 n至2.1 n及温度为48°c至52°c，喷淋压力为1.0 kgf/cm2至3.0 kgf/cm2，且所述电路板的输送速度为5.5 m/min至6.5m/min。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二长度不大于3.5 mil。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述侧向间隙沿垂直于所述通孔轴向的径向具有15 μm至30 μm的间隙宽度。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述背钻是使用背钻钻针进行，且所述背钻钻针的钻尖角为120度至150度。