光半导体装置的制作方法

本公开涉及光半导体装置。

背景技术：

1、近年，光通信的高速化正在迅速发展。特别是在数据中心或ai网络中，对于大致2km以下的比较短距离的通信，需要大量的高速光调制器。作为现有的超高速调制器，大多使用电场吸收（ea：electro-absorption）调制器集成分布反馈型 （dfb：distributedbragg reflector）激光器。

2、最影响ea调制器集成dfb激光器的特性的参数是ea调制器的吸收端波长与dfb激光器振荡波长之差δλ。ea调制器的吸收端波长的温度依赖性约为0.5nm／℃，这是由半导体的热膨胀等引起的能带变化所导致的。另一方面，dfb激光器的振荡波长的温度依赖性约为0.1nm／℃。这是因为，虽然振荡波长由衍射光栅的周期决定，但由温度引起的热膨胀量和折射率的变化小于能带的变化。因此，ea调制器集成dfb激光器的δλ的温度依赖性大，因此使用温度调节器的情况较多。

3、另一方面，不使用衍射光栅的法布里-珀罗（fp：fabry-perot）激光器的振荡波长的温度依赖性由能带和阈值决定，约为0.5nm／℃。由于是与ea调制器的吸收端波长的温度依赖性大致相同的值，因此δλ的温度依赖性小，特性的温度依赖性也小。因此，ea调制器集成fp激光器不需要温度调节器。

4、但是，为了作为fp激光器进行动作，需要在fp激光器与ea调制器的连接部设置反射激光的反射构造。对此，提出了在fp激光器与ea调制器之间设置槽的方案（例如，参照专利文献1）。

5、专利文献1：日本特开2005-019533号公报

6、但是，光从波导被槽断开的部分开始一边扩散一边行进。为了使该光与波导再次耦合，需要控制激光器侧的模场直径、在调制器侧设置ssc等聚光功能、以及使光在该聚光部分以焦距入射。兼顾该聚光的设计和反射率的设计是很困难的。另外，在加工半导体时，加工深度产生偏差。还影响生长的外延层的厚度的偏差。并且，难以在加工的同时测量深度。因此，基于槽的深度进行的反射率控制在制造上并不简单。

技术实现思路

1、本公开是为了解决上述那样的课题所做出的，其目的在于，得到一种特性的温度依赖性小且制造简单的光半导体装置。

2、本公开所涉及的光半导体装置具备：半导体基板；法布里-珀罗激光器，形成于上述半导体基板之上，具有活性层，且生成激光；以及电场吸收调制器，形成于上述半导体基板之上，具有与上述活性层连接的吸收层，且对上述激光进行调制，在上述法布里-珀罗激光器与上述电场吸收调制器的连接部处，从上述法布里-珀罗激光器的台面宽度急剧地变化为上述电场吸收调制器的台面宽度。

3、在本公开中，能够实现在法布里-珀罗激光器与电场吸收调制器的连接部处使激光反射的反射构造。通过利用反射构造使光反馈，从而能够作为特性的温度依赖性小的法布里-珀罗激光器进行动作。另外，由于台面宽度的尺寸控制容易，因此基于台面宽度的尺寸控制进行的反射率控制也容易。其结果，能够得到特性的温度依赖性小且制造简单的光半导体装置。

1.一种光半导体装置，其特征在于，

2.根据权利要求1所述的光半导体装置，其特征在于，

3.根据权利要求1或2所述的光半导体装置，其特征在于，

4.一种光半导体装置，其特征在于，

5.根据权利要求4所述的光半导体装置，其特征在于，

6.根据权利要求4所述的光半导体装置，其特征在于，

7.根据权利要求4所述的光半导体装置，其特征在于，

8.根据权利要求3所述的光半导体装置，其特征在于，

9.根据权利要求8所述的光半导体装置，其特征在于，

10.一种光半导体装置，其特征在于，

11.根据权利要求1~10中任一项所述的光半导体装置，其特征在于，

12.根据权利要求1~11中任一项所述的光半导体装置，其特征在于，

13.根据权利要求1~12中任一项所述的光半导体装置，其特征在于，

14.根据权利要求1~13中任一项所述的光半导体装置，其特征在于，

15.根据权利要求1~14中任一项所述的光半导体装置，其特征在于，