用于存储器的经改进数据管理的制作方法

用于存储器的经改进数据管理
1.交叉参考
2.本专利申请案主张由埃斯波西托(esposito)等人在2021年8月12日申请的标题为“用于存储器的数据管理(data management for memory)”的第17/400,935号美国专利申请案的优先权，所述美国专利申请案转让给其受让人且以引用方式明确并入本文中。
技术领域
3.技术领域涉及用于存储器的经改进数据管理。


背景技术：

4.存储器装置广泛用于在例如计算机、用户装置、无线通信装置、相机、数字显示器及类似物的各种电子装置中存储信息。信息通过将存储器装置内的存储器单元编程到各种状态来存储。举例来说，二进制存储器单元可编程到通常对应于逻辑1或逻辑0的两种支持状态中的一者。在一些实例中，单个存储器单元可支持多于两种可能状态，其中任一者可由存储器单元存储。为了存取由存储器装置存储的信息，组件可读取或感测存储器装置内的一或多个存储器单元的状态。为了存储信息，组件可将存储器装置内的一或多个存储器单元写入或编程到对应状态。
5.存在各种类型的存储器装置，其包含磁性硬盘、随机存取存储器(ram)、只读存储器(rom)、动态ram(dram)、同步动态ram(sdram)、静态ram(sram)、铁电ram(feram)、磁性ram(mram)、电阻性ram(rram)、快闪存储器、相变存储器(pcm)、3维交叉点存储器(3d交叉点)、或非(nor)及与非(nand)存储器装置及其它。存储器装置可为易失性或非易失性的。易失性存储器单元(例如dram单元)可随时间丢失其编程状态，除非其由外部电源周期性刷新。非易失性存储器单元(例如nand存储器单元)可长时间保存其编程状态，即使缺少外部电源。


技术实现要素：

6.描述一种设备。所述设备可包含处理器、与所述处理器耦合的存储器及存储于所述存储器中的指令。所述指令可由所述处理器执行以致使所述设备：在包含一或多个存储器单元块的存储器阵列处接收与存储于所述一或多个块中的第一块处的数据子集相关联的读取命令；至少部分基于接收到所述读取命令来将所述数据子集从所述第一块读取到缓冲器；至少部分基于接收到所述读取命令来确定在所述第一块处执行的读取操作的数量是否满足一阈值；及至少部分基于确定在所述第一块处执行的读取操作的所述数量满足所述阈值来将所述数据子集从所述缓冲器写入到所述一或多个块中的第二块。
7.描述一种存储代码的非暂时性计算机可读媒体。所述代码可包含指令，其可由处理器执行以：在包含一或多个存储器单元块的存储器阵列处接收与存储于所述一或多个块中的第一块处的数据子集相关联的读取命令；至少部分基于接收到所述读取命令来将所述数据子集从所述第一块读取到缓冲器；至少部分基于接收到所述读取命令来确定在所述第一块处执行的读取操作的数量是否满足一阈值；及至少部分基于确定在所述第一块处执行
的读取操作的所述数量满足所述阈值来将所述数据子集从所述缓冲器写入到所述一或多个块中的第二块。
8.描述一种方法。所述方法可包含：在包含一或多个存储器单元块的存储器阵列处接收与存储于所述一或多个块中的第一块处的数据子集相关联的读取命令；至少部分基于接收到所述读取命令来将所述数据子集从所述第一块读取到缓冲器；至少部分基于接收到所述读取命令来确定在所述第一块处执行的读取操作的数量是否满足一阈值；及至少部分基于确定在所述第一块处执行的读取操作的所述数量满足所述阈值来将所述数据子集从所述缓冲器写入到所述一或多个块中的第二块。
附图说明
9.图1说明根据本文中公开的实例的支持用于存储器的经改进数据管理的系统的实例。
10.图2说明根据本文中公开的实例的支持用于存储器的经改进数据管理的存储器系统的实例。
11.图3说明根据本文中公开的实例的支持用于存储器的经改进数据管理的过程的实例。
12.图4展示根据本文中公开的实例的支持用于存储器的经改进数据管理的存储器系统的框图。
13.图5展示说明根据本文中公开的实例的支持用于存储器的经改进数据管理的一或若干方法的流程图。
具体实施方式
14.存储器系统可用于存储电子系统中用于主机系统的数据。在一些实例中，主机系统可传输从存储器系统检索数据的读取命令。存储于存储器系统处的一些数据可比存储于存储器系统处的其它数据更多被读取。相对更频繁读取的数据可称为热数据，且相对不太频繁读取的数据可称为冷数据。类似地，存储器系统内存储热数据的位置可称为热位置，且存储器系统内存储冷数据的位置可称为冷位置。举例来说，存储器系统内的存储位置(例如存储器单元群组)可组织为页，且一些页可为热的，而其它页可为冷的。
15.在一些情况中，与存储位置相关联的错误(例如与将数据存储于存储位置处或从存储位置读取数据相关联的错误)的概率可随数据从存储位置读取的次数而提高。举例来说，存储器单元可经受损耗、疲劳或其它形式的降级且因此可随着其被读取或否则利用越多次而变得越不可靠。因此，如果缺少缓解技术，那么热存储位置可比冷存储位置更快或更大程度降级。此可导致热数据的可靠性更低或具有其它缺点。
16.一些存储器系统可追踪(例如监测)对存储器单元群组执行多少次读取操作(或其它存取操作)且如果对群组执行的读取操作的数量满足一阈值，那么存储器系统可将存储于存储器单元群组内的所有数据转移到另一存储器单元群组。然而，读取操作可以比此追踪更精细的粒度级发生(例如，以避免与此追踪相关联的过度开销)。举例来说，存储器阵列可组织为一组块，其中每一块包含多页存储器单元，且此追踪可以块粒度级发生，而读取操作可对块内的个别页或其它子集(例如页群组)执行。因此，其读取操作的数量达到阈值的
存储器单元群组(例如存储器单元块)可包含热及冷数据两者(例如热及冷页两者)，且重新定位经追踪存储器单元群组内的所有数据可导致热及冷数据两者转移。使冷数据与热数据一起重新定位可导致非必要延时以及非必要读取及写入操作，且非必要读取及写入操作可导致进一步降级。
17.如本文中描述，存储器系统可响应于针对第一存储器单元群组的读取操作的数量满足一阈值而将最近读取的数据转移到第二存储器单元群组，但在至少一些情况中可不将所有数据从第一群组转移到第二群组。举例来说，一组数据可从第一存储器单元块内的一或多个页读取，且可确定读取数据组致使针对第一块的读取操作的数量满足阈值。数据组可转移到第二块，而存储于第一块处的其它数据留在第一块中。举例来说，作为从第一块读取数据组的部分，数据组可存储于存储器系统内的缓冲器中，且结合数据组从缓冲器清除(例如逐出)，数据组可基于针对第一块的读取操作的数量满足阈值来写入到第二块(例如，写入到第二块的数据组的版本可变成数据组的新有效副本)。在一些情况中，如果在一组数据从块读取之后针对块的读取操作的数量不满足阈值，那么数据组可代以在某稍后时间从缓冲器逐出(例如，基于缓冲器根据其进行操作的高速缓存策略)，且可不执行额外写入操作(例如，先前从块读取的数据组可保持数据组的有效副本)。
18.更可能地(例如，基于统计)，从块读取且达到针对块的读取操作的阈值数量的数据是热数据而非冷数据，且因此在存储器系统操作过程中，本文中描述的技术可导致热数据比冷数据更频繁地重新定位。因此，本公开的方面可提供损耗均衡益处以及相关可靠性及寿命益处。另外或替代地，本公开的方面可提供延时益处，例如由于经重新定位数据作为初始读取操作的部分已读取到缓冲器中，因此避免与出于重新定位目的再次从第一块读取相同数据相关联的额外延时以及与出于重新定位目的再次从第一块读取相同数据相关联的额外损耗。另外或替代地，本公开的方面可导致热数据与冷数据分离，其可支持经改进媒体管理(例如废弃项目收集)操作或提供其它益处。另外或替代地，本公开的方面可由于避免冷数据的非必要重新定位而减小写入放大。另外或替代地，本公开的方面可导致数据由主机系统根据存取模式(例如，根据主机系统根据其读取不同数据组的模式或序列)重新定位，其可减少与经重新定位数据组的后续存取相关联的延时(例如，通过提高后续读取命令与循序或否则连续或近似存储的数据组相关联的概率)。
19.在一些实例中，其满足导致最近读取数据从一个块转移到另一块的针对存储器单元块的读取操作的阈值数量可称为早期重新定位阈值或第一阈值，且其满足导致所有数据(或所有有效数据)从一个块转移到另一块的读取操作的阈值数量可称为可靠性阈值或第二阈值。本文中公开的一些存储器系统可采用早期重新定位阈值及可靠性阈值两者。本文中公开的其它存储器系统可采用早期重新定位阈值但不采用可靠性阈值。在一些实例中，结合基于早期重新定位阈值将一组数据从第一块重新定位到第二块，存储器系统可基于数据组与一或多组额外数据之间的逻辑或物理相关联性将一或多组额外数据从第一块重新定位到第二块(例如，一或多组额外数据可存储于与存储数据组的存储器单元共享一或多个物理结构的存储器单元中，或一或多组额外数据可由包含数据组及一或多组额外数据的主机系统基于存取模式与数据组相关联，以及其它可能性)。
20.针对同时采用早期重新定位阈值的存储器系统，在一些情况中，早期重新定位阈值可低于可靠性阈值。在一些实例中，可靠性阈值可为静态的(例如，配置为固定值)。无论
存储器系统是否还采用可靠性阈值，早期重新定位阈值可为静态或动态的(例如，在存储器系统操作期间可调整或作为存储器系统的部分)。举例来说，采用动态早期重新定位阈值的存储器系统可基于存储器系统或其中的存储器阵列的逻辑饱和度、基于自执行废弃项目收集、损耗均衡或其它媒体管理操作以来的持续时间或直到此操作将执行的持续时间或其任何组合来调整早期重新定位阈值。
