均衡电路以及确定参数的方法与流程

本技术涉及电子，尤其涉及电子中的均衡电路以及确定参数的方法。

背景技术：

1、现有的通信系统中，收发端都需要通过射频电路收发信号。由于射频电路中的走线和/或元器件等原因，会导致频率越高，射频链路的增益越低，使得射频电路的性能下降。

2、为了提高射频电路的性能，可以利用均衡电路对射频电路进行补偿。但是现有的均衡电路寄生效应明显，尤其是在高频场景下，均衡度，插损或回波等至少一项射频性能指标恶化严重。

技术实现思路

1、本技术提供了一种均衡电路以及确定参数的方法，该均衡电路以及确定参数的方法适用于高频场景下，并且高频下的均衡度，插损或者回波等性能指标比较好。

2、第一方面，提供了一种均衡电路，包括：第一基准电容，第一支路和第二支路，所述第一支路并联在所述第一基准电容的输入端，所述第二支路并联在所述第一基准电容的输出端；所述第一支路包括第一电阻，第一电感和第一非基准电容，所述第一非基准电容并联在所述第一电阻的输出端，所述第一电阻的输出端与所述第一电感的输入端串联连接，所述第一电感的输出端接地；所述第二支路包括第二电阻，第二电感和第二非基准电容，所述第二非基准电容并联在所述第二电阻的输出端，所述第二电阻的输出端与所述第二电感的输入端串联连接，所述第二电感的输出端接地。

3、本技术实施例提供的均衡电路的第一支路中的第一非基准电容和第二支路中的第二非基准电容不是标准的元器件，无引线电感和电阻，寄生效应比较小，既适用于高频也适用于低频，并且均衡度比较好，插损性能比较好。并且，均衡电路中的第一电阻和第二电阻可以吸收原始电路反射的信号，能量反射比较小，回波性能比较好。

4、在一种可能的实现方式中，所述第一非基准电容的形状为扇形，矩形或者椭圆形。

5、在一种可能的实现方式中，所述第一非基准电容为微带电容，和/或，所述第二非基准电容为微带电容。

6、在本技术实施例中，第一非基准电容和/或第二非基准电容为微带电容，微带电容可以是通过微带线性结构的特定排列形成的电容效应，寄生效应比较小，使得均衡电路的均衡度比较好，插损性能比较好。

7、在一种可能的实现方式中，所述第一电阻与所述第二电阻的电阻值相同；和/或，所述第一电感与所述第二电感的电感值相同，和/或，所述第一非基准电容与所述第二非基准电容的电容值相同。

8、在本技术实施例中，第一电阻与第二电阻的电阻值相同，和/或，第一电感与第二电感的电感值相同，第一非基准电容与第二非基准电容的电感值相同，可以简化均衡电路的设计。

9、在一种可能的实现方式中，所述均衡电路包括第三电阻，所述第三电阻的输入端并联在所述第一基准电容的输入端，所述第三电阻的输出端并联在所述第一基准电容的输出端。

10、在本技术实施例中，第三电阻可以调整均衡电路的斜率，使得增加均衡电路后对射频电路的插损曲线能够更好的进行补偿，从而可以提高射频电路的插损性能。

11、在一种可能的实现方式中，所述第三电阻与所述第一基准电容平行放置。

12、在本技术实施例中，均衡电路中的第三电阻与第一基准电容平行放置可以使得均衡电路在pcb板上的布局比较合理。

13、第二方面，提供了一种均衡电路，包括：第一基准电容，第一支路，第二支路和第三电阻，所述第一支路并联在所述第三电阻的输入端，所述第二支路并联在所述第三电阻的输出端，所述第一基准电容的输入端并联在所述第三电阻的输入端，所述第一基准电容的输出端并联在所述第一基准电容的输出端；所述第一支路包括第一电阻，第一电感和第一非基准电容，所述第一非基准电容并联在所述第一电阻的输出端，所述第一电阻的输出端与所述第一电感的输入端串联连接，所述第一电感的输出端接地；所述第二支路包括第二电阻，第二电感和第二非基准电容，所述第二非基准电容并联在所述第二电阻的输出端，所述第二电阻的输出端与所述第二电感的输入端串联连接，所述第二电感的输出端接地。

