发光元件阵列基板及其制造方法与流程

本发明涉及一种发光元件阵列基板及其制造方法。

背景技术：

1、在各种主动式发光显示器中，微型发光二极管显示器具有局部调光（localdimming）、高亮度、更长的使用寿命等优点，因此成为未来面板产业的主要发展技术。

2、微型发光二极管显示器除了驱动电路层的线路会反光外，因巨量转移（masstransfer）的技术不易，除了会在基板上设置接合接垫外，还会设置修补接垫。驱动电路层的线路、接合接垫及修补接垫的材料都包括金属，而金属具有高反射率。因此，需在微型发光二极管显示面板中设置吸光绝缘图案层，以降低微型发光二极管显示面板的反射率。一般而言，会先在微型发光二极管显示面板的驱动背板及微型发光二极管上先层压一吸光绝缘层，再减薄并图案化吸光绝缘层，以形成吸光绝缘图案层。然而，吸光绝缘层在各处的膜厚差异大，需进行多次工艺方能图案化出所需的吸光绝缘图案层，使得发光二极管显示器的工艺较复杂。

技术实现思路

1、本发明提供一种发光元件阵列基板，性能佳。

2、本发明提供一种发光元件阵列基板的制造方法，工艺简单。

3、本发明的发光元件阵列基板包括基板、驱动线路结构、第一绝缘图案层、第二绝缘图案层、至少一发光元件及吸光绝缘图案层。基板具有透光区及透光区外的非透光区。驱动线路结构设置于基板的非透光区上。第一绝缘图案层设置于驱动线路结构上。第二绝缘图案层设置于第一绝缘图案层上。至少一发光元件设置于第二绝缘图案层上，位于基板的非透光区，且电性连接至驱动线路结构。吸光绝缘图案层设置于第二绝缘图案层上。至少一发光元件设置于吸光绝缘图案层的至少一凹陷中。第一绝缘图案层的实体、第二绝缘图案层的实体及吸光绝缘图案层的实体位于基板的非透光区。第二绝缘图案层的第二开口及吸光绝缘图案层的第三开口位于基板的透光区。第二绝缘图案层的第二开口位于第一绝缘图案层的第一开口内。吸光绝缘图案层的第三开口位于第二绝缘图案层的第二开口上。

4、本发明的发光元件阵列基板的制造方法，包括下列步骤：提供驱动背板，其中驱动背板包括基板、驱动线路结构、平坦层、第一绝缘图案层及绝缘材料层，驱动线路结构设置于基板上，平坦层设置驱动线路结构上，第一绝缘图案层设置于平坦层上且具有第一开口，绝缘材料层设置于第一绝缘图案层上且填入第一开口；接合至少一发光元件与驱动背板，以使至少一发光元件电性连接至驱动线路结构；于驱动背板上形成吸光绝缘材料层，以覆盖驱动背板及至少一发光元件；加热驱动背板，以固化吸光绝缘材料层，其中在加热驱动背板的同时，平坦层中的水份转变为水气进入绝缘材料层及吸光绝缘材料层，而使绝缘材料层及吸光绝缘材料层产生形变；在绝缘材料层及吸光绝缘材料层已形变后，图案化吸光绝缘材料层及绝缘材料层并减薄吸光绝缘材料层，以使吸光绝缘材料层形成吸光绝缘图案层，且使绝缘材料层形成第二绝缘图案层，其中吸光绝缘图案层露出至少一发光元件的至少一发光面，第二绝缘图案层具有第二开口，吸光绝缘图案层具有第三开口，第二绝缘图案层的第二开口位于第一绝缘图案层的第一开口内，且吸光绝缘图案层的第三开口位于第二绝缘图案层的第二开口上。

1.一种发光元件阵列基板，包括：

2.如权利要求1所述的发光元件阵列基板，其中在该发光元件阵列基板的俯视图中，该第二绝缘图案层的该第二开口位于该第一绝缘图案层的该第一开口以内。

3.如权利要求1所述的发光元件阵列基板，其中该第一绝缘图案层的该第一开口的形状与该第二绝缘图案层的该第二开口的形状不同。

4.如权利要求1所述的发光元件阵列基板，其中该第一绝缘图案层具有定义该第一开口的一侧壁，该第二绝缘图案层的该实体的一部分覆盖该第一绝缘图案层的该侧壁的至少一部分。

5.如权利要求1所述的发光元件阵列基板，还包括：

6.如权利要求1所述的发光元件阵列基板，其中该吸光绝缘图案层的该第三开口与该第二绝缘图案层的该第二开口实质上切齐。

7.如权利要求1所述的发光元件阵列基板，其中该第一绝缘图案层的一膜厚大于或等于该第二绝缘图案层的一膜厚。

8.如权利要求1所述的发光元件阵列基板，还包括：

9.如权利要求1所述的发光元件阵列基板，还包括：

10.一种发光元件阵列基板的制造方法，包括：

11.如权利要求10所述的发光元件阵列基板的制造方法，其中在该发光元件阵列基板的俯视图中，该第二绝缘图案层的该第二开口位于该第一绝缘图案层的该第一开口以内。

12.如权利要求10所述的发光元件阵列基板的制造方法，其中在该发光元件阵列基板的俯视图中，该第一绝缘图案层的该第一开口的形状与该第二绝缘图案层的该第二开口的形状不同。

13.如权利要求10所述的发光元件阵列基板的制造方法，其中该第一绝缘图案层具有定义该第一开口的一侧壁，该第二绝缘图案层的一实体的一部分覆盖该第一绝缘图案层的该侧壁的至少一部分。

14.如权利要求10所述的发光元件阵列基板的制造方法，其中该第二绝缘图案层的一实体的一部分位于该第一绝缘图案层的该第一开口中且接触该平坦层。

15.如权利要求10所述的发光元件阵列基板的制造方法，其中该吸光绝缘图案层的该第三开口与该第二绝缘图案层的该第二开口实质上切齐。

16.如权利要求10所述的发光元件阵列基板的制造方法，其中该第一绝缘图案层的一膜厚大于或等于该第二绝缘图案层的一膜厚。

17.如权利要求10所述的发光元件阵列基板的制造方法，其中该平坦层的一膜厚大于或等于该第二绝缘层的一膜厚的十倍。