21.首先在参考图1的系统、装置及电路的上下文中描述本公开的特征。在参考图2及3的存储器系统及过程图的上下文中描述本公开的特征。本公开的这些及其它特征通过参考图4及5的与用于存储器的经改进数据管理相关的设备图及流程图进一步说明且在所述设备图及流程图的上下文中描述。尽管一些实例可在本文中关于追踪对不同存储器单元块执行的读取操作的数量来描述，但应理解，本文中的教示可应用到数据可以更精细粒度从其读取的任何存储器单元群组(例如，其中个别读取操作可对其读取操作的数量被追踪的存储器单元群组内的存储器单元的一或多个子集执行)。
22.图1说明根据本文中公开的实例的支持用于存储器的经改进数据管理的系统100的实例。系统100包含与存储器系统110耦合的主机系统105。
23.存储器系统110可为或包含任何装置或装置集合，其中装置或装置集合包含至少一个存储器阵列。举例来说，存储器系统110可为或包含通用快闪存储(ufs)装置、嵌入式多媒体控制器(emmc)装置、快闪装置、通用串行总线(usb)快闪装置、安全数字(sd)卡、固态硬盘(ssd)、硬盘驱动器(hdd)、双列直插式存储器模块(dimm)、小型dimm(so-dimm)或非易失性dimm(nvdimm)以及其它可能性。
24.系统100可包含于计算装置中，例如桌上型计算机、膝上型计算机、网络服务器、移动装置、运载工具(例如飞机、无人机、火车、汽车或其它运输工具)、物联网(iot)启用装置、嵌入式计算机(例如包含于运载工具、工业设备或联网商用装置中的嵌入式计算机)或包含存储器及处理装置的任何其它计算装置。
25.系统100可包含可与存储器系统110耦合的主机系统105。在一些实例中，此耦合可包含与主机系统控制器106的接口，主机系统控制器106可为经配置以致使主机系统105根据本文中描述的实例执行各种操作的控制器或控制组件的实例。主机系统105可包含一或多个装置，且在一些情况中可包含处理器芯片组及由处理器芯片组执行的软件栈。举例来说，主机系统105可包含经配置用于与存储器系统110或其中的装置通信的应用程序。处理器芯片组可包含一或多个核心、一或多个高速缓存(例如在主机系统105本地或包含于主机系统105中的存储器)、存储器控制器(例如nvdimm控制器)及存储协议控制器(例如外围组件互连高速(pcie)控制器、串行高级技术附接(sata)控制器)。举例来说，主机系统105可使用存储器系统110将数据写入到存储器系统110及从存储器系统110读取数据。尽管图1中展示一个存储器系统110，但主机系统105可与任何数量的存储器系统110耦合。
26.主机系统105可经由至少一个物理主机接口与存储器系统110耦合。在一些情况中，主机系统105及存储器系统110可经配置以使用相关联协议经由物理主机接口来通信(例如，在存储器系统110与主机系统105之间交换或否则传送控制、地址、数据及其它信号)。物理主机接口的实例可包含(但不限于)sata接口、ufs接口、emmc接口、pcie接口、usb接口、光纤通道接口、小型计算机系统接口(scsi)、串行附接scsi(sas)、双倍数据速率(ddr)接口、dimm接口(例如支持ddr的dimm插槽接口)、开放nand快闪接口(onfi)及低功耗
双倍数据速率(lpddr)接口。在一些实例中，一或多个此类接口可包含于主机系统105的主机系统控制器106及存储器系统110的存储器系统控制器115中或否则支持于主机系统105的主机系统控制器106与存储器系统110的存储器系统控制器115之间。在一些实例中，主机系统105可经由包含于存储器系统110中的每一存储器装置130的相应物理主机接口或经由包含于存储器系统110中的每一类型的存储器装置130的相应物理主机接口与存储器系统110耦合(例如，主机系统控制器106可与存储器系统控制器115耦合)。
27.存储器系统110可包含存储器系统控制器115及一或多个存储器装置130。存储器装置130可包含任何类型的存储器单元(例如非易失性存储器单元、易失性存储器单元或其任何组合)的一或多个存储器阵列。尽管图1的实例中展示两个存储器装置130-a及130-b，但存储器系统110可包含任何数量的存储器装置130。此外，如果存储器系统110包含多于一个存储器装置130，那么存储器系统110内的不同存储器装置130可包含相同或不同类型的存储器单元。
28.存储器系统控制器115可与主机系统105耦合及通信(例如，经由物理主机接口)且可为经配置以致使存储器系统110根据本文中描述的实例执行各种操作的控制器或控制组件的实例。存储器系统控制器115还可与存储器装置130耦合及通信以在存储器装置130处执行例如读取数据、写入数据、擦除数据或刷新数据的操作以及其它此类操作，其一般可称为存取操作。在一些情况中，存储器系统控制器115可从主机系统105接收命令且与一或多个存储器装置130通信以执行此类命令(例如，在一或多个存储器装置130内的存储器阵列处)。举例来说，存储器系统控制器115可从主机系统105接收命令或操作且可将命令或操作转换成指令或适当命令以实现存储器装置130的期望存取。在一些情况中，存储器系统控制器115可与主机系统105及一或多个存储器装置130交换数据(例如，响应于或否则结合来自主机系统105的命令)。举例来说，存储器系统控制器115可将与存储器装置130相关联的响应(例如数据分组或其它信号)转换成用于主机系统105的对应信号。
29.存储器系统控制器115可经配置用于与存储器装置130相关联的其它操作。举例来说，存储器系统控制器115可执行或管理操作，例如损耗均衡操作、废弃项目收集操作、错误控制操作(例如错误检测操作或错误校正操作)、加密操作、高速缓存操作、媒体管理操作、后台刷新、健康监测及与来自主机系统105的命令相关联的逻辑地址(例如逻辑块地址(lba))与存储器装置130内的存储器单元相关联的物理地址(例如物理块地址)之间的地址转译。
30.存储器系统控制器115可包含例如一或多个集成电路或离散组件、缓冲存储器或其组合的硬件。硬件可包含具有执行本文中归于存储器系统控制器115的操作的专用(例如硬编码)逻辑的电路系统。存储器系统控制器115可为或包含微控制器、专用逻辑电路系统(例如场可编程门阵列(fpga)、专用集成电路(asic)、数字信号处理器(dsp))或任何其它合适处理器或处理电路系统。
31.存储器系统控制器115还可包含本地存储器120。在一些情况中，本地存储器120可包含只读存储器(rom)或其它存储器，其可存储可由存储器系统控制器115执行以执行本文中归于存储器系统控制器115的功能的操作代码(例如可执行指令)。在一些情况中，本地存储器120可另外或替代地包含静态随机存取存储器(sram)或其它存储器，其可由存储器系统控制器115用于例如与本文中归于存储器系统控制器115的功能相关的内部存储或计算。
另外或替代地，本地存储器120可用作存储器系统控制器115的缓冲器(例如高速缓存)。举例来说，数据可在从存储器装置130读取或写入到存储器装置130时存储于本地存储器120中，且数据可在本地存储器120内由主机系统105根据高速缓存策略进行后续检索或操纵(例如，更新)(例如，具有相对于存储器装置130减少的延时)。
32.在一些实例中，数据可从存储器装置130读取(例如，响应于来自主机系统105的读取命令)，且数据可写入到本地存储器120(例如，以在数据再次由主机系统105请求或修改时维持对数据的低延时存取)。在某稍后时间，数据(例如所读取的数据，即使没有对数据作出修改同时存储于本地存储器120处)可从本地存储器120逐出(例如清除、擦除)(例如，根据用于本地存储器的高速缓存策略)。在一些情况中，如果数据从存储器装置130内的第一存储器单元群组(例如第一块170)内的第一位置(例如第一页175)读取且在第一存储器单元群组处执行的读取操作的数量满足一阈值(例如，大于或等于早期重新定位阈值)，那么数据可写回到相同存储器装置130或不同存储器装置130内第二存储器单元群组(例如第二块170)内的第二位置(例如第二页175)。第二位置处的数据的副本可变成(例如，随后被视为)数据的有效副本，且第一位置处的数据的副本可变成(例如，随后被视为)无效。替代地，如果在第一存储器单元群组处执行的读取操作的数量不满足阈值且如果没有对数据作出修改同时存储于本地存储器120处，那么可在数据从本地存储器120逐出之后不执行额外写入操作，且第一位置处的数据的副本可保持(例如，随后被视为)有效。
33.尽管图1中的存储器系统110的实例已说明为包含存储器系统控制器115，但在一些情况中，存储器系统110可不包含存储器系统控制器115。举例来说，存储器系统110可另外或替代地分别依赖外部控制器(例如，由主机系统105实施)或一或多个本地控制器135(其可在存储器装置130内部)来执行本文中归于存储器系统控制器115的功能。一般来说，本文中归于存储器系统控制器115的一或多个功能可在一些情况中代以由主机系统105、本地控制器135或其任何组合执行。在一些情况中，至少部分由存储器系统控制器115管理的存储器装置130可称为受管理存储器装置。受管理存储器装置的实例是受管理nand(mnand)装置。在此类实例中，存储器装置130可进一步包含缓冲器(未展示)以存储数据用于由主机系统105根据高速缓存策略进行后续检索或操纵(例如，更新)(例如，具有相对于存储器装置130减少的延时)。即，本文中(例如，参考本地存储器120)描述的缓冲器可替代地包含于存储器装置130内。