14、本技术实施例提供的均衡电路的第一支路中的第一非基准电容和第二支路中的第二非基准电容不是标准的元器件，无引线电感和电阻，寄生效应比较小，既适用于高频也适用于低频，并且均衡度比较好，插损性能比较好。并且，均衡电路中的第一电阻和第二电阻可以吸收原始电路反射的信号，能量反射比较小，回波性能比较好，此外，第三电阻可以调整均衡电路的斜率，使得增加均衡电路后对射频电路的插损曲线能够更好的进行补偿，从而可以提高射频电路的插损性能。

15、在一种可能的实现方式中，所述第三电阻与所述第一基准电容平行放置。

16、在本技术实施例中，均衡电路中的第三电阻与第一基准电容平行放置可以使得均衡电路在pcb板上的布局比较合理。

17、在一种可能的实现方式中，所述第一非基准电容的形状为扇形，矩形或者椭圆形。

18、在一种可能的实现方式中，所述第一非基准电容为微带电容，和/或，所述第二非基准电容为微带电容。

19、在本技术实施例中，第一非基准电容和/或第二非基准电容为微带电容，微带电容可以是通过微带线性结构的特定排列形成的电容效应，寄生效应比较小，使得均衡电路的均衡度比较好，插损性能比较好。

20、在一种可能的实现方式中，所述第一电阻与所述第二电阻的电阻值相同；和/或，所述第一电感与所述第二电感的电感值相同，和/或，所述第一非基准电容与所述第二非基准电容的电容值相同。

21、在本技术实施例中，第一电阻与第二电阻的电阻值相同，和/或，第一电感与第二电感的电感值相同，第一非基准电容与第二非基准电容的电感值相同，可以简化均衡电路的设计。

22、第三方面，提供了一种确定参数的方法，包括：获取原始电路的插损曲线在第一频率值的第一斜率；根据所述第一斜率确定第一方面或者第二方面的均衡电路在所述第一频域值的第二斜率；根据所述第二斜率确定所述第一基准电容的电容值和/或第三电阻的电阻值。

23、在上述方案中，可以根据原始电路的插损曲线的第一频率值的第一斜率确定均衡电路在第一频率值的第二斜率，并根据第二斜率确定第一基准电容的电容值，也可以确定第三电阻的电阻值，也就是说，可以先获取没有增加均衡电路的原始电路的插损曲线在某一个频率值的第一斜率，由于增加均衡电路的目的是为了补偿原始电路的插损，因此需要根据原始电路的插损曲线的斜率确定均衡电路的插损曲线的斜率，从而可以使得增加均衡电路后的射频电路的插损曲线更加平坦，从而提高射频电路的插损性能。

24、可选的，没有增加均衡电路的电路称为原始电路，也可以称为原始的射频电路。

25、可选的，根据第二斜率确定第一基准电容的电容值和/或第三电阻的电阻值，包括：根据第二斜率以及第二斜率与第一基准电容的关系确定第一基准电容的电容值，和/或，根据第二斜率以及第二斜率与第三电阻的关系确定第三电阻的电阻值。

26、可选的，第二斜率与第一基准电容成反比关系。

27、可选的，第二斜率与第三电阻成反比关系。

28、在一种可能的实现方式中，所述方法还包括：获取所述原始电路的插损曲线在所述第一频率值的第一插损值；根据所述第一插损值确定所述均衡电路在所述第一频率值的第二插损值；其中，所述根据所述第二斜率确定所述第一基准电容的电容值，包括：根据所述第二插损值和所述第二斜率确定所述第一基准电容的电容值。

29、可选的，第一基准电容可能与第二插损值和第二斜率相关，因此，可以根据第二插损值和第二斜率确定第一基准电容的电容值。

30、可选的，第一基准电容可能与第二插损值相关，或者可能与第二斜率相关，或者，可能与第二插损值和第二斜率相关，可以根据这些关系确定第一基准电容的电容值。从而提供了一种确定第一基准电容的电容值的方法。

