存储设备、芯片、存储设备的控制方法与流程

本申请所公开的实施例涉及闪存，且更具体而言，涉及一种存储设备、芯片、存储设备的控制方法。

背景技术：

1、近年来，固态存储技术呈现多元化介质协同发展趋势，基于slc/mlc/tlc/qlc等异构介质的混合存储架构逐步成为提升存储系统综合效能的重要演进方向。然而，现行nandflash控制器设计仍以单一介质适配为核心架构，其控制逻辑固化于特定存储介质的物理特性及操作时序，使得其在面对双介质或多介质混合场景时存在根本性技术障碍。

技术实现思路

1、根据本申请的实施例，本申请提出一种存储设备、芯片、存储设备的控制方法，以解决上述问题。

2、本申请的第一方面公开了存储设备，包括：至少一个闪存阵列，所述至少一个闪存阵列包括至少两种类型的存储介质；闪存控制器，与所述至少一个闪存阵列相连，用于定义至少两个闪存命令模板，所述至少两个闪存命令模板与所述至少两种类型的存储介质一一对应；其中，所述闪存控制器用于：获取闪存操作命令；依据所述闪存操作命令，从所述至少两个闪存命令模板中选择目标闪存命令模板，并按照所述目标闪存命令模板将所述闪存操作命令发送给所述目标闪存命令模板对应的存储介质，以对该存储介质执行所述闪存操作命令对应的闪存操作。

3、在一些实施例中，所述依据所述闪存操作命令，从所述至少两个闪存命令模板中选择目标闪存命令模板，包括：对所述闪存操作命令进行解析，得到相应的物理地址；从所述物理地址中提取相应的码率符号；依据所述码率符号，从所述至少两个闪存命令模板中确定所述目标闪存命令模板；所述按照所述目标闪存命令模板将所述闪存操作命令发送给所述目标闪存命令模板对应的存储介质，包括：利用所述目标闪存命令模板中所述码率符号对应的解析参数，对所述物理地址进行解析，得到所述闪存操作命令的地址信息，以将所述闪存操作命令按照所述地址信息发送到所述对应的存储介质。

4、在一些实施例中，所述至少两种类型的存储介质包括第一类型的存储介质和/或第二类型的存储介质；所述利用所述目标闪存命令模板中所述码率符号对应的解析参数，对所述物理地址进行解析，得到所述闪存操作命令的地址信息，包括：利用所述目标闪存命令模板中所述码率符号对应的第一解析参数，对所述物理地址进行解析，得到所述闪存操作命令的第一地址信息，所述第一地址信息用于表征所述闪存操作命令用于所述第一类型的存储介质或者所述第二类型的存储介质。

5、在一些实施例中，每种类型的存储介质包括第一排列的存储介质和/或第二排列的存储介质；所述利用所述目标闪存命令模板中所述码率符号对应的解析参数，对所述物理地址进行解析，得到所述闪存操作命令的地址信息，包括：利用所述目标闪存命令模板中所述码率符号对应的第二解析参数，对所述物理地址进行解析，得到所述闪存操作命令的第二地址信息，所述第二地址信息用于表征所述闪存操作命令用于所述第一排列的存储介质或者所述第二排列的存储介质。

6、在一些实施例中，所述利用所述目标闪存命令模板中所述码率符号对应的解析参数，对所述物理地址进行解析，得到所述闪存操作命令的地址信息，进一步包括：利用所述目标闪存命令模板中所述码率符号对应的第三解析参数，对所述物理地址进行解析，得到所述闪存操作命令的第三地址信息；利用所述第一地址信息、所述第二地址信息和所述第三地址信息进行计算，生成所述闪存操作命令的行地址信息。

7、在一些实施例中，所述利用所述目标闪存命令模板中所述码率符号对应的解析参数，对所述物理地址进行解析，得到所述闪存操作命令的地址信息，包括：利用所述目标闪存命令模板中所述码率符号所表征的页的大小与扇区标识符进行计算，生成所述闪存操作命令的列地址信息。

8、在一些实施例中，所述闪存控制器还用于：利用所述目标闪存命令模板中所述码率符号，确定所述闪存操作命令对应的直接内存访问的传输长度。

9、在一些实施例中，所述至少两种类型的存储介质包括三层单元的存储介质与层单元的存储介质；和/或每种类型存储介质包括四平面介质和/或八平面介质。

10、在一些实施例中，所述闪存控制器包括闪存接口，所述闪存接口连接所述至少一个闪存阵列，所述至少两个闪存命令模板存储于所述闪存接口。

11、在一些实施例中，所述获取闪存操作命令，包括：获取外部操作指令，并将所述外部操作指令转化为内部操作指令；对所述内部操作指令进行处理，得到闪存操作命令。

12、本申请第二方面公开了一种芯片，包括第一方面中所述的存储设备。

13、本申请第三方面公开了一种存储设备的控制方法，应用于第一方面中所述的存储设备，所述方法包括：获取闪存操作命令；依据所述闪存操作命令，从所述至少两个闪存命令模板中选择目标闪存命令模板，并按照所述目标闪存命令模板将所述闪存操作命令发送给所述目标闪存命令模板对应的存储介质，以对该存储介质执行所述闪存操作命令对应的闪存操作。

14、本申请的有益效果有：存储设备包括至少一个闪存阵列和闪存控制器，闪存控制器与至少一个闪存阵列相连，至少一个闪存阵列包括至少两种类型的存储介质，闪存控制器用于定义至少两个闪存命令模板，至少两个闪存命令模板与至少两种类型的存储介质一一对应，通过闪存控制器获取闪存操作命令，依据闪存操作命令，从至少两个闪存命令模板中选择目标闪存命令模板，并按照目标闪存命令模板将闪存操作命令发送给目标闪存命令模板对应的存储介质，以对该存储介质执行闪存操作命令对应的闪存操作，实现了单一闪存控制器兼容多存储介质，提高了存储设备的性能。

1.一种存储设备，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述依据所述闪存操作命令，从所述至少两个闪存命令模板中选择目标闪存命令模板，包括：

3.根据权利要求2所述的设备，其特征在于，所述至少两种类型的存储介质包括第一类型的存储介质和/或第二类型的存储介质；

4.根据权利要求2或3所述的设备，其特征在于，每种类型的存储介质包括第一排列的存储介质和/或第二排列的存储介质；

5.根据权利要求4所述的设备，其特征在于，所述利用所述目标闪存命令模板中所述码率符号对应的解析参数，对所述物理地址进行解析，得到所述闪存操作命令的地址信息，进一步包括：

6.根据权利要求2所述的设备，其特征在于，所述利用所述目标闪存命令模板中所述码率符号对应的解析参数，对所述物理地址进行解析，得到所述闪存操作命令的地址信息，包括：

7.根据权利要求2所述的设备，其特征在于，所述闪存控制器还用于：

8.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述至少两种类型的存储介质包括三层单元的存储介质与层单元的存储介质；和/或

9.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述闪存控制器包括闪存接口，所述闪存接口连接所述至少一个闪存阵列，所述至少两个闪存命令模板存储于所述闪存接口。

10.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述获取闪存操作命令，包括：

11.一种芯片，其特征在于，包括如权利要求1-10任一项所述的存储设备。

12.一种存储设备的控制方法，其特征在于，应用于如权利要求1-10任一项所述的存储设备，所述方法包括：