34.存储器装置130可包含一或多个非易失性存储器单元阵列。举例来说，存储器装置130可包含nand(例如nand快闪)存储器、rom、相变存储器(pcm)、自选择存储器、其它硫属化物基存储器、铁电随机存取存储器(ram)(feram)、磁ram(mram)、nor(例如nor快闪)存储器、自旋转移力矩(stt)-mram、导电桥接ram(cbram)、电阻随机存取存储器(rram)、氧化物基rram(oxram)、电可擦除可编程rom(eeprom)或其任何组合。另外或替代地，存储器装置130可包含一或多个易失性存储器单元阵列。举例来说，存储器装置130可包含ram存储器单元，例如动态ram(dram)存储器单元及同步dram(sdram)存储器单元。
35.在一些实例中，存储器装置130可包含(例如，在相同裸片上或在相同封装内)本地控制器135，其可对相应存储器装置130的一或多个存储器单元执行操作。本地控制器135可结合存储器系统控制器115操作或可执行本文中归于存储器系统控制器115的一或多个功能。举例来说，如图1中说明，存储器装置130-a可包含本地控制器135-a且存储器装置130-b
可包含本地控制器135-b。
36.在一些情况中，存储器装置130可为或包含nand装置(例如nand快闪装置)。存储器装置130可为或包含存储器裸片160。举例来说，在一些情况中，存储器装置130可为包含一或多个裸片160的封装。在一些实例中，裸片160可为从晶片切割的一块电子级半导体(例如从硅晶片切割的硅裸片)。每一裸片160可包含一或多个平面165，且每一平面165可包含一组相应块170，其中每一块170可包含一组相应页175，且每一页175可包含一组存储器单元。存储器裸片160内的块170的集合可为存储器阵列的实例。因此，在一些情况中，存储器裸片160可替代地表示存储器阵列，但在一些情况中，存储器裸片可包含多个存储器阵列。
37.在一些情况中，nand存储器装置130可包含经配置以各自存储一个信息位的存储器单元，其可称为单电平单元(slc)。另外或替代地，nand存储器装置130可包含经配置以各自存储多个信息位的存储器单元，其可在经配置以各自存储两个信息位时称为多电平单元(mlc)，在经配置以各自存储三个信息位时称为三电平单元(tlc)，在经配置以各自存储四个信息位时称为四电平单元(qlc)，或更一般地称为多电平存储器单元。多电平存储器单元可相对于slc存储器单元提供更大存储密度，但可在一些情况中涉及更窄读取或写入裕度或更大复杂性用于支持电路系统。
38.在一些情况中，平面165可指代若干群组块170，且在一些情况中，并发操作可发生于不同平面165内。举例来说，并发操作可对不同块170内的存储器单元执行，只要不同块170在不同平面165中。在一些情况中，个别块170可称为物理块，且虚拟块180可指代可在其内发生并发操作的一群组块170。举例来说，并发操作可对分别在平面165-a、165-b、165-c及165-d内的块170-a、170-b、170-c及170-d执行，且块170-a、170-b、170-c及170-d可统称为虚拟块180。在一些情况中，虚拟块可包含来自不同存储器装置130的块170(例如，包含存储器装置130-a及存储器装置130-b的一或多个平面中的块)。在一些情况中，虚拟块内的块170可在其相应平面165内具有相同块地址(例如，块170-a可为平面165-a的“块0”，块170-b可为平面165-b的“块0”，以此类推)。在一些情况中，在不同平面165中执行并发操作可受到一或多个限制，例如对在其相应平面165内具有相同页地址的不同页175内的存储器单元执行并发操作(例如，与命令解码、页地址解码电路系统或在平面165之间共享的其它电路系统相关)。
39.在一些情况中，块170可包含组织成行(页175)及列(例如串，未展示)的存储器单元。举例来说，相同页175中的存储器单元可共享共同字线(例如，与共同字线耦合)，且相同串中的存储器单元可共享共同数字线(其可替代地称为位线)(例如，与共同数字线耦合)。
40.针对一些nand架构，存储器单元可以第一粒度级(例如，以页粒度级)读取及编程(例如写入)但可以第二粒度级(例如，以块粒度级)擦除。即，页175可为可独立编程或读取(例如，作为单个编程或读取操作的部分并发编程或读取)的存储器(例如存储器单元组)的最小单位，且块170可为可独立擦除(例如，作为单个擦除操作的部分并发擦除)的存储器(例如存储器单元组)的最小单位。此外，在一些情况中，nand存储器单元可在其可用新数据重写之前被擦除。因此，举例来说，旧页175在一些情况中一直到包含页175的整个块170被擦除才更新。
41.在一些实例中，存储器系统控制器115可比第二页175更频繁地从一个页175读取数据(例如，基于从主机系统105接收的读取命令)。举例来说，页175-a可比页175-b更频繁
被读取。在此类实例中，从页175-a频繁读取的数据(例如热数据)可比不太频繁读取的数据(例如冷数据)处于更大受损风险。存储器系统控制器115可追踪以块粒度级执行的读取操作的数量，例如针对块170-a的读取操作的数量，无论读取块170内的哪一页175，其都会递增。如果读取操作致使块170-a处的读取操作的数量满足早期重新定位阈值，那么存储器系统控制器115可结合读取操作将从块170-a读取的数据转移到新块，例如转移到块170-b。举例来说，存储器系统控制器115可写入存储到本地存储器120的数据作为读取操作的部分或否则结合读取操作，且基于块170-a满足早期重新定位阈值，存储器系统控制器115可将数据(例如原始数据或读取或其经修改更新版本同时存储于本地存储器120处)写入到块170-b。此行为通常可导致热数据重新定位。举例来说，尽管在一些情况中冷数据可被重新定位(例如，基于致使早期重新定位阈值被满足的读取命令碰巧请求冷数据)，但在存储器系统110的整个寿命内，在统计上更可能为将结合致使早期重新定位阈值被满足的读取命令来请求热数据。
42.在一些情况中，为了更新块170内的一些数据同时使块170内的其它数据保持不变，存储器装置130可将保持不变的数据复制到新块170且将经更新数据写入到新块170的一或多个剩余页。在一些实例中，存储器系统控制器115或本地控制器135-a可将一些数据复制到缓冲器(例如本地存储器120)作为从主机系统105接收的读取操作的部分。在此类实例中，存储器装置可将存储于缓冲器处的数据写入到新块170的一或多个剩余页。存储器装置130(例如本地控制器135)或存储器系统控制器115可将留在旧块170中的数据标记或否则标示为无效或过时且可更新逻辑到物理(l2p)映射表以使数据的逻辑地址(例如lba)与新有效块170而非旧无效块170相关联。在一些情况中，例如，由于延时或损耗考虑，可执行此复制及重新映射来代替擦除及重写整个旧块170。在一些情况中，l2p映射表的一或多个副本可存储于存储器装置130的存储器单元内(例如，在一或多个块170或平面165内)用于由本地控制器135或存储器系统控制器115使用(例如引用及更新)。
43.在一些情况中，l2p映射表可被维持且数据可以页粒度级标记为有效或无效，且页175可含有有效数据、无效数据或不含数据。无效数据可为由于数据的新近或经更新版本存储于存储器装置130的不同页175中而过时的数据。无效数据可能先前已编程到无效页175但无法再与例如由主机系统105引用的逻辑地址的有效逻辑地址相关联。有效数据可为存储于存储器装置130上的此数据的最新或其它可操作版本。不包含数据的页175可为从未被写入或已被擦除的页175。因此，例如，基于基于满足旧块170-a的早期重新定位阈值来将数据从旧块170-a重新定位(例如转移或移动)到新块170-b，存储器系统控制器可更新l2p表以反映存储于新块170-b处的数据的版本是有效副本，从而使存储于旧块170-a处的数据的版本无效。
44.在一些情况中，存储器系统控制器115或本地控制器135可对存储器装置130执行媒体管理操作(例如，作为一或多个媒体管理算法的部分)，例如损耗均衡、后台刷新、废弃项目收集、擦洗、块扫描、健康监测或其它或其任何组合。举例来说，在存储器装置130内，块170可具有含有有效数据的一些页175及含有无效数据的一些页175。为了避免等待块170中的所有页175具有无效数据以便擦除及重用块170，可调用称为“废弃项目收集”的算法以允许块170被擦除及释放为自由块用于后续写入操作。废弃项目收集可指代一组媒体管理操作，其包含(例如)：选择含有有效及无效数据的块170；选择块中含有有效数据的页175；将
有效数据从选定页175复制到新位置(例如另一块170中的自由页175)；将先前选择页175中的数据标记为无效；及擦除选定块170。因此，已被擦除的块170的数量可经增加使得更多块170可用于存储后续数据(例如随后从主机系统105接收的数据)。在一些实例中，存储器系统控制器115或本地控制器135可基于最近已如何执行一或多个媒体管理操作、多久将执行一或多个媒体管理操作或其任何组合来确定或调整早期重新定位阈值。
