制造激光结构的方法与其结构与流程

本发明是关于一种激光结构，且特别是关于一种以环形盲孔取代传统环状沟槽的激光结构。

背景技术：

1、面射型激光(surface emitting laser；sel)为一种半导体结构，其激光垂直于顶面射出。为了面射型激光的发光效率与响应速度，可于激光结构内设置电流拘限层，其中电流拘限层可控制sel的电流的走向。借此，可局限sel的电流进入光窗(即预定的发光区域)，以增加光窗的电流密度，进而使元件更容易发出激光。

技术实现思路

1、本发明的部分实施方式提供一种激光结构。此激光结构采用环形排列的盲孔，以取代传统环状蚀刻沟槽。借此，可有效地避免在后续布线工艺中金属断裂而导致元件失效。此激光结构的环形盲孔不拘限以蚀刻的方式制作。借此，可大幅降低材料及工艺成本，并且提升元件的散热效率。再者，此环形盲孔不拘限在光窗的位置开盲孔，可在光窗位置之外都制作盲孔。借此，可达到准平面的效果，以避免环状排列的盲孔与盲孔之间的漏电流路径，进而防止漏电流。

2、本发明的部分实施方式提供了一种制造激光结构的方法。此方法包括：于导电基板上形成第一半导体层；于第一半导体层上形成活性层；于活性层上形成第二半导体层；于第二半导体层上形成介电层；于第二半导体层中形成多个盲孔；以及于第二半导体层以及盲孔中形成氧化绝缘层，以得到激光结构，其中盲孔自介电层的上表面延伸至第二半导体层的下表面，盲孔暴露活性层的上表面。

3、依据本发明的部分实施方式，所述第一半导体层与所述第二半导体层的导电型态不相同。

4、依据本发明的部分实施方式，所述第一半导体层与所述第二半导体层的导电型态相同。

5、依据本发明的部分实施方式，第二半导体层的导电型态为p型掺杂或为n型掺杂搭配穿隧接面。

6、依据本发明的部分实施方式，活性层将第二半导体层与第一半导体层分隔开。

7、依据本发明的部分实施方式，氧化绝缘层具有第一部分以及第二部分，第二部分延伸超出第一部分。

8、依据本发明的部分实施方式，氧化绝缘层的第二部分与第二半导体层以及活性层形成发光区。

9、依据本发明的部分实施方式，发光区位于氧化绝缘层的第二部分之间。

10、依据本发明的部分实施方式，盲孔包括多个第一盲孔以及多个第二盲孔，其中第二盲孔位于第一盲孔之间。

11、依据本发明的部分实施方式，氧化绝缘层具有第一部分以及第二部分，氧化绝缘层的第二部分与第二半导体层以及活性层形成发光区，其中第一盲孔围绕发光区。

12、本发明的部分实施方式提供了一种激光结构。此激光结构包括导电基板、第一半导体层、活性层、第二半导体层、多个盲孔以及氧化绝缘层。第一半导体层设置于导电基板上。活性层设置于第一半导体层。第二半导体层设置于活性层上。盲孔自第二半导体层的上表面延伸至第二半导体层的下表面，其中盲孔暴露活性层的上表面。氧化绝缘层位于第二半导体层以及盲孔中。

13、依据本发明的部分实施方式，氧化绝缘层具有第一部分以及第二部分，第二部分延伸超出第一部分。

14、依据本发明的部分实施方式，氧化绝缘层的第二部分与第二半导体层以及活性层形成发光区。

15、依据本发明的部分实施方式，发光区位于氧化绝缘层的第二部分之间。

16、依据本发明的部分实施方式，盲孔包括多个第一盲孔以及多个第二盲孔，其中第二盲孔位于第一盲孔之间。

17、依据本发明的部分实施方式，氧化绝缘层的第二部分与第二半导体层以及活性层形成发光区，其中第一盲孔围绕发光区。

18、依据本发明的部分实施方式，第一盲孔为正三角形排列。

19、依据本发明的部分实施方式，第一盲孔为n边形排列，n为大于4的正整数。

20、依据本发明的部分实施方式，氧化绝缘层的第二部分与第二半导体层以及活性层形成发光区，其中第一盲孔的排列定义发光区的形状。

21、依据本发明的部分实施方式，氧化绝缘层的第二部分与第二半导体层以及活性层形成发光区，其中发光区的氧化孔径符合

22、da＝r1-d1-2×l1，

23、其中da为氧化孔径、d1为第一盲孔或第二盲孔的直径以及l1为氧化绝缘层朝第二半导体层的氧化深度。

24、依据本发明的部分实施方式，第一盲孔以及所述多个第二盲孔符合

25、d1

26、其中d1为第一盲孔或第二盲孔的直径、d2为相邻的第一盲孔或第二盲孔的间距以及l1为氧化绝缘层朝第二半导体层的氧化深度。

1.一种制造激光结构的方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中所述第一半导体层与所述第二半导体层的导电型态相同。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中所述第一半导体层与所述第二半导体层的导电型态不相同。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中所述第二半导体层的导电型态为p型掺杂或为n型掺杂搭配穿隧接面。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中所述活性层将所述第二半导体层与所述第一半导体层分隔开。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中所述氧化绝缘层具有第一部分以及第二部分，所述第二部分延伸超出所述第一部分。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，其中所述氧化绝缘层的所述第二部分与所述第二半导体层以及所述活性层形成发光区。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，其中所述发光区位于所述氧化绝缘层的所述第二部分之间。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中所述多个盲孔包括多个第一盲孔以及多个第二盲孔，其中所述多个第二盲孔位于所述多个第一盲孔之间。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，其中所述氧化绝缘层具有第一部分以及第二部分，所述氧化绝缘层的所述第二部分与所述第二半导体层以及所述活性层形成发光区，其中所述多个第一盲孔围绕所述发光区。

11.一种激光结构，其特征在于，包括：

12.根据权利要求11所述的激光结构，其特征在于，其中所述氧化绝缘层具有第一部分以及第二部分，所述第二部分延伸超出所述第一部分。

13.根据权利要求12所述的激光结构，其特征在于，其中所述氧化绝缘层的所述第二部分与所述第二半导体层以及所述活性层形成发光区。

14.根据权利要求13所述的激光结构，其特征在于，其中所述发光区位于所述氧化绝缘层的所述第二部分之间。

15.根据权利要求13所述的激光结构，其特征在于，其中所述多个盲孔包括多个第一盲孔以及多个第二盲孔，其中所述多个第二盲孔位于所述多个第一盲孔之间。

16.根据权利要求15所述的激光结构，其特征在于，其中所述氧化绝缘层的所述第二部分与所述第二半导体层以及所述活性层形成发光区，其中所述多个第一盲孔围绕所述发光区。

17.根据权利要求15所述的激光结构，其特征在于，其中所述多个第一盲孔为正三角形排列。

18.根据权利要求15所述的激光结构，其特征在于，其中所述多个第一盲孔为n边形排列，n为大于4的正整数。

19.根据权利要求15所述的激光结构，其特征在于，其中所述氧化绝缘层的所述第二部分与所述第二半导体层以及所述活性层形成发光区，其中所述多个第一盲孔的排列定义所述发光区的形状。

20.根据权利要求15所述的激光结构，其特征在于，其中所述氧化绝缘层的所述第二部分与所述第二半导体层以及所述活性层形成发光区，其中所述发光区的氧化孔径符合

21.根据权利要求15所述的激光结构，其特征在于，其中所述多个第一盲孔以及所述多个第二盲孔符合