超高导热石墨基散热屏蔽复合结构及其使用方法与流程

本发明属于散热，具体涉及超高导热石墨基散热屏蔽复合结构及其使用方法。

背景技术：

1、随着电子设备集成度不断提高，台式电脑一体机内部电子元器件的散热和电磁屏蔽要求也越来越高。目前常用的散热材料如铜箔和铝箔，铜箔的热导率约为398w/(m·k)，铝箔的热导率约为237w/(m·k)，散热能力相对有限。

2、石墨片虽然具有较高的平面热导率，但石墨片本身较脆，容易发生断裂和掉屑。

3、基于此，本发明公开了超高导热石墨基散热屏蔽复合结构及其使用方法。

技术实现思路

1、为解决现有技术中的问题，本发明的目的在于提供超高导热石墨基散热屏蔽复合结构及其使用方法。

2、为实现上述目的，达到上述技术效果，本发明采用的技术方案为：

3、超高导热石墨基散热屏蔽复合结构，贴于台式电脑一体机后壳内部，包括由上至下顺序设置的网格离型膜、铜箔双面胶带、石墨片、单面导电布胶带和硅胶保护膜。

4、进一步的，所述网格离型膜的离型力为1-5g/25mm，残余率≥80%，离型面朝下。

5、进一步的，所述铜箔双面胶带的粘性为700-1400gf/inch，阻抗≤0.015ohms，屏蔽效能为40-60db。

6、进一步的，所述石墨片的厚度为0.032±0.005mm，平面热导率为1500±150w/(m·k)。

7、进一步的，所述单面导电布胶带的厚度为0.055±0.01mm，粘性＞1000g/25mm，胶面阻抗＜0.1ω/sq，屏蔽效能为70-100db，胶面朝上。

8、进一步的，所述铜箔双面胶带和单面导电布胶带的宽度和长度均大于石墨片，所述铜箔双面胶带和单面导电布胶带将石墨片完全包裹在内部。

9、进一步的，所述硅胶保护膜的厚度为0.05±0.003mm，粘性为10-15g/25mm，胶面朝上。

10、进一步的，所述网格离型膜、铜箔双面胶带、石墨片、单面导电布胶带和硅胶保护膜的两端相同位置分别开设定位圆孔。

11、本发明还公开了超高导热石墨基散热屏蔽复合结构的使用方法，包括以下步骤：

12、先利用硅胶保护膜上的两个圆孔定位到治具上，再分三次从中间向两侧去除网格离型膜，将胶面贴合到后壳的相应位置，再分三次从中间向两侧去除硅胶保护膜。

13、与现有技术相比，本发明的有益效果为：

14、1）采用石墨片作为散热主体，平面热导率高达1500±150w/(m·k)，远高于传统铜箔和铝箔，散热效率更高，有利于保护电子元器件；

15、2）铜箔双面胶带和单面导电布胶带的尺寸均大于石墨片，并将石墨片完全包裹，可有效防止石墨片断裂和掉屑；

16、3）铜箔双面胶带和单面导电布胶带均具有良好的导电和屏蔽性能，可提高整体电磁屏蔽效果；

17、4）网格离型膜在铜箔双面胶带上形成网格印，贴合时有利于排气，使贴合更加平整，不易产生气泡；

18、5）设置定位圆孔，便于组装时定位；

19、6）硅胶保护膜采用低粘性设计，去除时不易产生残胶；分三次从中间向两侧去除离型膜和保护膜，可防止层间分层。

1.超高导热石墨基散热屏蔽复合结构，其特征在于，贴于台式电脑一体机后壳内部，包括由上至下顺序设置的网格离型膜、铜箔双面胶带、石墨片、单面导电布胶带和硅胶保护膜。

2.根据权利要求1所述的超高导热石墨基散热屏蔽复合结构，其特征在于，所述网格离型膜的离型力为1-5g/25mm，残余率≥80%，离型面朝下。

3.根据权利要求1所述的超高导热石墨基散热屏蔽复合结构，其特征在于，所述铜箔双面胶带的粘性为700-1400gf/inch，阻抗≤0.015ohms，屏蔽效能为40-60db。

4.根据权利要求1所述的超高导热石墨基散热屏蔽复合结构，其特征在于，所述石墨片的厚度为0.032±0.005mm，平面热导率为1500±150w/(m·k)。

5.根据权利要求1所述的超高导热石墨基散热屏蔽复合结构，其特征在于，所述单面导电布胶带的厚度为0.055±0.01mm，粘性＞1000g/25mm，胶面阻抗＜0.1ω/sq，屏蔽效能为70-100db，胶面朝上。

6.根据权利要求1所述的超高导热石墨基散热屏蔽复合结构，其特征在于，所述铜箔双面胶带和单面导电布胶带的宽度和长度均大于石墨片，所述铜箔双面胶带和单面导电布胶带将石墨片完全包裹在内部。

7.根据权利要求1所述的超高导热石墨基散热屏蔽复合结构，其特征在于，所述硅胶保护膜的厚度为0.05±0.003mm，粘性为10-15g/25mm，胶面朝上。

8.根据权利要求1所述的超高导热石墨基散热屏蔽复合结构，其特征在于，所述网格离型膜、铜箔双面胶带、石墨片、单面导电布胶带和硅胶保护膜的两端相同位置分别开设定位圆孔。

9.根据权利要求1-8任一所述的超高导热石墨基散热屏蔽复合结构的使用方法，其特征在于，包括以下步骤：