45.系统100可包含支持用于存储器的经改进数据管理的任何数量的非暂时性计算机可读媒体。举例来说，主机系统105、存储器系统控制器115或存储器装置130可包含或否则可存取存储用于执行本文中归于主机系统105、存储器系统控制器115或存储器装置130的功能的指令(例如固件)的一或多个非暂时性计算机可读媒体。举例来说，此类指令在由主机系统105(例如主机系统控制器106)、存储器系统控制器115或存储器装置130(例如本地控制器135)执行时可致使主机系统105、存储器系统控制器115或存储器装置130执行本文中描述的一或多个相关联功能。
46.图2说明根据本文中公开的实例的支持用于存储器的经改进数据管理的存储器系统200的实例。在一些实例中，存储器系统200可为参考图1描述的存储器系统110的实例。在一些实例中，存储器系统200可包含块205-a及205-b(例如，其可为参考图1描述的块170的实例)及缓冲器220(例如，其可为参考图1描述的本地存储器120的实例)。尽管未展示，但在一些实例中，缓冲器220可与主机系统(例如参考图1描述的主机系统105)耦合且每一块205可包含于由控制器(例如参考图1描述的存储器系统控制器115或本地控制器135)控制的存储器阵列中。
47.块205可各自包含经配置以存储数据的多个页225(例如，其可为参考图1描述的页175的实例)。一些存储数据可为热数据210，且其它存储数据可为冷数据215(例如冷数据215-a及冷数据215-n)。在一些实例中，块205可具有自由或可用空间，例如未存储数据的页225或存储可被擦除或盖写的无效数据的页225。举例来说，块205-b的页225-a到页225-n可为自由空间。在一些实例中，存储器系统200可经配置以追踪在块205处执行的读取操作的数量，例如，存储器系统200可以块205级粒度而非页225级粒度追踪读取操作的数量。
48.缓冲器220可经配置以用作存储器系统200的高速缓存。举例来说，缓冲器220可存储从块205读取的将传输到主机系统(例如参考图1描述的主机系统105)的数据。举例来说，当存储于缓冲器220中时，数据可在由主机系统(例如，重复)请求时用于低延时检索、基于来自主机系统的命令(例如写入命令)用于修改或其任何组合。另外或替代地，缓冲器220可存储从主机系统接收的稍后将写入到块205的数据。在一些实例中，缓冲器220可定位于存储器系统控制器(例如存储器系统控制器115)内。在其它实例中，缓冲器220可定位于本地控制器(例如本地控制器135)内。缓冲器220可包括易失性存储器单元，例如ram存储器单元，例如sram存储器单元。
49.在一些实例中，主机系统可将读取或写入命令传输到存储器系统200。在此类实例中，存储器系统200可对块205执行读取或写入操作。在一些实例中，主机系统可使一些数据(例如热数据210)比存储于块205处的其它数据(例如冷数据215)更多地被请求。例如，热数据210可被预载或相关联于频繁用于系统(例如参考图1描述的系统100)中的应用程序或程序，且主机系统可频繁请求热数据210。在一些情况中，至少一些热数据210还可不频繁或完全不更新，例如，此类热数据210可被一次写入但可被多次读取。
50.在一些实例中，如果块205处读取操作的数量超过可例如在存储器系统200的设计或制造阶段期间确定(例如，以经验为主)的可靠性阈值，那么存储于块205处的数据可能易受损坏。即，可靠性阈值可为针对块205的读取操作的预定数量，如果高于预定数量，那么给定应用的数据损坏的概率将不合意地高。
51.作为此可靠性阈值的补充或替代(例如，以进一步降低数据损坏的概率)，存储器系统200可使用本文中描述的早期重新定位阈值。在一些实例中，早期重新定位阈值可小于(例如，低于)可靠性阈值。在一些实例中，早期重新定位阈值可在存储器系统200操作之前(例如，在存储器系统200的设计或制造阶段期间)确定，且早期重新定位阈值可在存储器系统200操作时为静态的。在其它实例中，早期重新定位阈值可在存储器系统200操作时或结合存储器系统200的初始化(例如启动或重启)为动态的(例如，可配置、可调整)。
52.举例来说，存储器系统200可基于存储器系统200的逻辑饱和度(例如，基于自由存储数据的块205或页225的数量)确定(例如，设置、配置、调整)早期重新定位阈值。举例来说，存储器系统200可确定存储有效数据的块205的数量。在此类实例中，逻辑饱和度可基于存储有效数据的块205与存储器系统200中块205的总数量的比率。例如，作为简化数值实例，如果存储器系统200包含存储数据的两(2)个块205及总共十(10)个块，那么存储器系统的逻辑饱和度可为百分之二十(20％)。作为一个实例，存储器系统200可基于相对低逻辑饱和度(例如，基于自由存储数据的块205的高数量)确定相对低早期重新定位阈值，因为较大数量的自由块205可支持更频繁重新定位，其可与较低早期重新定位阈值兼容且可进一步提高可靠性。作为另一实例，存储器系统200可基于相对高逻辑饱和度(例如，基于自由存储数据的块205的低数量)确定相对高阈值，因为较少数量的自由块205可使频繁重新定位不太合意且因此可使较高早期重新定位阈值合意。在一些情况中，存储器系统200可基于存储器系统200的逻辑饱和度的变化来调整(例如，改变或更新)早期重新定位阈值。举例来说，存储器系统200可从主机系统接收写入命令且将数据存储于先前自由的块205处。因此，存储器系统200可在写入操作之后具有更高逻辑饱和度。在此类实例中，存储器系统200可基于逻辑饱和度的变化来调整早期重新定位阈值，例如，存储器系统200可基于较高逻辑饱和度来增大早期重新定位阈值。类似地，存储器系统200可基于块205被擦除且变成可用于将数据写入到其来将早期重新定位阈值调低(例如，减小早期重新定位阈值)。
53.在其它实例中，存储器系统200可基于与存储器系统200相关联的媒体管理操作(例如废弃项目收集或损耗均衡操作)确定阈值。举例来说，如果存储器系统200频繁地对块205执行媒体管理操作，那么存储器系统200可确定相对高早期重新定位阈值。即，基于频繁废弃项目收集及损耗均衡操作，块205中的数据可频繁地从块205移动或擦除，且较高早期重新定位阈值可用作数据受损坏的概率，可基于频繁媒体管理操作单独减小。在其它实例中，当存储器系统200执行不频繁废弃项目收集或损耗均衡操作时，存储器系统200可确定相对低早期重新定位阈值。
54.作为另一实例，如果废弃项目收集操作或损耗均衡操作最近已在块205-a处执行(例如，在某阈值时间量内)、很快将在块205-a处执行(例如，在某阈值时间量内)或其任何组合，那么存储器系统200可调整(例如，减小)早期重新定位阈值或临时停用阈值。在一些实例中，存储器系统200可确定存储器阵列内所有块205的早期重新定位阈值。在其它实例中，存储器系统200可确定每一块205或块205群组的相应早期重新定位阈值。
55.基于早期重新定位阈值，存储器系统200可确定是否移动数据(例如，改变数据的有效版本的位置)从块205-a到新块(例如块205-b)。举例来说，存储器系统200可针对每一块205维持对在块205处执行的读取操作的数量进行计数的相应计数器，其可称为读取计数器，例如用于块205-a的第一读取计数器、用于块205-b的第二读取计数器及用于任何数量的额外块205的类推计数器。每当执行与对应块205相关联的读取操作时(例如，每当接收存储于对应块205中的数据的读取命令时)，存储器系统200可更新相应读取计数器的值。
56.每当存储器系统使用于块205的读取计数器递增时，存储器系统200可确定(例如，评估、检查)用于块205的读取计数器的值是否满足(例如，大于或等于)用于块205的早期重新定位阈值。即，存储器系统200可确定在块205处执行的读取操作的数量是否满足早期重新定位阈值。如果在块205处执行的读取操作的数量满足早期重新定位阈值，那么存储器系统200可将至少一些数据从块205重新定位到新块205。举例来说，存储器系统200可将与针对块205的最近读取操作相关联的数据的新副本写入到新块205。在一些情况中，结合从块205读取数据，存储器系统200可在至少某时段内将数据存储于缓冲器220中，且存储器系统200可通过将数据从缓冲器220写入到新块205且通过使(例如，通过更新一或多个l2p表)新块205处的数据的所得副本成为数据的有效版本而非数据先前从其读取的块205处的数据的版本(例如，可使数据先前从其读取的块205处的数据的版本无效，例如通过更新一或多个l2p表)来重新定位数据。在一些实例中，存储器系统可类似地将从块205读取且在重新定位时存在(例如，存储)于缓冲器220中的任何数据重新定位到新块205(例如，如果一些数据在早期重新定位值被满足之前从块205读取到缓冲器220中，但此数据在早期重新定位阈值被满足之后留在缓冲器220中，那么此数据还可重新定位到新块205)。
