阵列基板及其制备方法、显示面板与流程

摘要: 本申请涉及显示,具体涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板。背景技术:1、近年来,柔性有机电致发光二极体(active-matrixorganiclight-e...
阵列基板及其制备方法、显示面板与流程

本申请涉及显示,具体涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板。

背景技术:

1、近年来,柔性有机电致发光二极体(active-matrix organic light-emittingdiode,amoled)技术凭借其众多优势,成为显示领域新宠。然而,amloed产品的良率仍有待提升。

技术实现思路

1、有鉴于此,本申请实施例提供了一种阵列基板及其制备方法、显示面板,解决了现有技术中显示面板良率较低的问题。

2、本申请第一方面提供了一种阵列基板,包括:衬底;图案化的第一导电层,第一导电层位于衬底的一侧;第一无机绝缘层,第一无机绝缘层位于第一导电层的背离衬底一侧,并与第一导电层接触,第一无机绝缘层包括至少一个导电过孔,第一无机绝缘层在衬底上的正投影和导电过孔在衬底上的正投影的整体为实心图形,实心图形覆盖第一导电层在衬底上的正投影;第一无机绝缘层靠近第一导电层的表面为凹凸表面,第一无机绝缘层背离衬底的表面为平面;以及图案化的第二导电层,第二导电层位于第一无机绝缘层的背离衬底一侧,并与第一无机绝缘层接触,第二导电层在衬底上的正投影位于实心图形内,第二导电层在衬底上的正投影和第一导电层在衬底上的正投影部分交叠。

3、结合第一方面,在一些可能的实现方式中,阵列基板还包括第二无机绝缘层和图案化的第三导电层,第二无机绝缘层位于第二导电层和第三导电层之间,第二无机绝缘层与第二导电层接触的表面为凹凸表面,第二无机绝缘层与第三导电层接触的表面为平面。

4、结合第一方面,在一些可能的实现方式中,第一导电层包括第一栅极信号线;第三导电层包括第一恒压信号线,第一恒压信号线在衬底上的正投影和第一栅极信号线在衬底上的正投影交叠;第一恒压信号线包括位于交叠处的第一交叠部,以及分别位于第一交叠部两侧的第一部和第二部,第一部与第一交叠部接触,第二部与第一交叠部接触;第一交叠部的线宽、第一部的线宽和第二部的线宽相等;优选的,第一栅极信号线包括位于交叠处的第二交叠部,以及分别位于第二交叠部两侧的第三部和第四部,第三部与第二交叠部接触,第四部与第二交叠部接触;第二交叠部的线宽、第三部的线宽和第四部的线宽相等;优选的,第一栅极信号线包括扫描信号线和发光控制信号线中的至少一种;优选的,第一恒压信号线包括初始化信号线和电源电压信号线中的至少一种。

5、结合第一方面,在一些可能的实现方式中,阵列基板包括相邻设置的第一像素电路区和第二像素电路区;第三导电层包括第二恒压信号线和第三恒压信号线,第二恒压信号线位于第一像素电路区,第三恒压信号线位于第二像素电路区;第二恒压信号线的至少部分和第三恒压信号线的至少部分平行。

6、结合第一方面,在一些可能的实现方式中,第三导电层还包括第四恒压信号线,第四恒压信号线的中轴线位于第一像素电路区和第二像素电路区的分界线上;第二恒压信号线和第三恒压信号线关于第四恒压信号线呈轴对称。

7、结合第一方面,在一些可能的实现方式中,第一导电层还包括第二栅极信号线,第二恒压信号线、第三恒压信号线和第四恒压信号线在衬底上的正投影分别与第二栅极信号线在衬底上的正投影交叠。

8、结合第一方面,在一些可能的实现方式中,第一无机绝缘层的最大厚度大于或等于0.5微米并且小于或等于0.7微米。

9、结合第一方面,在一些可能的实现方式中,阵列基板还包括平坦化层,平坦化层位于第二导电层背离衬底一侧,平坦化层的最大厚度大于或等于1.1微米并且小于或等于1.7微米。

10、本申请第二方面提供了一种阵列基板的制备方法,包括:在衬底上制备图案化的第一导电层;在第一导电层背离衬底一侧制备第一绝缘材料层,第一绝缘材料层背离衬底的表面为平面;对第一绝缘材料层进行减薄处理,得到第一无机绝缘层;在第一无机绝缘层背离衬底一侧制备图案化的第二导电层。

11、本申请第三方面提供了一种显示面板,包括上述任一实施例提供的阵列基板,或根据上述实施例提供的制备方法得到的阵列基板。

12、根据本申请实施例提供的阵列基板及其制备方法、显示面板,第一无机绝缘层的背离第一导电层的表面为平面,即第一无机绝缘层的背离第一导电层的表面不受第一导电层的图案化的影响,从而使得第二导电层不再受到第一导电层的图案化的影响,进而避免了第二导电层发生短路和断路的风险,提升了显示产品的良率。

1.一种阵列基板,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,还包括第二无机绝缘层和图案化的第三导电层,所述第二无机绝缘层位于所述第二导电层和所述第三导电层之间,所述第二无机绝缘层与所述第二导电层接触的表面为凹凸表面,所述第二无机绝缘层与所述第三导电层接触的表面为平面。

3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述第一导电层包括第一栅极信号线;所述第三导电层包括第一恒压信号线,所述第一恒压信号线在所述衬底上的正投影和所述第一栅极信号线在所述衬底上的正投影交叠;所述第一恒压信号线包括位于交叠处的第一交叠部,以及分别位于所述第一交叠部两侧的第一部和第二部,所述第一部与所述第一交叠部接触,所述第二部与所述第一交叠部接触;所述第一交叠部的线宽、所述第一部的线宽和所述第二部的线宽相等;

4.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板包括相邻设置的第一像素电路区和第二像素电路区;所述第三导电层包括第二恒压信号线和第三恒压信号线,所述第二恒压信号线位于所述第一像素电路区,所述第三恒压信号线位于所述第二像素电路区;所述第二恒压信号线的至少部分和所述第三恒压信号线的至少部分平行。

5.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述第三导电层还包括第四恒压信号线,所述第四恒压信号线的中轴线位于所述第一像素电路区和所述第二像素电路区的分界线上;所述第二恒压信号线和所述第三恒压信号线关于所述第四恒压信号线呈轴对称。

6.根据权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,所述第一导电层还包括第二栅极信号线,所述第二恒压信号线、所述第三恒压信号线和所述第四恒压信号线在所述衬底上的正投影分别与所述第二栅极信号线在所述衬底上的正投影交叠。

7.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一无机绝缘层的最大厚度大于或等于0.5微米并且小于或等于0.7微米。

8.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,还包括平坦化层,所述平坦化层位于所述第二导电层背离所述衬底一侧,所述平坦化层的最大厚度大于或等于1.1微米并且小于或等于1.7微米。

9.一种阵列基板的制备方法,其特征在于,包括:

10.一种显示面板,其特征在于,包括权利要求1-8中任一项所述阵列基板,或根据权利要求9所述制备方法得到的阵列基板。