31、在一种可能的实现方式中，所述方法还包括：根据所述第二插损值确定以下至少一项的值：所述第一电阻，所述第二电阻，所述第三电阻，所述第一电感和所述第二电感。

32、在上述方案中，可以根据原始电路的插损曲线在第一频率值的第一插损值确定均衡电路的插损曲线在第一频率值的第二插损值，根据第二插损值确定均衡电路的第一电阻，第二电阻，第三电阻，第一电感或者第二电感中的至少一项。也就是说，均衡电路的第二插损值与第一电阻，第二电阻，第三电阻，第一电感或第二电感中的至少一项相关。

33、可选的，根据所述第二插损值确定以下至少一项的值：所述第一电阻，所述第二电阻，所述第三电阻，所述第一电感和所述第二电感，可以不依赖于根据第二频率确定第一基准电容的电容值，也就是说，可以直接根据所述第二插损值确定以下至少一项的值：所述第一电阻，所述第二电阻，所述第三电阻，不管如何确定第一基准电容的电容值。

34、可选的，可以根据第二斜率和/或第二插损值确定第三电阻，也就是说，第三电阻可以与第二斜率相关，或者与第二插损值相关，或者与第二斜率和第二插损值相关。

35、可选的，确定第三电阻也可以不依赖根据第二频率确定第一基准电容的电容值。也就是说，本技术提供确定的参数可以为第一基准电容的电容值，第三电阻的电阻值，第一电阻的电阻值，第二电阻的电阻值，第一非基准电容的电容值，第二非基准电容的电容值，第一电感或者第二电感的至少一项，不同的参数之间可以存在依赖关系，也可以不存在依赖关系，本技术实施例对此不作限制。

36、在一种可能的实现方式中，所述方法还包括：根据所述第一频率值确定以下至少一项的值：所述第一非基准电容，所述第二非基准电容，所述第一电感和所述第二电感。

37、在上述方案中，为了使得均衡电路适用于原始电路的频率范围，可以根据原始电路的频率范围中的第一频率值调整均衡电路中的第一非基准电容，第二非基准电容，第一电感或者第二电感中的至少一项的值，使得均衡电路的频率能够与第一频率值匹配。

38、可选的，可以根据第二插损值和/或第一频率值确定第一电感和/或第二电感的电感值，也就是说，第一电感和/或第二电感可以以与第二插损值相关，或者可以与第一频率值相关，或者可以与第二插损值和第一频率值相关，本技术实施例对此不作限制。

39、第四方面，提供了一种确定参数的装置，该装置具有实现上述第三方面中任一项的功能。功能可以通过硬件实现，也可以通过硬件执行相应的软件实现。硬件或软件包括一个或多个与上述功能相对应的模块或单元。例如，收发模块或单元、处理模块或单元、获取模块或单元等。

40、第五方面，本技术实施例提供一种确定参数的装置，包括：存储器和处理器，存储器用于存储计算机程序；处理器用于在调用计算机程序时使得装置执行上述第三方面中任一项的方法。

41、第六方面，本技术实施例提供了一种射频电路，包括如第一方面中任一项所述的均衡电路或者第二方面中任一项所述的均衡电路。可选的，射频电路还可以包括驱动放大器，功率放大器，低噪放模块或滤波器中的至少一项。

42、第七方面，本技术实施例提供一种芯片系统，芯片系统包括处理器，处理器与存储器耦合，处理器执行存储器中存储的计算机程序，以实现上述第三方面中任一项的方法。

43、其中，芯片系统可以为单个芯片，或者多个芯片组成的芯片模组。

44、第八方面，本技术实施例提供一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，计算机程序被处理器执行时实现上述第三方面中任一项的方法。

45、第九方面，本技术实施例提供一种计算机程序产品，当计算机程序产品在通信装置上运行时，使得通信装置执行上述第三方面中任一项的方法。

46、可以理解的是，上述第四方面至第九方面的有益效果可以参见上述第一方面至第三方面的相关描述，在此不再赘述。