57.作为说明性实例，由存储器系统200接收的读取命令可与存储于块205-a中的热数据210-h相关联。存储器系统200可响应于读取命令而从块205-a读取热数据210-h且将热数据210-h写入到缓冲器220。存储器系统200还可基于从块205-a读取热数据210-h来确定块205-a的早期重新定位阈值被满足。在此类实例中，基于早期重新定位阈值被满足，存储器系统200稍后可将存储于缓冲器220处的热数据210-h(其在一些情况中可能在存储于缓冲器220处时已修改或更新)写入到块205-b且使写入到块205-b的热数据210-h的版本成为其有效版本。存储器系统200借此可将热数据210-h从块205-a重新定位到块205-b。在其中早期重新定位阈值未被满足的替代案例中，存储器系统200可使先前从块205-a读取的热数据210-h的版本维持为其有效版本，且存储器系统200可在从缓冲器220逐出热数据210-h之后不执行任何额外写入操作(例如，只要热数据210-h在存储于缓冲器220中时没有更新，因为热数据210-h的更新可致使热数据210-h的经更新版本在从缓冲器220逐出之后代以写入到块205-b或某其它块205，与早期重新定位阈值是否被满足无关)。
58.在一些实例中，热数据210-a到热数据210-g(即，热数据210-a、热数据210-b、热数据210-c、热数据210-d、热数据210-e、热数据210-f及热数据210-g中的每一者)可能先前已从块205-a读取且可基于由存储器系统200接收的先前读取命令在缓冲器220中，且基于早期重新定位阈值结合从块205-a读取热数据210-h被满足，存储器系统200还可将热数据210-a到热数据210-g写入到块205-b而非写入到块205-a。在一些实例中，存储器系统可将热数据210-a到热数据210-h写入到块205-b内的物理连续位置(例如，写入到块205-b内的物理连续页225)，其可减少与稍后读取热数据210-a到热数据210-h相关联的读取延时。举
例来说，存储器系统200可以比从非连续(例如随机)位置读取数据更低的延时从物理连续位置读取数据。
59.作为另一说明性实例，存储器系统200可基于从块205-a读取热数据210-a来确定块205-a的早期重新定位阈值被满足。因此，存储器系统200可根据本文中公开的实例将热数据210-a重新定位到块205-b。在从块205-a读取热数据210-a之后，存储器系统200还可从块205-a读取热数据210-b到热数据210-h(即，热数据210-b、热数据210-c、热数据210-d、热数据210-e、热数据210-f、热数据210-g及热数据210-h中的每一者)。基于早期重新定位阈值先前已结合读取热数据210-a被满足，存储器系统200还可根据本文中公开的实例将热数据210-b到热数据210-h重新定位到块205-b。因此，热数据210-b到热数据210-h可各自基于早期重新定位阈值先前已结合读取热数据210-a被满足来重新定位，在一些情况中无关于热数据210-b到热数据210-h是否彼此或与热数据210-a并发在缓冲器220中。在一些此类实例中，存储器系统可将热数据210-a到热数据210-h写入到块205-b内的物理连续位置。
60.响应于确定块205-a的早期重新定位阈值被满足，存储器系统200可重新定位最近从块205读取的数据(或在一些情况中，来自块205-a的任何数据，其在块205-a的早期重新定位阈值被满足之后留在或变成存储于缓冲器220中)，无论此数据是热数据210还是冷数据215。因此，在一些实例中，冷数据215可被重新定位(例如，从块205-a到块205-b)。然而，在相对大量读取操作(例如数百万或数十亿的读取操作或存储器系统200的整个寿命)内，存储器系统200在统计上基于早期重新定位阈值使热数据210比冷数据215更可能重新定位。举例来说，主机系统更可能向热数据210发出读取命令且因此热数据210在早期重新定位阈值被满足时或之后更可能存在于缓冲器220中。另外，通过不频繁转移冷数据215来对存储器系统200的性能产生的任何不利影响可极小(例如，可忽略不计)。
61.在一些实例中，存储器系统200可基于从块205读取第一组数据来确定块205的早期重新定位阈值被满足，且存储器系统200可基于第一组数据与一或多组额外数据之间的关系将一或多组额外数据(与第一组数据一起)从块205重新定位到不同块205，无论一或多组额外数据在块205的重新定位阈值被满足时或之后是否原本在缓冲器220中。在一些情况中，一或多组额外数据可与第一组数据共享物理关系。举例来说，块205-a的重新定位阈值可基于从块205-a读取热数据210-c来满足，且热数据210-c可与存储于一或多个页225中的一或多组数据一起重新定位到块205-b，一或多个页225与存储热数据210-c的页225共享至少一个物理组件(例如一或多个存取线或其它物理结构)(例如冷数据215-a、热数据210-b或存储于物理相邻页225中作为热数据210-c的某组其它数据可重新定位到块205-b)。
62.除早期重新定位阈值之外，一些存储器系统200还可采用本文中描述的可靠性阈值。可靠性阈值可高于早期重新定位阈值(例如，块205的可靠性阈值可在对块205执行比早期重新定位阈值更大数量的读取操作之后被满足)。响应于块205的可靠性阈值被满足，存储于块205内的所有有效数据可重新定位到另一块205。
63.通过基于第一块205-a的早期重新定位阈值被满足来将数据从缓冲器220写入到第二块205-b，存储器系统200可降低数据由于第一块205-a损耗而受损坏的概率。此外，通过从缓冲器220写入数据，存储器系统200可避免对与数据相关的块205-a进行非必要额外读取操作。此还可减少存储器系统200中的延时(例如，减少与从块205-a读取数据相关联的延时)，其可长于将数据从缓冲器220直接写入到第二块205-b。另外，通过将经重新定位数
据组写入到第二块205-b内的连续物理位置，存储器系统200可减少与针对经重新定位数据的后续读取操作相关联的读取延时。此外，存储器系统200可在无需追踪页225或其它子块级粒度处的读取操作的情况下(例如，在无需消耗额外资源或引入过多开销的情况下)实现这些或其它益处。
64.在一些实例中，用于块205的读取计数器可在对块205执行擦除操作之后(例如，响应于对块205执行擦除操作)复位(例如，设置到初始值，例如零)。因此，在一些情况中，为了与早期重新定位阈值、可靠性阈值或两者比较，在块205处执行的读取操作的数量可为自对块205进行的最近擦除操作以来在块205处执行的读取操作的数量。
65.图3说明根据本文中公开的实例的支持用于存储器的经改进数据管理的过程图300的实例。过程图300说明用于基于在第一位置处执行的读取操作的数量满足早期重新定位阈值来将存储于第一位置处的数据重新定位到缓冲器及接着从缓冲器重新定位到第二位置的实例过程。过程图300的过程可由参考图1及2描述的系统及其组件(例如系统100或存储器系统200)执行。过程的方面可由控制器(例如存储器系统控制器115)以及其它组件实施。另外或替代地，过程的方面可经实施为存储于存储器中的指令(例如存储于与控制器耦合或包含于控制器中的存储器中的固件)。举例来说，指令在由控制器执行时可致使控制器执行过程的操作。
66.尽管以特定序列或顺序展示，但除非另有指定，否则过程的操作顺序可修改。因此，所说明实例用作实例，且所说明操作可以不同顺序执行，且一些操作可并行执行。另外，在各个实例中，可省略或添加一或多个操作。
67.在305，可识别早期重新定位阈值的值。举例来说，存储器系统可识别早期重新定位阈值。存储器系统(例如参考图1描述的存储器系统控制器115)可基于存储于存储器系统处的值识别早期重新定位阈值。举例来说，早期重新定位阈值可存储于寄存器(例如模式寄存器)中或否则配置于存储器系统处。在一些情况中，早期重新定位阈值可为动态的，且存储器系统可确定早期重新定位阈值(例如，基于逻辑饱和度、自媒体管理操作以来或直到媒体管理操作的时间或其任何组合)，且识别早期重新定位阈值可包含或基于此确定。
68.在310，可接收读取命令。举例来说，存储器系统可从主机系统(例如参考图1描述的主机系统105)接收读取命令。读取命令可在存储器系统控制器(例如参考图1描述的存储器系统控制器115)处接收。读取命令可针对存储于存储器系统内的第一存储器单元块处的数据。
69.在315，可将数据从存储器单元块读取到缓冲器(例如参考图2描述的缓冲器220)。举例来说，存储器系统可将数据从第一块读取到缓冲器。在一些实例中，读取操作可由存储器系统控制器启动。在一些实例中，存储器系统可从第一块读取与读取命令相关联的数据。在一些情况中，存储器系统控制器可在从第一块读取数据之后的某持续时间内将数据存储于缓冲器处(例如，基于用于缓冲器的高速缓存策略)。
70.在一些实例中，在317，存储器系统控制器可将数据从缓冲器传输到主机系统以满足读取命令。缓冲器可用作高速缓存且临时存储与读取操作相关联的数据(例如，直到数据根据高速缓存策略(例如作为一个实例，先进先出(fifo)策略)从缓冲器逐出)。
71.在320，可更新计数器(例如读取计数器)。举例来说，存储器系统可更新计数器。在一些实例中，计数器可由存储器系统控制器更新。在一些实例中，存储器系统可例如通过维
