半导体部件的全表面金属杂质分布热力图生成方法、装置、电子设备及存储介质与流程

本申请涉及半导体，尤其涉及一种半导体部件的全表面金属杂质分布热力图生成方法、装置、电子设备及存储介质。

背景技术：

1、在半导体制造过程中，晶圆、掩模版、承载盘等部件的表面金属杂质含量是影响产品良率的关键因素。

2、传统检测方式通常采用酸滴法，在部件表面选取少量特征点（例如10个点位）进行采样，并利用电感耦合等离子体质谱法（icp-ms）进行测试，获得离散的金属含量数据。

3、然而，该类离散数据难以直观反映整个表面的杂质分布趋势，更难以快速、准确地识别出超过工艺阈值的风险区域。

技术实现思路

1、有鉴于此，本申请实施例提供了一种半导体部件的全表面金属杂质分布热力图生成方法、装置、电子设备及存储介质，以解决现有技术中离散的半导体部件金属杂质含量数据难以直观反映整个表面的杂质分布趋势，更难以快速、准确地识别出超过工艺阈值的风险区域的问题。

2、本申请实施例的第一方面，提供了一种半导体部件的全表面金属杂质分布热力图生成方法，包括：

3、加载待测半导体部件的实物图片，其中，实物图片包含待测半导体部件上的n个目标离散测量点分别对应的点位标记，n为≥3的整数；

4、将实物图片作为背景底图显示于当前界面上；

5、确定各个目标离散测量点在实物图片的原始像素坐标系中对应的目标像素点坐标；其中，原始像素坐标系是以实物图片的左上角顶点为坐标原点，以沿实物图片的宽度方向向右为x轴正方向，以沿实物图片的高度方向向下为y轴正方向建立的；

6、获取各个目标离散测量点对应的金属杂质含量测量值；

7、基于n个目标离散测量点分别对应的目标像素点坐标及金属杂质含量测量值，计算实物图片的全部原始像素点对应的第一金属杂质含量预测值；

8、根据实物图片的全部原始像素点对应的第一金属杂质含量预测值，生成待测半导体部件的全表面金属杂质分布热力图。

9、本申请实施例的第二方面，提供了一种半导体部件的全表面金属杂质分布热力图生成装置，包括：

10、记载模块，被配置为加载待测半导体部件的实物图片，其中，实物图片包含待测半导体部件上的n个目标离散测量点分别对应的点位标记，n为≥3的整数；

11、显示模块，被配置为将实物图片作为背景底图显示于当前界面上；

12、确定模块，被配置为确定各个目标离散测量点在实物图片的原始像素坐标系中对应的目标像素点坐标；其中，原始像素坐标系是以实物图片的左上角顶点为坐标原点，以沿实物图片的宽度方向向右为x轴正方向，以沿实物图片的高度方向向下为y轴正方向建立的；

13、获取模块，被配置为获取各个目标离散测量点对应的金属杂质含量测量值；

14、计算模块，被配置为基于n个目标离散测量点分别对应的目标像素点坐标及金属杂质含量测量值，计算实物图片的全部原始像素点对应的第一金属杂质含量预测值；

15、生成模块，被配置为根据实物图片的全部原始像素点对应的第一金属杂质含量预测值，生成待测半导体部件的全表面金属杂质分布热力图。

16、本申请实施例的第三方面，提供了一种电子设备，包括存储器、处理器以及存储在存储器中并且可在处理器上运行的计算机程序，该处理器执行计算机程序时实现上述方法的步骤。

17、本申请实施例的第四方面，提供了一种可读存储介质，该可读存储介质存储有计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现上述方法的步骤。

18、本申请实施例与现有技术相比，其有益效果至少包括：通过加载包含点位标记的实物图片并作为背景底图显示，结合以实物图片左上角顶点为坐标原点、以宽度和高度方向为坐标轴方向建立的原始像素坐标系，构建了从实物标记到图片像素的准确空间映射关系；在此基础上，仅需获取n个（n≥3）目标离散测量点的金属杂质含量测量值，即可基于各测量点的目标像素点坐标及金属杂质含量测量值，计算出实物图片的全部原始像素点（w×h个）对应的第一金属杂质含量预测值，实现了从有限离散点数据到全表面连续分布数据的扩展，从而以像素级分辨率全面反映待测半导体部件的全表面金属杂质分布情况，有效克服了传统离散点检测方式无法获知未检测位置分布情况的缺陷，并有助于快速、准确地识别出杂质含量超过预设工艺阈值的风险区域，定位污染源（如划伤区、边缘堆积、中心溅射等），为半导体部件的质量判定和工艺优化提供了可靠的数据支撑。

1.一种半导体部件的全表面金属杂质分布热力图生成方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，确定各个目标离散测量点在所述实物图片的原始像素坐标系中对应的目标像素点坐标，包括：

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，根据所述实物图片的全部原始像素点对应的第一金属杂质含量预测值，生成所述待测半导体部件的全表面金属杂质分布热力图，包括：

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，根据所述局部金属杂质浓度二维分布场，生成所述待测半导体部件的全表面金属杂质分布热力图之后，还包括：

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，根据所述金属杂质污染特征向量，确定所述待测半导体部件的表面金属杂质污染类型，包括：

6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，根据所述局部金属杂质浓度二维分布场，生成所述待测半导体部件的全表面金属杂质分布热力图，包括：

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法，还包括：

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，计算所述金属杂质含量超标区域占所述全表面金属杂质分布热力图的总面积的面积占比之后，还包括：

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，各个目标离散测量点对应的金属杂质含量测量值通过下述步骤测量得到：

10.一种半导体部件的全表面金属杂质分布热力图生成装置，其特征在于，包括：

11.一种电子设备，包括存储器、处理器以及存储在所述存储器中并且可在所述处理器上运行的计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述计算机程序时实现如权利要求1至9中任一项所述方法的步骤。

12.一种可读存储介质，所述可读存储介质存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1至9中任一项所述方法的步骤。