一种芯片版图弱点手册的制作方法及执行程序与流程

本申请涉及半导体制造，特别是涉及一种芯片版图弱点手册的制作方法及执行程序。

背景技术：

1、随着集成电路制程节点的不断微缩，半导体制造工艺的复杂度和精密程度呈指数级上升。在晶圆制造过程中，由于光学邻近效应、蚀刻负载效应以及化学机械平坦化等物理化学机制的限制，版图设计中的某些特定图形在实际制造中极易产生桥接、断路、关键尺寸偏差等缺陷。这些在特定工艺窗口下最容易失效的图形结构通常被称为弱点。有效且精准地识别、量测并优化这些弱点，是提升光刻工艺质量、保障晶圆良率的核心环节。

2、在相关技术中，弱点的分析和验证主要依赖于光学邻近修正工程师的经验。工程师需要对光刻仿真结果或晶圆缺陷检测数据进行人工审查，筛选出工艺窗口较小的个别图形作为弱点。随后，工程师需要手动提取这些弱点的设计坐标、物理尺寸、图形方向以及所属的版图图层等关键信息，并手动将这些信息整理制作成弱点手册。该手册作为后续晶圆量测设备进行自动量测和对准的基准指导文件。

3、在新产品的研发和工艺导入阶段，往往存在成千上万个弱点需要进行量测验证。传统的弱点手册制作流程中，工程师需要手动在复杂的版图文件中逐个定位弱点，人工区分哪些区域属于需要多点联合量测的紧邻区域，哪些属于单点量测区域。接着，工程师需要手动进行繁琐的坐标转换，并逐一进行版图截图、手动排版和数据录入。这一系列纯人工操作不仅耗费大量的时间和人力成本，而且手动坐标转换和数据录入易出现人为失误，大大增加了弱点分析验证的周期，降低了新产品研发效率。

技术实现思路

1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本申请的目的在于提供一种芯片版图弱点手册的制作方法及执行程序，以解决相关技术中弱点手册制作流程高度依赖人工、多点量测区分困难、手动坐标转换易出错、截图与排版效率低下，从而导致弱点分析验证周期长、新产品研发效率低的问题。

2、为实现上述目的及其他相关目的，本申请提供一种芯片版图弱点手册的制作方法，包括：

3、基于opc仿真计算软件的仿真结果，获取芯片的当层图形的弱点原始文件，所述弱点原始文件包含：弱点所在芯片内的局部坐标以及弱点图形；

4、采用聚类算法处理所述弱点原始文件中的局部坐标，对所述弱点进行至少两种类别的分类：单点量测弱点和多点量测弱点，并在所述弱点图形中标记出所述弱点的位置；

5、采用坐标转换计算方法，根据所述芯片在单个曝光格的位置坐标和所述弱点原始文件中弱点的局部坐标获得所述单个曝光格的弱点的全局坐标；

6、生成芯片所述当层图形的弱点文件手册，所述弱点文件手册包含弱点的所述全局坐标以及标记有所述弱点的图形。

7、于本申请的一可选实施例中，芯片层的所有所述弱点图形的尺寸设定为相同尺寸。

8、于本申请的一可选实施例中，标记出所述弱点的位置后并截取至少两张不同倍率的标记有所述弱点的全局图和细节图。

9、于本申请的一可选实施例中，所述弱点手册还包括所述弱点的尺寸目标值。

10、于本申请的一可选实施例中，所述弱点手册还包括所述弱点的量测方向。

11、于本申请的一可选实施例中，所述坐标转换计算方法的公式为：

12、

13、

14、其中，为所述单个曝光格的弱点在x方向的全局坐标值，为所述单个曝光格的弱点在y方向的全局坐标值，为所述弱点原始文件中弱点在x方向的局部坐标值，为所述弱点原始文件中弱点在y方向的局部坐标值，为所述芯片在单个曝光格的x方向的偏移量，为所述芯片在单个曝光格的y方向的偏移量。

15、为实现上述目的及其他相关目的，本申请还提供一种如上述制作方法的执行程序，所述执行程序运行于一预设系统环境的硬件装置，所述执行程序与所述opc仿真计算软件安装于同一预设系统环境内，所述执行程序包括：

16、弱点文件读取模块，可读取所述opc仿真计算软件中芯片的当层图形的弱点原始文件，所述弱点原始文件包含：弱点所在芯片内的局部坐标以及弱点图形；

17、算法处理模块，使用预设聚类算法模块，依据所述弱点原始文件中所述局部坐标，对所述弱点进行至少两种类别的分类：单点量测弱点和多点量测弱点，并在所述弱点图形中标记出所述弱点和截取至少两张不同倍率的标记有所述弱点的全局图和细节图；

18、坐标转换模块，根据所述芯片在单个曝光格的位置坐标和所述弱点的局部坐标获得所述单个曝光格的弱点的全局坐标；

19、手册生成模块，依据所述算法处理模块和坐标转换模块的结果生成芯片所述当层图形弱点的弱点手册。

20、本申请的芯片版图弱点手册的制作方法、执行程序、设备及介质，包括：基于opc仿真计算软件的仿真结果，获取芯片的当层图形的弱点原始文件，所述弱点原始文件包含：弱点所在芯片内的局部坐标以及弱点图形；采用聚类算法处理所述弱点原始文件中的局部坐标，对所述弱点进行至少两种类别的分类：单点量测弱点和多点量测弱点，并在所述弱点图形中标记出所述弱点的位置；采用坐标转换计算方法，根据所述芯片在单个曝光格的位置坐标和所述弱点原始文件中弱点的局部坐标获得所述单个曝光格的弱点的全局坐标；生成芯片所述当层图形的弱点文件手册，所述弱点文件手册包含弱点的所述全局坐标以及标记有所述弱点的图形。利用本申请可以自动完成单点量测弱点、多点量测弱点的截图以及弱点手册的制作，可以代替繁琐的人工审查制作，有效节省人力，降低弱点分析验证周期，提升新产品的研发效率。

1.一种芯片版图弱点手册的制作方法，其特征在于，包括：

2. 根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述聚类算法为db scan聚类算法。

3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，芯片层的所有所述弱点图形的尺寸设定为相同尺寸。

4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，标记出所述弱点的位置后并截取至少两张不同倍率的标记有所述弱点的全局图和细节图。

5.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述弱点手册还包括所述弱点的尺寸目标值。

6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述弱点手册还包括所述弱点的量测方向。

7.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述坐标转换计算方法的公式为：

8.一种如权利要求1所述制作方法的执行程序，所述执行程序运行于一预设系统环境的硬件装置，其特征在于，所述执行程序与所述opc仿真计算软件安装于同一预设系统环境内，所述执行程序包括：