持用于每一块的相应计数器来监测(例如，记录或保持追踪)在存储器系统内的每一存储器单元块处执行的读取操作的相应数量。在此类实例中，存储器系统控制器可基于在310接收读取命令或在315执行读取命令(例如，基于将数据读取到缓冲器)来更新与第一块相关联的计数器。举例来说，存储器系统控制器可将计数器的值从第一值更新到第二值。
72.在325，可确定早期重新定位阈值是否被满足。举例来说，存储器系统可确定早期重新定位阈值是否被满足。确定可由存储器系统控制器作出。在一些实例中(例如，在更新计数器之后)，存储器系统控制器可比较用于第一块的计数器的值与早期重新定位阈值，例如比较在第一块处执行的读取操作的数量与早期重新定位阈值的值。如果存储器系统控制器确定计数器值不满足早期重新定位阈值，那么存储器系统可继续到330。如果存储器系统控制器确定计数器值确实满足早期重新定位阈值，那么存储器系统可继续到335。
73.在330，可基于(例如，响应于)在325确定计数器值不满足早期重新定位阈值来使从第一块读取且仍存储于第一块处的数据维持为有效。举例来说，存储器系统可从缓冲器逐出数据且无需执行任何额外写入操作。存储器系统控制器可致使存储器系统使第一块处的数据的版本维持为有效(例如，通过制止更新一或多个相关联l2p表)。在一些实例中，存储器系统可基于缓冲器的高速缓存策略(例如用于缓冲器的逐出策略，其中存储于缓冲器处的数据最终可根据逐出策略从缓冲器逐出)在某时间从缓冲器逐出数据。
74.应理解，在若干情况中，数据可在存储于缓冲器中时更新(例如，基于由存储器系统从主机系统接收的一或多个命令，例如写入命令)。如果数据在存储于缓冲器中时更新，那么数据的经更新版本可写入到另一块，无论(例如，无关于)在325是否确定早期重新定位阈值被满足。因此，第一块处在330维持为有效的数据可相同于在315从第一块读取的数据。因此，存储器系统控制器可使在315读取且存储于第一块中的数据保持为其有效版本。
75.在335，可基于(例如，响应于)在325确定计数器值满足早期重新定位阈值来将数据从缓冲器写入到第二存储器单元块(例如，即使数据在存储于缓冲器中时未更新，例如，无论数据在存储于缓冲器中时是否更新)。举例来说，存储器系统可将数据从缓冲器写入到第二块。存储器系统控制器可致使存储器系统将数据从缓冲器写入到第二块。在一些实例中，存储器系统可基于缓冲器的高速缓存策略在某时间以相似于参考330描述的方式的方式将数据从缓冲器写入到第二块。应理解，在若干情况中，数据可在存储于缓冲器中时更新(例如，基于由存储器系统从主机系统接收的一或多个命令，例如写入命令)。因此，在一些情况中，在335写入到第二块的数据可相同于在315从第一块读取的数据，但在其它情况中，在335写入到第二块的数据可为在315从第一块读取的数据的经更新(例如，经修改)版本。在335写入到第二块的数据可与相同于在315从第一块读取的数据的逻辑地址相关联且因此可被视作相同数据，即使一者是另一者的经更新版本。因此，存储器系统控制器可将在315读取的数据重新定位到第二块。在335写入到第二块的数据的版本随后可被视为数据的有效副本，且先前在315从第一块读取的数据的版本随后可被视为无效(例如，一或多个l2p表可经更新以使在335写入到第二块的数据的版本与数据的逻辑地址相关联且使先前在315从第一块读取的数据的版本与数据的逻辑地址无关联)。
76.在340，可确定早期重新定位阈值的条件是否已改变。举例来说，存储器系统可确定早期重新定位阈值的一或多个条件是否已改变。在一些实例中，确定可由存储器系统控制器作出。在一些实例中，在重新定位第一块处的数据之后或基于某调度(例如周期性)，存
储器系统控制器可检查早期重新定位阈值的条件是否已改变。举例来说，存储器系统控制器可检查逻辑饱和度是否已从早期重新定位阈值先前被确定的时间改变，例如基于块被编程或擦除。存储器系统控制器还可检查一或多个媒体管理操作(例如废弃项目收集或损耗均衡操作)是否已在阈值时间量内发生或将在阈值时间量内发生或与此类操作相关联的频率是否已更新。如果存储器系统控制器确定早期重新定位阈值的一或多个条件已改变(例如，已改变到足够程度)，那么存储器系统可继续到350。如果存储器系统控制器确定早期重新定位阈值的条件尚未改变(或未改变到足够程度)，那么存储器系统可继续到345。
77.在345，可基于(例如，响应于)在340确定早期重新定位阈值的条件尚未改变(或未改变到足够程度，例如改变量不足)来维持早期重新定位阈值。举例来说，存储器系统可维持早期重新定位阈值。早期重新定位阈值可由存储器系统控制器维持。在此类实例中，存储器系统控制器可在325使用所维持的早期重新定位阈值来确定早期重新定位阈值在过程的下一迭代期间是否被满足。
78.在350，可基于(例如，响应于)在340确定早期重新定位阈值的条件已改变(或已改变到足够程度，例如改变量足够)来调整或更新阈值。举例来说，存储器系统可调整早期重新定位阈值。调整可由存储器系统控制器进行。调整可与特定于第一块或包含第一块的块群组的早期重新定位阈值或由存储器系统的所有块共有的早期重新定位阈值有关，取决于存储器系统是使用一个还是多个早期重新定位阈值。举例来说，存储器系统控制器可基于逻辑饱和度减小来减小早期重新定位阈值。在其它实例中，存储器系统控制器可基于逻辑饱和度增大来增大早期重新定位阈值。另外或替代地，存储器系统控制器还可基于相对最近或即将到来媒体管理(例如废弃项目收集或损耗均衡)操作来增大早期重新定位阈值。在其它情况中，存储器系统控制器可基于在相对长持续时间内未执行或不计划发生媒体管理(例如废弃项目收集或损耗均衡)操作来减小早期重新定位阈值。在此类实例中，存储器系统控制器可在325使用经更新早期重新定位阈值来确定早期重新定位阈值在过程的下一迭代期间是否被满足。
79.在一些实例中，在355，可基于(例如响应于)在340确定早期重新定位阈值的条件已改变来停用早期重新定位阈值。举例来说，如果一或多个条件已在很大或否则足够程度上改变(其在一些情况中可为大于导致早期重新定位阈值更新的程度)，那么可停用早期重新定位阈值。停用可与特定于第一块或包含第一块的块群组的早期重新定位阈值或由存储器系统的所有块共有的早期重新定位阈值有关，取决于存储器系统是使用一个还是多个早期重新定位阈值。在一些实例中，如果存储器系统控制器停用阈值，那么存储器系统控制器可利用本文中描述的可靠性阈值(例如具有第二阈值的第二阈值)基于在块处执行后续读取操作来确定是否重新定位存储于块处的所有有效数据。举例来说，如果存储器系统控制器接收与第一块相关联的第二读取命令且将计数器更新到第二值，那么存储器系统控制器可比较第二值与可靠性阈值。如果第二值满足可靠性阈值，那么存储器系统控制器可将第一块处的所有有效数据重新定位到第二块或某其它块。如果第二值不满足可靠性阈值，那么存储器系统控制器可制止从第一块移走任何数据。
80.图4展示根据本文中公开的实例的支持用于存储器的经改进数据管理的存储器系统420的框图400。存储器系统420可为参考图1到3描述的存储器系统的方面的实例。存储器系统420或其各个组件可为用于执行用于存储器的经改进数据管理的各个方面的构件的实
例，如本文中描述。举例来说，存储器系统420可包含接收组件425、存取操作组件430、阈值组件435、块管理组件440或其任何组合。这些组件中的每一者可彼此直接或间接通信(例如，经由一或多个总线)。
81.接收组件425可经配置为或否则支持用于在包含一或多个存储器单元块的存储器阵列处接收与存储于一或多个块中的第一块处的数据子集相关联的读取命令的构件。存取操作组件430可经配置为或否则支持用于至少部分基于接收组件425接收到读取命令来将数据子集从第一块读取到缓冲器的构件。阈值组件435可经配置为或否则支持用于至少部分基于接收组件425接收到读取命令来确定在第一块处执行的读取操作的数量是否满足阈值的构件。在一些实例中，存取操作组件430可经配置为或否则支持用于至少部分基于阈值组件435确定在第一块处执行的读取操作的数量满足阈值来将数据子集从缓冲器写入到一或多个块中的第二块的构件。
82.在一些实例中，接收组件425可经配置为或否则支持用于在读取命令之后接收与数据子集或存储于第一块处的第二数据子集相关联的第二读取命令的构件。在一些实例中，阈值组件435可经配置为或否则支持用于至少部分基于接收组件425接收到第二读取命令来确定在第一块处执行的读取命令的第二数量是否满足第二阈值的构件。在一些实例中，存取操作组件430可经配置为或否则支持用于至少部分基于阈值组件435确定在第一块处执行的读取操作的数量满足第二阈值来将存储于第一块处的所有有效数据写入到包含于一或多个块中的一或多个其它块的构件。在一些实例中，阈值可小于第二阈值。
83.在一些实例中，块管理组件440可经配置为或否则支持用于确定一或多个块内存储有效数据的块的数量的构件。在一些实例中，阈值组件435可经配置为或否则支持用于在接收组件425接收到读取命令之前至少部分基于一或多个块内存储有效数据的块的数量来确定阈值的构件。
84.在一些实例中，块管理组件440可经配置为或否则支持用于至少部分基于存取操作组件430将数据子集写入到第二块来确定一或多个块内存储有效数据的块的经更新数量的构件。在一些实例中，阈值组件435可经配置为或否则支持用于至少部分基于一或多个块内存储有效数据的块的经更新数量来调整阈值的构件。
