通过局部离子增强等离子体(iep)的晶片非均匀性微调相关申请的交叉引用本技术要求于2020年9月21日提交的题为“wafer non-uniformity tweaking through localized ion enhanced plasma(iep)(通过局部离子增强等离子体(iep)的晶片非均匀性微调)”的美国专利申请第17/026,840号的权益和优先权,所述申请通过引用以其整体并入本文。技术领域2.本技术涉及用于半导体制造的部件和装置。更具体地,本技术涉及处理腔室分配部件和其他半导体处理设备