多波长集成半导体激光器的制造方法与流程

本公开涉及具有分别负责不同的波段中的激光振荡的多个半导体激光器的多波长集成半导体激光器的制造方法。

背景技术：

1、对多波长集成半导体激光器要求进一步高速化、高功能化以及低成本化。在专利文献1公开的技术中，首先在半导体基板上形成第一半导体激光部的脊形构造。接着，形成具有与第一半导体激光部不同的振荡波段的第二半导体激光部的脊形构造。通过这样依次形成振荡波段相互不同的多个半导体激光部，能够实现高集成化。

2、专利文献1：日本特开2004-207588号公报

3、在多波长集成半导体激光器中，期望波长特性不发生变化。因此期望在各个半导体激光部活性层的高度均匀。

4、在现有技术中，首先外延生长第一半导体激光部的半导体层。进而进行蚀刻而形成第一半导体激光部的脊形构造，并且除脊形构造的区域以外使半导体基板露出。进而以覆盖第一半导体激光部的脊形构造的方式外延生长第二半导体激光部的半导体层。进而，用抗蚀剂对第二半导体激光部的形成部分进行掩蔽。然后，进行蚀刻并形成第二半导体激光部的脊形构造。

5、在现有技术中，在用于形成第一半导体激光部的脊形构造的蚀刻过剩的情况下，会蚀刻到半导体基板。由此，使第二半导体激光部的半导体层的外延生长开始的半导体基板的表面变得与第一半导体激光部不同。由此，在第一半导体激光部与第二半导体激光部处，活性层的高度不一致。

技术实现思路

1、本公开为了解决上述课题，目的在于提供能够使分别负责不同的波段中的激光振荡的多个半导体激光部的活性层的高度一致的多波长集成半导体激光器的制造方法。

2、本公开的方式优选为一种多波长集成半导体激光器的制造方法，其特征在于，包括以下工序：

3、在半导体基板之上外延生长半导体层的工序；

4、对所述半导体层进行蚀刻而同时形成第一槽和第二槽的工序；

5、在用第一绝缘膜对所述第二槽的内侧和所述半导体层的上表面进行掩蔽的基础上，在所述第一槽内至少外延生长第一活性层而形成第一半导体激光部的工序；

6、在去除所述第一绝缘膜之后，在用第二绝缘膜对所述第一半导体激光部的上表面和所述半导体层的上表面进行掩蔽的基础上，在所述第二槽内至少外延生长第二活性层而形成第二半导体激光部的工序；以及

7、在去除所述第二绝缘膜之后，在用第三绝缘膜对所述第一半导体激光部的上表面和所述第二半导体激光部的上表面的一部分进行掩蔽的基础上，对所述第一半导体激光部、所述第二半导体激光部以及所述半导体层进行干式蚀刻，形成所述第一半导体激光部的台面构造和所述第二半导体激光部的台面构造的工序。

8、在本公开中，对形成在半导体基板上的半导体层进行蚀刻而同时形成第一槽和第二槽。在第一槽的内侧处至少选择性外延生长第一活性层而形成第一半导体激光部，在第二槽的内侧处至少选择性外延生长第二活性层而形成第二半导体激光部。能够在半导体基板上从实施了相同蚀刻的表面外延生长第一及第二半导体激光部的半导体层，因此能够使第一活性层和第二活性层的高度一致。

1.一种多波长集成半导体激光器的制造方法，其特征在于，包括以下工序：

2.根据权利要求1所述的多波长集成半导体激光器的制造方法，其特征在于，还包括以下工序：

3.根据权利要求2所述的多波长集成半导体激光器的制造方法，其特征在于，

4.根据权利要求2或3所述的多波长集成半导体激光器的制造方法，其特征在于，

5.根据权利要求1～4中的任一项所述的多波长集成半导体激光器的制造方法，其特征在于，还包括以下工序：

6.根据权利要求5所述的多波长集成半导体激光器的制造方法，其特征在于，

7.根据权利要求5所述的多波长集成半导体激光器的制造方法，其特征在于，

8.根据权利要求1～7中的任一项所述的多波长集成半导体激光器的制造方法，其特征在于，

9.根据权利要求1～8中的任一项所述的多波长集成半导体激光器的制造方法，其特征在于，

10.根据权利要求9所述的多波长集成半导体激光器的制造方法，其特征在于，

11.根据权利要求1～8中的任一项所述的多波长集成半导体激光器的制造方法，其特征在于，