85.在一些实例中，阈值组件435可经配置为或否则支持用于在接收组件425接收到读取命令之前至少部分基于针对存储器阵列的媒体管理操作来确定阈值的构件。
86.在一些实例中，接收组件425可经配置为或否则支持用于接收与存储于一或多个块中的第三块处的第二数据子集相关联的第二读取命令的构件。在一些实例中，存取操作组件430可经配置为或否则支持用于至少部分基于接收组件425接收到第二读取命令来将第二数据子集从第三块读取到缓冲器的构件。在一些实例中，阈值组件435可经配置为或否则支持用于尽管在第三块处执行的读取操作的第二数量满足阈值但仍制止将数据从缓冲器转移到一或多个块中的第四块的构件，所述制止至少部分基于在接收到读取命令之前对一或多个块执行的媒体管理操作。
87.在一些实例中，阈值组件435可经配置为或否则支持用于初始化计数器的构件。在一些实例中，阈值组件435可经配置为或否则支持用于至少部分基于接收组件425接收到读取命令来将计数器更新到第一值的构件，其中确定在第一块处执行的读取操作的数量是否满足阈值是至少部分基于比较第一值与阈值。
88.在一些实例中，为了支持将数据子集写入到一或多个块中的第二块，存取操作组件430可经配置为或否则支持用于将数据子集写入到第二块中的一组物理连续位置的构件。
89.在一些实例中，块管理组件440可经配置为或否则支持用于至少部分基于阈值组件435确定在第一块处执行的读取操作的数量满足阈值来识别在第一块处且与数据子集相关联的第二数据子集的构件。在一些实例中，存取操作组件430可经配置为或否则支持用于至少部分基于第二数据子集与数据子集相关联来将第二数据子集从第一块转移到第二块的构件。
90.在一些实例中，一或多个存储器单元块可包含非易失性存储器单元。在一些实例中，缓冲器可包含易失性存储器单元。
91.图5展示说明根据本文中公开的实例的支持用于存储器的经改进数据管理的方法500的流程图。方法500的操作可由本文中描述的存储器系统或其组件实施。举例来说，方法500的操作可由参考图1到3及4描述的存储器系统执行。在一些实例中，存储器系统可执行一组指令以控制装置的功能元件执行所描述功能。另外或替代地，存储器系统可使用专用硬件执行所描述功能的方面。
92.在505，方法可包含在包含一或多个存储器单元块的存储器阵列处接收与存储于一或多个块中的第一块处的数据子集相关联的读取命令。操作505可根据本文中公开的实例执行。在一些实例中，操作505的方面可由参考图4描述的接收组件425执行。
93.在510，方法可包含至少部分基于接收到读取命令来将数据子集从第一块读取到缓冲器。操作510可根据本文中公开的实例执行。在一些实例中，操作510的方面可由参考图4描述的存取操作组件430执行。
94.在515，方法可包含至少部分基于接收到读取命令来确定在第一块处执行的读取操作的数量是否满足一阈值。操作515可根据本文中公开的实例执行。在一些实例中，操作515的方面可由参考图4描述的阈值组件435执行。
95.在520，方法可包含至少部分基于确定在第一块处执行的读取操作的数量满足阈值来将数据子集从缓冲器写入到一或多个块中的第二块。操作520可根据本文中公开的实例执行。在一些实例中，操作520的方面可由参考图4描述的存取操作组件430执行。
96.在一些实例中，本文中描述的设备可执行一或若干方法，例如方法500。设备可包含用于以下的特征、电路系统、逻辑、构件或指令(例如存储可由处理器执行的指令的非暂时性计算机可读媒体)：在包含一或多个存储器单元块的存储器阵列处接收与存储于一或多个块中的第一块处的数据子集相关联的读取命令；至少部分基于接收到读取命令来将数据子集从第一块读取到缓冲器；至少部分基于接收到读取命令来确定在第一块处执行的读取操作的数量是否满足一阈值；及至少部分基于确定在第一块处执行的读取操作的数量满足阈值来将数据子集从缓冲器写入到一或多个块中的第二块。
97.本文中描述的方法500及设备的一些实例可进一步包含用于以下的操作、特征、电路系统、逻辑、构件或指令：在读取命令之后接收与数据子集或存储于第一块处的第二数据子集相关联的第二读取命令；至少部分基于接收到第二读取命令来确定在第一块处执行的读取命令的第二数量是否满足第二阈值；及至少部分基于确定在第一块处执行的读取操作的数量满足第二阈值来将存储于第一块处的所有有效数据写入到包含于一或多个块中的
一或多个其它块。在本文中描述的方法500及设备的一些实例中，阈值可小于第二阈值。
98.本文中描述的方法500及设备的一些实例可进一步包含用于以下的操作、特征、电路系统、逻辑、构件或指令：确定一或多个块内存储有效数据的块的数量；及在接收到读取命令之前至少部分基于一或多个块内存储有效数据的块的数量来确定阈值。
99.本文中描述的方法500及设备的一些实例可进一步包含用于以下的操作、特征、电路系统、逻辑、构件或指令：至少部分基于将数据子集写入到第二块来确定一或多个块内存储有效数据的块的经更新数量；及至少部分基于一或多个块内存储有效数据的块的经更新数量来调整阈值。
100.本文中描述的方法500及设备的一些实例可进一步包含用于在接收到读取命令之前至少部分基于针对存储器阵列的媒体管理操作来确定阈值的操作、特征、电路系统、逻辑、构件或指令。
101.本文中描述的方法500及设备的一些实例可进一步包含用于以下的操作、特征、电路系统、逻辑、构件或指令：接收与存储于一或多个块中的第三块处的第二数据子集相关联的第二读取命令；至少部分基于接收到第二读取命令来将第二数据子集从第三块读取到缓冲器；及尽管在第三块处执行的读取操作的第二数量满足阈值，但仍制止将数据从缓冲器转移到一或多个块中的第四块，所述制止至少部分基于在接收到读取命令之前对一或多个块执行的媒体管理操作。
102.本文中描述的方法500及设备的一些实例可进一步包含用于以下的操作、特征、电路系统、逻辑、构件或指令：初始化计数器；及至少部分基于接收到读取命令来将计数器更新到第一值，其中确定在第一块处执行的读取操作的数量是否满足阈值可至少部分基于比较第一值与阈值。
103.在本文中描述的方法500及设备的一些实例中，用于将数据子集写入到一或多个块中的第二块的操作、特征、电路系统、逻辑、构件或指令可包含用于将数据子集写入到第二块中的一组物理连续位置的操作、特征、电路系统、逻辑、构件或指令。
104.本文中描述的方法500及设备的一些实例可进一步包含用于以下的操作、特征、电路系统、逻辑、构件或指令：至少部分基于确定在第一块处执行的读取操作的数量满足阈值来识别在第一块处且与数据子集相关联的第二数据子集；及至少部分基于第二数据子集与数据子集相关联来将第二数据子集从第一块转移到第二块。
105.在本文中描述的方法500及设备的一些实例中，一或多个存储器单元块包含非易失性存储器单元且缓冲器包含易失性存储器单元。
106.应注意，上述方法描述可能实施方案，且操作及步骤可经重新布置或否则经修改且其它实施方案是可能的。此外，可组合来自方法中的两者或更多者的部分。
107.描述一种设备。所述设备可包含包括一或多个存储器单元块的存储器阵列及用于所述存储器阵列的控制器。所述控制器可经配置以致使所述设备：接收与存储于所述一或多个块中的第一块处的数据子集相关联的读取命令；至少部分基于接收到所述读取命令来将所述数据子集从所述第一块读取到缓冲器；至少部分基于接收到所述读取命令来确定在所述第一块处执行的读取操作的数量是否满足一阈值；及至少部分基于确定在所述第一块处执行的读取操作的所述数量满足所述阈值来将所述数据子集从所述缓冲器写入到所述一或多个块中的第二块。
108.在一些实例中，所述控制器可进一步经配置以致使所述设备：在所述读取命令之后接收与所述数据子集或存储于所述第一块处的第二数据子集相关联的第二读取命令；至少部分基于接收到所述第二读取命令来确定在所述第一块处执行的读取命令的第二数量是否满足第二阈值；及至少部分基于确定在所述第一块处执行的读取操作的所述数量满足所述第二阈值来将存储于所述第一块处的所有有效数据写入到包含于所述一或多个块中的一或多个其它块。在一些实例中，所述阈值可小于所述第二阈值。
109.在一些实例中，所述控制器可进一步经配置以致使所述设备：确定所述一或多个块内存储有效数据的块的数量；及在接收到所述读取命令之前至少部分基于所述一或多个块内存储有效数据的块的所述数量来确定所述阈值。
110.在一些实例中，所述控制器可进一步经配置以致使所述设备：至少部分基于将所述数据子集写入到所述第二块来确定所述一或多个块内存储有效数据的块的经更新数量；及至少部分基于所述一或多个块内存储有效数据的块的所述经更新数量来调整所述阈值。
111.在一些实例中，所述控制器可进一步经配置以致使所述设备在接收到所述读取命令之前至少部分基于针对所述存储器阵列的媒体管理操作来确定所述阈值。
112.在一些实例中，所述控制器可进一步经配置以致使所述设备：接收与存储于所述一或多个块中的第三块处的第二数据子集相关联的第二读取命令；至少部分基于接收到所述第二读取命令来将所述第二数据子集从所述第三块读取到所述缓冲器；及尽管在所述第三块处执行的读取操作的第二数量满足所述阈值，但仍制止将数据从所述缓冲器转移到所述一或多个块中的第四块，所述制止至少部分基于在接收到所述读取命令之前对所述一或多个块执行的媒体管理操作。
