一种MEMS压力传感器和电子设备的制作方法

摘要: 本申请涉及传感器领域,尤其涉及一种mems压力传感器和电子设备。背景技术:1、微机电系统(micro-electro-mechanicalsystems,mem...
一种MEMS压力传感器和电子设备的制作方法

本申请涉及传感器领域,尤其涉及一种mems压力传感器和电子设备。

背景技术:

1、微机电系统(micro-electro-mechanical systems,mems)的压力传感器因其体积小、成本低、集成度高等优点,已被广泛应用于工业控制、消费电子、汽车电子、医疗设备等诸多领域,尤其在小量程压力测量应用中具有重要地位。

2、小量程mems压力传感器对外部环境变化较为敏感。环境温度的波动会导致压力传感器输出的压力信号发生偏差,进而影响测量结果的准确性。

技术实现思路

1、本申请实施例提供一种mems压力传感器和电子设备,旨在降低温度波动对mems压力传感器测量精度的影响,提升压力传感器测量结果的准确性。

2、为了实现上述目的,根据本申请的第一方面,提供一种mems压力传感器,包括:

3、壳体,包括壳身和端盖,所述端盖盖设于所述壳身的开口侧,与所述壳身围合形成容置腔;

4、绝缘液体,填充于所述容置腔内,所述端盖用于将外部压力传输给所述绝缘液体;

5、mems传感器组件,设置于所述容置腔内,用于检测所述绝缘液体中传递的压力,并生成压力信号,还用于检测所述绝缘液体的温度,并生成温度信号;

6、控温器,设置于所述绝缘液体中,用于基于所述温度信号调整所述绝缘液体的温度。

7、可选地,所述壳身相对于所述端盖的一侧设有电路板,所述mems传感器组件和所述控温器均与所述电路板电连接。

8、可选地,所述电路板背离所述容置腔的一侧设有总控制器,所述总控制器与所述电路板电连接;

9、所述总控制器用于接收所述压力信号和所述温度信号,并在所述温度信号的值大于第一阈值信号的值时,向所述控温器发出降温指令,在所述温度信号的值小于所述第二阈值信号的值时,向所述控温器发出升温指令。

10、可选地,所述控温器包括:

11、温度控制器,与所述电路板电连接,设于所述电路板背离所述容置腔的一侧;

12、温控管,与所述电路板电连接,且设于所述绝缘液体中;

13、其中,所述温度控制器通过接收所述升温指令,升高所述温控管的温度,通过接收所述降温指令,降低所述温控管的温度。

14、可选地,所述温控管设于所述电路板朝向所述容置腔的一侧表面,所述温控管为波浪形折弯结构。

15、可选地,所述第一阈值信号的值为27摄氏度,第二阈值信号的值为23摄氏度。

16、可选地,mems传感器组件包括:温度压力集成传感器或相互独立的温度传感器和压力传感器。

17、可选地,所述端盖为波纹片。

18、可选地,所述绝缘液体为油介质。

19、根据本申请的第二方面,提供一种电子设备,包括上述公开的任意一项所述的mems压力传感器。

20、本申请实施例的mems压力传感器中,通过mems传感器组件和控温器, mems传感器组件能够同步采集压力信号和温度信号,实时监测温度变化,反映mems传感器组件当前工作环境的状态,控温器能够根据mems传感器组件检测到的温度信号,动态调整绝缘液体的温度,使mems传感器组件始终工作在最优热稳定区间,从而保障压力信号不被温度干扰,mems压力传感器输出更为精准。

21、本申请的其他特征和优点将在随后的具体实施方式部分予以详细说明。

1.一种mems压力传感器,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的mems压力传感器,其特征在于,所述壳身(11)相对于所述端盖(12)的一侧设有电路板(4),所述mems传感器组件(2)和所述控温器(3)均与所述电路板(4)电连接。

3.根据权利要求2所述的mems压力传感器,其特征在于,所述电路板(4)背离所述容置腔(13)的一侧设有总控制器(5),所述总控制器(5)与所述电路板(4)电连接;

4.根据权利要求3所述的mems压力传感器,其特征在于,所述控温器(3)包括:

5.根据权利要求4所述的mems压力传感器,其特征在于,所述温控管(32)设于所述电路板(4)朝向所述容置腔(13)的一侧表面,所述温控管(32)为波浪形折弯结构。

6.根据权利要求4所述的mems压力传感器,其特征在于,所述第一阈值信号的值为27摄氏度,所述第二阈值信号的值为23摄氏度。

7.根据权利要求1所述的mems压力传感器,其特征在于,mems传感器组件(2)包括:温度压力集成传感器或相互独立的温度传感器和压力传感器。

8.根据权利要求1所述的mems压力传感器,其特征在于,所述端盖(12)为波纹片。

9.根据权利要求1所述的mems压力传感器,其特征在于,所述绝缘液体为油介质。

10.一种电子设备,其特征在于,包括权利要求1至9任意一项所述的mems压力传感器。