一种去耦电容配置方案评估方法、装置、介质及设备与流程

本发明涉及集成电路，具体而言，涉及一种去耦电容配置方案评估方法、装置、介质及设备。

背景技术：

1、在集成电路设计领域的先进制程中，供电电压不断减小，单位面积的电流密度持续增加，导致电源分配网络上的动态电压降成为制约芯片性能与可靠性的关键瓶颈。插入去耦电容（decap cell）是缓解动态电压降的主流手段。目前，业界的去耦电容插入主要依靠去耦电容的漏电影响和对区域电压违规的优化决定去耦电容的插入。

2、现有方案未能提供对去耦电容配置方案进行综合评估分析的方式，不便于工程师了解去耦电容配置方案的优劣性。

技术实现思路

1、本发明的目的在于提供一种去耦电容配置方案评估方法、装置、介质及设备，以改善上述问题。

2、为了实现上述目的，本发明实施例采用的技术方案如下：

3、第一方面，本发明实施例提供一种去耦电容配置方案评估方法，所述方法包括：

4、将目标方案中的去耦电容总值带入全局关系模型，以得到目标方案的全芯片平均电压降，目标方案为待评估的去耦电容配置方案，全局关系模型为去耦电容配置方案的去耦电容总值和全芯片平均电压降的转换模型；

5、将目标方案的全芯片平均电压降减去基准方案的全芯片平均电压降，以得到目标方案相对于基准方案的全芯片平均电压降改善量，基准方案指作为评估参考的去耦电容配置方案；

6、将目标方案中第i个网格的去耦电容改善量和邻居去耦合电容增量，带入目标局部模型，以得到目标方案中第i个网格的局部额外电压降改善量，1≤i≤目标方案中的网格总数，目标局部模型为网格的去耦电容改善量、邻居去耦合电容增量以及局部额外电压降改善量的转换模型；

7、根据目标方案中第i个网格的局部额外电压降改善量和目标方案的全芯片平均电压降，确定目标方案中第i个网格的总电压降改善量；

8、生成目标方案的评估报告，评估报告包括目标方案中各个网格的总电压降改善量、各个网格的局部额外电压降改善量以及目标方案的全芯片平均电压降。

9、第二方面，本发明实施例提供一种去耦电容配置方案评估装置，所述装置包括：

10、第一处理单元，用于将目标方案中的去耦电容总值带入全局关系模型，以得到目标方案的全芯片平均电压降，目标方案为待评估的去耦电容配置方案，全局关系模型为去耦电容配置方案的去耦电容总值和全芯片平均电压降的转换模型；

11、第一处理单元还用于将目标方案的全芯片平均电压降减去基准方案的全芯片平均电压降，以得到目标方案相对于基准方案的全芯片平均电压降改善量，基准方案指作为评估参考的去耦电容配置方案；

12、第一处理单元还用于将目标方案中第i个网格的去耦电容改善量和邻居去耦合电容增量，带入目标局部模型，以得到目标方案中第i个网格的局部额外电压降改善量，1≤i≤目标方案中的网格总数，目标局部模型为网格的去耦电容改善量、邻居去耦合电容增量以及局部额外电压降改善量的转换模型；

13、第一处理单元还用于根据目标方案中第i个网格的局部额外电压降改善量和目标方案的全芯片平均电压降，确定目标方案中第i个网格的总电压降改善量；

14、第二处理单元，用于生成目标方案的评估报告，评估报告包括目标方案中各个网格的总电压降改善量、各个网格的局部额外电压降改善量以及目标方案的全芯片平均电压降。

15、第三方面，本发明实施例提供一种存储介质，其上存储有计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现上述的方法。

16、第四方面，本发明实施例提供一种电子设备，所述电子设备包括：处理器和存储器，所述存储器用于存储一个或多个程序；当所述一个或多个程序被所述处理器执行时，实现上述的方法。

17、相对于现有技术，本发明实施例所提供的一种去耦电容配置方案评估方法、装置、介质及设备，分别获取目标方案的全芯片平均电压降改善量与目标方案中网格的局部额外电压降改善量，对二者的影响进行分离，便于工程师查看。并考虑到网格单元在增加去耦电容时，不仅改善其自身的电压降，还会通过共享电源网改善邻居网格单元的电压降，所以结合网格自身的去耦电容改善量和网格的邻居去耦合电容增量，确定网格的局部额外电压降改善量，保障局部额外电压降改善量及后续网格的总电压降改善量获取结果的准确性，最后生成目标方案的评估报告，评估报告包括目标方案中各个网格的总电压降改善量、各个网格的局部额外电压降改善量以及目标方案的全芯片平均电压降。

18、为使本发明的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。

1.一种去耦电容配置方案评估方法，其特征在于，所述方法包括：

2. 如权利要求1所述的去耦电容配置方案评估方法，其特征在于，所述全局关系模型采用指数衰减拟合所得到指数衰减函数，其算式为：

3. 如权利要求1所述的去耦电容配置方案评估方法，其特征在于，目标方案相对于基准方案的全芯片平均电压降改善量的算式为：

4. 如权利要求1所述的去耦电容配置方案评估方法，其特征在于，目标方案中第i个网格的局部额外电压降改善量的算式为：

5.如权利要求1所述的去耦电容配置方案评估方法，其特征在于，在将目标方案中第i个网格的去耦电容改善量和邻居去耦合电容增量，带入目标局部模型之前，所述方法还包括：

6.如权利要求5所述的去耦电容配置方案评估方法，其特征在于，所述评估报告还包括目标方案中各个密度功能组所对应的局部额外电压降改善量；

7.如权利要求5所述的去耦电容配置方案评估方法，其特征在于，所述评估报告还包括目标方案中纯溢出受益网格单元占比，其中，当网格的去耦电容改善量的绝对值小于去耦电容增量阈值，且网格的局部额外电压降改善量大于改善显著性阈值时，认定为纯溢出受益网格单元。

8.一种去耦电容配置方案评估装置，其特征在于，所述装置包括：

9.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，该计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1-7中任一项所述的方法。

10.一种电子设备，其特征在于，包括：处理器和存储器，所述存储器用于存储一个或多个程序；当所述一个或多个程序被所述处理器执行时，实现如权利要求1-7中任一项所述的方法。