113.在一些实例中，所述控制器可进一步经配置以致使所述设备：初始化计数器；及至少部分基于接收到所述读取命令来将所述计数器更新到第一值，其中确定在所述第一块处执行的读取操作的所述数量是否满足所述阈值可至少部分基于比较所述第一值与所述阈值。
114.在一些实例中，为了将所述数据子集写入到所述一或多个块中的所述第二块，所述控制器可经配置以致使所述设备将所述数据子集写入到所述第二块中的一组物理连续位置。
115.在一些实例中，所述控制器可进一步经配置以致使所述设备：至少部分基于确定在所述第一块处执行的读取操作的所述数量满足所述阈值来识别在所述第一块处且与所述数据子集相关联的第二数据子集；及至少部分基于所述第二数据子集与所述数据子集相关联来将所述第二数据子集从所述第一块转移到所述第二块。
116.在一些实例中，所述一或多个存储器单元块包含非易失性存储器单元，且所述缓冲器包含易失性存储器单元。
117.本文中描述的信息及信号可使用各种不同工艺及技术中的任何者表示。举例来说，在整个上文描述中可参考的数据、指令、命令、信息、信号、位、符号及芯片可由电压、电流、电磁波、磁场或磁粒子、光场或光粒子或其任何组合表示。一些图式可将信号说明为单个信号；然而，信号可表示信号总线，其中总线可具有各种位宽度。
118.术语“电子通信”、“导电接触”、“连接”及“耦合”可指代支持组件之间的信号流动的组件之间的关系。如果组件之间存在可在任何时间支持组件之间的信号流动的任何导电
路径，那么可认为组件彼此电子通信(或导电接触或连接或耦合)。在任何给定时间，彼此电子通信(或导电接触或连接或耦合)的组件之间的导电路径可为开路或闭路，其基于包含经连接组件的装置的操作。经连接组件之间的导电路径可为组件之间的直接导电路径，或经连接组件之间的导电路径可为可包含中间组件(例如开关、晶体管或其它组件)的间接导电路径。在一些实例中，在一时间内可例如使用一或多个中间组件(例如开关或晶体管)中断经连接组件之间的信号流动。
119.术语“耦合”指代从组件之间的开路关系(其中信号目前不能通过导电路径传送于组件之间)转变到组件之间的闭路关系(其中信号能够通过导电路径传送于组件之间)的条件。如果例如控制器的组件将其它组件耦合在一起，那么组件引发允许信号通过先前不准许信号流动的导电路径流动于其它组件之间的变化。
120.术语“隔离”指代其中信号目前不能流动于组件之间的组件之间的关系。如果组件之间存在开路，那么组件彼此隔离。举例来说，如果定位于两个组件之间的开关打开，那么由开关分离的组件彼此隔离。如果控制器隔离两个组件，那么控制器引起防止信号使用先前准许信号流动的导电路径流动于组件之间的变化。
121.如本文中使用，术语“基本上”意味着经修饰特性(例如由术语“基本上”修饰的动词或形容词)无需为绝对的但足够接近以便实现特性的优点。
122.术语“如果”、“当
…
时”、“基于”或“至少部分基于”可互换使用。在一些实例中，如果术语“如果”、“当
…
时”、“基于”或“至少部分基于”用于描述条件动作、条件过程或过程的部分之间的连接，那么术语可为可互换的。
123.术语“响应于”可指代一个条件或动作至少部分(如果非完全)由于先前条件或动作而发生。举例来说，可执行第一条件或动作，且第二条件或动作可至少部分由于先前条件或动作发生而发生(无论直接在还是在第一条件或动作之后发生的一或多个其它中间条件或动作之后)。
124.另外，术语“直接地响应于”或“直接响应于”可指代一个条件或动作直接由于先前条件或动作而发生。在一些实例中，可执行第一条件或动作且第二条件或动作可直接由于先前条件或动作发生而发生，与其它条件或动作是否发生无关。在一些实例中，可执行第一条件或动作且第二条件或动作可直接由于先前条件或动作发生而发生，使得没有其它中间条件或动作发生于早先条件或动作与第二条件动作之间或有限数量的一或多个中间步骤或动作发生于早先条件或动作与第二条件或动作之间。除非另有指定，否则本文中描述为“基于”、“至少部分基于”或“响应于”某其它步骤、动作、事件或条件而执行的任何条件或动作可另外或替代地(例如，在替代实例中)“直接响应于”或“直接地响应于”此其它条件或动作而执行。
125.本文中论述的装置(包含存储器阵列)可经形成于例如硅、锗、硅锗合金、砷化镓、氮化镓等的半导体衬底上。在一些情况中，衬底是半导体晶片。在一些其它实例中，衬底可为绝缘体上硅(soi)衬底(例如玻璃上硅(sog)或蓝宝石上硅(sop))或另一衬底上半导体材料外延层。衬底或衬底的子区域的导电性可通过使用各种化学物种(包含(但不限于)磷、硼或砷)进行掺杂来控制。掺杂可在衬底的初始形成或生长期间通过离子植入或通过任何其它掺杂方法执行。
126.本文中论述的开关组件或晶体管可表示场效晶体管(fet)且包括包含源极、漏极
及栅极的三端子装置。端子可通过导电材料(例如金属)连接到其它电子元件。源极及漏极可导电且可包括重掺杂(例如简并)半导体区域。源极及漏极可由轻掺杂半导体区域或沟道分离。如果沟道是n型(即，多数载子是电子)，那么fet可称为n型fet。如果沟道是p型(即，多数载子是空穴)，那么fet可称为p型fet。沟道可由绝缘栅极氧化物覆盖。沟道导电性可通过将电压施加到栅极来控制。举例来说，分别将正电压或负电压施加到n型fet或p型fet可导致沟道变成导电。如果将大于或等于晶体管的阈值电压的电压施加到晶体管栅极，那么晶体管可“接通”或“激活”。如果将小于晶体管的阈值电压的电压施加到晶体管栅极，那么晶体管可“断开”或“取消激活”。
127.本文中陈述的描述结合附图描述实例配置且不表示可实施或在权利要求书的范围内的所有实例。本文中使用的术语“示范性”意味着“用作实例、例子或说明”而非“优选的”或“优于其它实例”。详细描述包含用于提供所描述技术的理解的特定细节。然而，可在没有这些特定细节的情况下实践这些技术。在一些例子中，以框图形式展示众所周知的结构及装置以免模糊所描述实例的概念。
128.在附图中，类似组件或特征可具有相同参考标记。此外，相同类型的各种组件可通过使参考标记后接连字符及区分类似组件的第二标记来区分。如果说明书中仅使用第一参考标记，那么描述适用于具有相同第一参考标记的类似组件中的任何一者，与第二参考标记无关。
129.本文中描述的功能可经实施于硬件、由处理器执行的软件、固件或其任何组合中。如果实施于由处理器执行的软件中，那么功能可作为一或多个指令或代码存储于计算机可读媒体上或作为一或多个指令或代码经由计算机可读媒体传输。其它实例及实施方案在本公开及所附权利要求书的范围内。举例来说，由于软件的性质，上述功能可使用由处理器执行的软件、硬件、固件、硬连线或这些中的任何者的组合实施。实施功能的特征也可物理定位于各个位置处，其包含经分布使得功能的部分实施于不同物理位置处。
130.举例来说，结合本公开描述的各种说明框及组件可用经设计以执行本文中描述的功能的通用处理器、dsp、asic、fpga或其它可编程逻辑装置、离散门或晶体管逻辑、离散硬件组件或其任何组合实施或执行。通用处理器可为微处理器，但替代地，处理器可为任何处理器、控制器、微控制器或状态机。处理器可实施为计算装置的组合(例如dsp与微处理器的组合、多个微处理器、结合dsp核心的一或多个微处理器或任何其它此配置)。
131.如本文中(包含在权利要求书中)使用，项目列表(例如由例如
“…
中的至少一者”或
“…
中的一或多者”的短语开头的项目列表)中使用的“或”指示包含性列表，使得(例如)a、b或c中的至少一者的列表意味着a或b或c或ab或ac或bc或abc(即，a及b及c)。而且，如本文中使用，短语“基于”不应被解释为参考一组封闭条件。举例来说，在不脱离本公开的范围的情况下，描述为“基于条件a”的示范性步骤可基于条件a及条件b两者。换句话说，如本文中使用，短语“基于”应以相同于短语“至少部分基于”的方式解释。
132.计算机可读媒体包括非暂时性计算机存储媒体及通信媒体两者，其包含促进计算机程序从一个位置转移到另一位置的任何媒体。非暂时性存储媒体可为可由通用或专用计算机存取的任何可用媒体。通过实例而非限制，非暂时性计算机可读媒体可包括ram、rom、电可擦除可编程只读存储器(eeprom)、光盘(cd)rom或其它光盘存储装置、磁盘存储装置或其它磁性存储装置或可用于载送或存储呈指令或数据结构形式的期望程序代码构件且可
由通用或专用计算机或通用或专用处理器存取的任何其它非暂时性媒体。而且，任何连接适当地称为计算机可读媒体。举例来说，如果软件使用同轴电缆、光纤电缆、双绞线、数字用户线(dsl)或无线技术(例如红外线、无线电及微波)从网站、服务器或其它远程源传输，那么同轴电缆、光纤电缆、双绞线、dsl或无线技术(例如红外线、无线电及微波)包含于媒体定义中。如本文中使用，磁盘及光盘包含cd、激光盘、光盘、数字多功能光盘(dvd)、软盘及蓝光盘，其中磁盘通常磁性地复制数据，而光盘用激光光学地复制数据。上述内容的组合也包含于计算机可读媒体的范围内。
133.提供本文中的描述来使所属领域的技术人员能够制造或使用本公开。所属领域的技术人员将明白本公开的各种修改，且可在不脱离本公开的范围的情况下将本文中定义的一般原理应用到其它变体。因此，本公开不限于本文中描述的实例及设计，而是应被给予与本文中公开的原理及新颖特征一致的最广范围。